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公开(公告)号:CN110658195B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201911022604.5
申请日:2019-10-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种移频无标记超分辨显微芯片及其成像方法,该超分辨显微芯片包括两面平行的衬底材料,衬底材料在所选照明光波段是透明的,其中一个表面是功能表面,上面刻有m圈成对分布的光栅结构,另一个表面是成像平面,用来放置样品,对芯片的成像平面进行抛光处理,提高全反射的效率和倏逝场的均匀度;成像平面的成像区域位于功能表面的光栅圈的中心。成像方法具体为:首先用普通显微镜照明样品,用光学相机采集样品的低频空间信息;然后将光斑打到不同光栅上面,采集样品的不同方向不同频率的高频空间信息;将低频、高频空间信息进行频移,然后在频域空间进行迭代拼接,得到扩大后的频谱,最后进行反傅里叶变换重构出超分辨的样品图像。
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公开(公告)号:CN111272773A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201911412574.9
申请日:2019-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请提供一种半导体晶圆表面缺陷的快速超高分辨检测系统,包括:照明光源,以及布置所述照明光源的光路上耦合物镜、第一偏振片、偏振分光棱镜、平面单晶、二向色镜和显微物镜;第一相机,用于采集共焦扫描的图像;样品台,其上放置有检测晶圆;环绕所述检测晶圆布置的倏逝场移频照明光源;安装在所述显微物镜外周且输出光场倾斜入射照明被检测晶圆的暗场照明光源;第二相机,用于暗场照明,PL模式照明和移频照明远场像的采集。本申请集成了暗场照明成像模式、PL成像模式以及共聚焦扫描成像模式的同时,引入了移频照明缺陷检测,能够实现对亚波长尺寸缺陷的快速高分辨成像。
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公开(公告)号:CN108828756B
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201810580534.4
申请日:2018-06-07
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B21/06 , G02B21/36 , G02B27/58 , G01N21/552 , G01N21/64
Abstract: 本发明公开一种表面等离子体非线性结构光照明超分辨显微成像装置,包含:发出不同波长脉冲激光的激光光源;对激光进行偏振调节的偏振调节单元;调节激光角度以实现干涉光相位调制的振镜;放置有荧光样品的PSIM芯片,入射的激光产生表面等离子体干涉条纹激发荧光;成像单元,采集所述荧光的图像;图像重构单元,控制振镜实现激光的角度调节以及对采集到的图像进行恢复处理。本发明还公开一种表面等离子体非线性结构光照明超分辨显微成像方法。本发明相比现有的PSIM技术能够实现更深的移频,理论上能够达到亚十纳米的分辨率,与现有的点扫描超分辨显微方法相比,具有成像速度快,成像分辨率高等优点。
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公开(公告)号:CN110161295A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201910364717.7
申请日:2019-04-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R15/24
Abstract: 本发明公开了一种反射式光纤电场传感器的探头及其装调方法,属于电磁场测量领域,反射式光纤电场传感器包括激光器、保偏光纤、三端口环形器和光电探测器,保偏光纤从三端口环形器的第一端口接入,光电探测器设于三端口环形器的第三端口;探头包括:固定装置,具有凹槽结构,凹槽结构内固定有依次布置的偏振片、铌酸锂晶体、1/8波片和反射片;和石英套管,其一端插设有准直透镜,另一端套封有石英圆柱体,固定装置固定在石英套管中部,准直透镜连接三端口环形器的第二端口。解决反射式光纤电场传感器中探头结构的装调问题,降低各元件本身缺陷产生的不利影响,实现各元件相对位置最优化,提高测量灵敏度和稳定性。
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公开(公告)号:CN109839546A
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201910209424.1
申请日:2019-03-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种反射式微型光学电场传感器中探头结构的固定装置,包括套管,所述套管的两端封闭,其中一端连接有光纤;所述套管内设有带凹槽的定位部件,所述凹槽固定有依次布置的偏振片、电光晶体、波片和反射片。本发明将偏振片、电光晶体、波片和反射片封闭在套管内,可排除环境中水汽、小颗粒等的污染;同时大幅减少外界应力对偏振片、晶体、波片和反射片的影响,有利于保持光路稳定。
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公开(公告)号:CN109683342A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811589999.2
申请日:2018-12-25
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波前整形的多模光纤超分辨成像装置及其光斑校正方法,属于超分辨显微领域,通过第一激光器产生的淬灭光与第二激光器产生的激发光射入多模光纤后,将多模光纤出射端的光斑成像到校正系统的相机上,不断变换空间光调制器上的调制信号,将相机采集到的光斑强度信息作为多模光纤模式相关校正方法的数据基础,以此修正空间光调制器的调制信号,在多模光纤出射端,生成艾里斑状激发光光斑及面包圈状的淬灭光光斑。通过将淬灭光和激发光移动扫描样品,在生物组织样本中不同深度的成像通过移动光纤来实现,克服了生物组织成像过程中由于散射带来的成像质量下降,兼具了高分辨率以及大成像深度,使得可以在生物医学方面得到广泛应用。
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公开(公告)号:CN106019423B
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201610563199.8
申请日:2016-07-15
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B1/10
Abstract: 本发明公开一种镀膜玻片在超分辨显微技术上的应用,包括:1)在衬底上镀设光学薄膜,并将微纳样品放置在所述的光学薄膜上或在所述的光学薄膜上制备微纳结构;2)放置微纳光源,并将微纳光源的倏逝场耦合进所述的光学薄膜,使得传输的倏逝场作用于微纳样品或微纳结构;或者将外界光场直接耦合进光学薄膜波导内传输,并在传输过程中与微纳样品或者微纳结构相互作用;3)通过显微镜获取微纳结构或微纳样品的光学成像,并对像进行频谱分析和图像重构。
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公开(公告)号:CN105633794B
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201610112643.4
申请日:2016-02-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器,包括放置在氧化硅衬底上的渐变带隙半导体纳米线和拉锥光纤;所述拉锥光纤的端面放置高反射率材料,所述高反射率材料与渐变带隙半导体纳米线接触形成散射点,且所述拉锥光纤的四周设有电极;所述的半导体纳米线激光器通过脉冲激光泵浦半导体纳米线,并利用电极施加的静电场调节拉锥光纤与渐变带隙半导体纳米线的接触点的位置,接收到散射点处禁带宽度所对应的波长的输出光。本发明利用静电场控制粘连有高反射率材料的拉锥光纤的空间位置,进而控制其与渐变带隙半导体纳米线接触时产生的散射点的相对位置,通过改变电场有无以及强度,实现半导体纳米线激光器输出宽谱波长双向可逆调谐。
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公开(公告)号:CN108535520A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810479196.5
申请日:2018-05-18
Applicant: 浙江大学
Inventor: 杨青
Abstract: 本发明公开了一种电磁场近场测量装置和制作电磁探针的方法,属于电磁近场测量领域。包括激光发生器、电磁探针、第一光电探测器和三端口环形器,电磁探针包括沿激光的光路依次设置的光纤准直透镜、集成偏振片和四分之一波片的微纳光纤、处于外加电磁场范围内的非线性纳米线和一反光元件;激光束进入电磁探针后在非线性纳米线的电光效应作用下携带被测电磁场参数信息,并在反光元件的反射作用下沿原路返回。激光通过非线性纳米线的电光效应将待测电磁场参数的信息耦合到激光中。激光首次经过非线性纳米线后经过光纤光栅结构的反射再次通过非线性纳米线,并反射回微纳光纤中,再通过光电探测器对激光进行测量,实现对待测电磁场的测量。
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公开(公告)号:CN105700266B
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201610236215.2
申请日:2016-04-15
Applicant: 浙江大学
IPC: G02F1/17
Abstract: 本发明公开了种基于石墨烯的表面等离子激元电吸收光调制器,包括:衬底,在衬底上叠放的第微纳波导和第二微纳波导,位于第微纳波导和第二微纳波导之间的介质层和第单层石墨烯,以及分别与所述第微纳波导和第二微纳波导连接并用以施加调制电压的第电极和第二电极;所述的第微纳波导和第二微纳波导中的至少种为金属波导;所述的第单层石墨烯位于其中个金属波导和介质层之间;且其中个电极通过所述的第单层石墨烯与对应的金属波导连接。本发明采用波导垂直排布的结构设计,结合石墨烯和SPP的优势,使调制深度高于已有电吸收调制器,达到70%以上;且器件的结构电容较小,极大提高了器件的整体响应速度。
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