公开(公告)号：CN1606127A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410067598.2

申请日：2004-10-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 菅洪彦 ,  王俊宇 ,  唐长文 ,  何捷 ,  闵昊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种用标准集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开，使得相邻线圈的电压差降低，使电感相邻线圈之间的随着电压差的降低而减小；采用外圈大电压差线圈之间大间距，内圈相对小间距的相邻线圈不等间距方法，降低寄生电容。这样，通过降低寄生电容，进而提高电容意味着高的电感品质因数和自激振荡频率，改进电感电路性能。

公开(公告)号：CN1604300A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410067600.6

申请日：2004-10-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 菅洪彦 ,  唐长文 ,  何捷 ,  闵昊

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种采用标准CMOS工艺设计多PN结衬底隔离片上电感的方法。包括：单阱工艺中在阱上注入与阱离子极性相反的杂质，对于深阱工艺，在深阱上形成与该深阱离子相反类型的阱，形成与硅片垂直方向的双PN结；在此基础上，在其顶层阱上扩散与其离子相反的杂质，形成另外一个PN结，从而形成与硅片垂直的三串连PN结。PN结是线条形状的分离结构，与电感的线圈垂直的，放射状排放。通过调节铺在片上电感下面的单或多PN结衬底隔离层的反偏电压，控制电感的寄生电容，调谐谐振频率，使电感工作在自激振荡频率。