一种负载硫化铟锌银固溶体的掺硫二氧化钛纳米管薄膜、其制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN102218332A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN201110097006.1

    申请日:2011-04-18

    CPC classification number: Y02E60/364

    Abstract: 一种负载硫化铟锌银固溶体的掺硫二氧化钛纳米管薄膜、其制备方法及其应用。涉及负载光催化剂二氧化钛纳米管薄膜、其制备方法及其应用。解决现有硫化铟锌银固溶体难固定化问题。本发明产品采用阳极氧化法制得二氧化钛纳米管薄膜,再利用溶剂热合成方法,在其上负载硫化铟锌银固溶体,并将硫掺入二氧化钛晶格,得产品。本发明产品作为光催化分解水制氢的光催化剂的应用。本发明实现了硫化铟锌银固溶体固定化和硫对二氧化钛的掺杂,得到了一种具有好的光催化分解水制氢性能的新的光催化复合材料,并且制备工艺简单易行。光催化时间达240min时,本发明产品的产氢量是未负载固溶体的二氧化钛纳米管薄膜的1.5倍左右。

    一种镁合金表面微弧氧化/喷涂复合膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101871119A

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:CN201010238437.0

    申请日:2010-07-28

    Abstract: 一种镁合金表面微弧氧化/喷涂复合膜的制备方法,它涉及一种镁合金表面复合膜的制备方法。解决现有镁合金表面处理方法中化学转化膜、阳极氧化、气相沉积得到的膜层薄,耐腐蚀性能差;离子注入成本高,难以实现大面积加工;涂层与镁合金结合力差,有机涂层易老化的问题。制备方法:首先利用微弧氧化在镁合金表面制备陶瓷膜,然后采用空气喷涂将无机涂料喷涂至陶瓷膜上,再热处理即得微弧氧化/喷涂复合膜。方法简单,成本低,空气喷涂利用微弧氧化陶瓷膜的多孔结构,使无机涂料层与陶瓷膜结合牢固;复合膜厚度在20~40μm,自腐蚀电位正移至-1.02V,腐蚀电流密度比镁合金降低5个数量级,盐雾实验72~144h后完好无损,耐蚀性好。

    带状不良导电体连续电镀阳极装置

    公开(公告)号:CN100457982C

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200410044096.8

    申请日:2004-12-01

    Abstract: 带状不良导电体连续电镀阳极装置,它涉及一种阳极装置。本发明至少由一个阳极单元1组成,阳极单元1由通腔2、上绝缘盖板3、下绝缘盖板4组成,通腔2依次由第一阳极板5、第一绝缘挡板7、第二阳极板6、第二绝缘挡板8相互首尾连接围成;上绝缘盖板3连接在通腔2的上端口2-1上,下绝缘盖板4连接在通腔2的下端口2-2上,上绝缘盖板3和下绝缘盖板4均开有条缝9,两个条缝9的对称面与通腔2的对称面相重合,通腔2的纵剖面15为喇叭形,纵剖面15垂直经过第一阳极板5和第二阳极板6。本发明由于通过特殊的阳极形状控制了金属电沉积的电流密度,单个镀槽的阳极长度就可以设计到最大限度,在不增加镀槽数量的条件下实现连续电镀生产线提速。

    一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101050119A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710072252.5

    申请日:2007-05-23

    Abstract: 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法,是为了解决采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂,可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZT薄膜的沉积、PZT薄膜的预晶化和PZT薄膜的晶化这四个步骤完成。本发明制备工艺简单,制备出的锆钛酸铅薄膜(PZT)为高度(111)取向,薄膜表面平整致密、厚度均匀、晶粒大小均匀,本发明制备出的高度(111)取向的锆钛酸铅铁电薄膜具有高的剩余极化值,剩余极化值为43~60μC/cm2,薄膜具有较小的矫顽场,矫顽场仅为60~75kV/cm;采用本发明制备出的锆钛酸铅反铁电薄膜的饱和极化值高。

    泡沫铅负极板栅卷绕铅酸电池及制备方法

    公开(公告)号:CN1790796A

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN200510127392.9

    申请日:2005-12-27

    Abstract: 泡沫铅负极板栅卷绕铅酸电池及制备方法,它涉及一种铅酸电池及制备方法。它解决了现有卷绕铅酸电池质量大,比容量、比能量和比功率较低,活性物质与集流体的结合不牢固,活性物质利用率低的问题。泡沫铅负极板栅卷绕铅酸电池主要包括围绕芯轴(4)的正极(7)、以泡沫铅负极板栅为集流体的负极(5)和在正极(7)与负极(5)之间的AGM隔板(6)。其制备方法:(一)和膏;(二)预处理;(三)涂膏;(四)卷绕;(五)固化;(六)组装;(七)化成,即得到泡沫铅负极板栅卷绕铅酸电池。本发明具有电池质量小,比容量、比能量高,活性物质与集流体的结合牢固,活性物质利用率高的优点。

    铅酸电池热浸镀泡沫铅板栅及其制作方法

    公开(公告)号:CN1224125C

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN03132621.8

    申请日:2003-09-19

    Abstract: 铅酸电池热浸镀泡沫铅板栅及其制作方法,它涉及铅酸电池负极泡沫铅板栅及其它的制作方法。该板栅是以泡沫铜为基体,采用热浸镀的方法,在320~380℃时,在泡沫铜表面上浸镀铅或铅合金,制得的泡沫铅板栅。该方法是按如下步骤进行的:一、预热:将泡沫铜预热至110~170℃;二、将预热的泡沫铜在320~380℃的铅或铅合金液中热浸镀5~25min。它解决了目前板栅材料不能满足高比能量铅酸电池的需要,以及现有的泡沫铅板栅的制作方法存在的工艺过程复杂、生产效率低的问题。

    带状不良导电体连续电镀阳极装置

    公开(公告)号:CN1637173A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN200410044096.8

    申请日:2004-12-01

    Abstract: 带状不良导电体连续电镀阳极装置,它涉及一种阳极装置。本发明至少由一个阳极单元1组成,阳极单元1由通腔2、上绝缘盖板3、下绝缘盖板4组成,通腔2依次由第一阳极板5、第一绝缘挡板7、第二阳极板6、第二绝缘挡板8相互首尾连接围成;上绝缘盖板3连接在通腔2的上端口2-1上,下绝缘盖板4连接在通腔2的下端口2-2上,上绝缘盖板3和下绝缘盖板4均开有条缝9,两个条缝9的对称面与通腔2的对称面相重合,通腔2的纵剖面15为喇叭形,纵剖面15垂直经过第一阳极板5和第二阳极板6。本发明由于通过特殊的阳极形状控制了金属电沉积的电流密度,单个镀槽的阳极长度就可以设计到最大限度,在不增加镀槽数量的条件下实现连续电镀生产线提速。

    活性炭沉积镍氧化物作为超级电容器正极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN1545115A

    公开(公告)日:2004-11-10

    申请号:CN200310107714.4

    申请日:2003-11-20

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 活性炭沉积镍氧化物作为超级电容器正极材料及制备方法,它涉及沉积镍氧化物的活性炭作为电化学超级电容器正极活性材料和它的制备工艺。本发明沉积在活性炭上的镍氧化物的沉积量为1.0~14.0mg/g,将活性炭浸渍在浓度为0.1~2.0mol/L的Ni(NO3)2溶液中,浸渍期间用超声波对浸渍液进行振荡,将滤饼分散到过量的浓度为1.0~2.0mol/L的NaOH溶液中,浸渍3~5小时,将涂膏完毕的极片在110℃条件下真空干燥,然后在压延机上将极片压实,经修掉毛刺后得到成品电极;活化电流对于电极的表面积控制在0.1~10mA/cm2,充放电电位在-0.5~0.35V范围之间,活化过程重复三个循环。本发明具有方法简单易行,产品质量可靠,工作电压明显提高的优点。

    一种高吸收率高发射率涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN109943874B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201910382620.9

    申请日:2019-05-08

    Abstract: 一种高吸收率高发射率涂层的制备方法,它涉及一种涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有的镁锂合金表面处理技术制备的涂层结合力差,不稳定,易老化脱落,吸收率低,发射率低,不利于其在航天器上的应用的问题。方法:一、试件前处理;二、微弧氧化法在硅酸盐电解液体系中制备高吸收高发射率的热控涂层。本发明制备的热控涂层有较高的吸收率和发射率,有很好的热控性能。本发明可获得一种高吸收率高发射率涂层。

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