公开(公告)号：CN205881909U

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201620407034.7

申请日：2016-05-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  程知群 ,  刘国华 ,  柯华杰 ,  周涛

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205

Abstract: 本实用新型提供一种新型常关型III-V异质结场效应晶体管，包括衬底材料层、第二半导体层、介质模板层、漏电极、源电极、第一介质层，第二介质层和栅电极，第二半导体层和第一半导体层本体结合在一起形成异质结沟道，介质模板层设置在第一半导体层本体上并等间隔形成n个窗口，第一半导体层本体沿n个窗口生长形成n个凸起部分；凸起部分使第一半导体层超出临界厚度从而在凸起部分的投影区域形成二维电子气2DEG。相对于现有技术，本实用新型利用特殊设计的势垒层获得不连续的沟道，并且栅电极将源、漏电极之间的沟道完全覆盖，从而实现对沟道二维电子气的完全控制，能够避免器件的“电流崩塌”效应；同时该器件可以同时获得较高的击穿电压和截止频率。

公开(公告)号：CN205610588U

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201620421160.8

申请日：2016-05-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张明 ,  程知群 ,  李江舟 ,  刘国华 ,  董志华 ,  柯华杰 ,  周涛

IPC: H03F1/07 ,  H03F3/19 ,  H03F3/217 ,  H03F3/24

Abstract: 本实用新型提供一种基于谐波控制的高效率Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端和峰值功率放大电路的输出端与负载调制网络相连接，经负载调制网络将功率输出给负载。相对于现有技术，本实用新型通过在E类功率放大器中利用谐波控制电路控制高次谐波，并通过谐波控制网络将负载阻抗变换到需要的基波阻抗，同时在奇次谐波频率上开路，在偶次谐波频点上短路，实现波形整形的目的，在理论上功放管没有功率损耗，使得功放的理想漏极效率可以达到100％。

公开(公告)号：CN205564759U

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201620407438.6

申请日：2016-05-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  程知群 ,  刘国华 ,  柯华杰 ,  周涛

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/205

Abstract: 本实用新型提供一种新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，在衬底材料层上形成第二半导体层，在第二半导体层上构造出漏电极和源电极，漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度；第二半导体层和第一半导体层结合在一起构成异质结构；第一半导体层的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽。相对于现有技术，本实用新型提供的新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。

公开(公告)号：CN204607576U

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201520205686.8

申请日：2015-04-07

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王凯 ,  程知群 ,  董志华 ,  刘国华 ,  周涛 ,  柯华杰

IPC: B81B7/02

Abstract: 本实用新型公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器；包括衬底、h-BN移除层、AlN缓冲层、GaN沟道层、隔离层AlN、非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层和帽层GaN；所述的h-BN移除层下方粘贴有开有孔洞的金属铜衬底，h-BN移除层上生长AlN缓冲层；接着在AlN缓冲层上面外延生长GaN沟道层；之后在沟道层GaN上外延生长隔离层AlN，接着在隔离层AlN上外延生长非掺杂Al0.3Ga0.7N势垒层和帽层GaN；帽层上设有AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；本实用新型通过h-BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。