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公开(公告)号：CN110212088A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910523441.2
申请日：2019-06-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料相变存储单元，包括衬底，从下到上依次设置于衬底上方的下电极、相变层、上电极，以及二维材料层，二维材料层设置于相变层与所述下电极的接触面，还设置于相变层与上电极的接触面。本发明中采用的二维材料具有非常小的热导率，除了界面形成的热阻，其本身也能减小热量的散失，降低写入电流，提高电热效率；二维材料层还具有很好的机械力学性能，如高弹性系数，高抗压性能和断裂强度等，能起到缓冲的作用，在相变过程中，相变层受到的热膨胀挤压应力及应变更小，因此能有效减小相变温升过程中相变层与电极层之间的应力应变，提高器件的寿命及擦写次数。
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公开(公告)号：CN109935685A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910095442.1
申请日：2019-01-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种调控材料中空位缺陷的方法，该方法是通过向相变功能材料中插入应力施加材料，从而调控所述相变功能材料中的空位缺陷浓度，并由此得到相变功能材料与应力施加材料嵌合生长生成的复合结构；该复合结构其相变特性主要由其中的所述相变功能材料决定，通过所述应力施加材料的调控使该复合结构其相变特性以由纯的所述相变功能材料得到的相变功能材料晶体其相变特性为基础产生变化，并且该应力施加材料具体为能够形成晶态的材料。本发明尤其通过向晶格常数略小的相变功能材料中插入常数稍大的应力施加材料，能有效降低相变存储材料中空位缺陷的浓度，从而降低其晶化过程的阈值，有效提升其晶化速度。
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公开(公告)号：CN106206935B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610553896.5
申请日：2016-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种控制自旋波传输的方法，该发明属于自旋电子学领域。本方法通过在自旋波波导结构上施加电场，可以有效改变磁性波导材料内部交换作用强度。通过电场控制交换常数大小，可以达到调控自旋波色散关系进而实现控制自旋波传输的目的。本发明通过电场控制交换作用，可以超低功耗实现对自旋波传输的局部精确控制，为超低功耗、CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN104218035B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201310214094.8
申请日：2013-05-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/10 , H01L27/22 , H01L27/115 , G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的交换耦合作用使得第二自由层磁矩的翻转带动了第一自由层磁矩的翻转；提高了磁隧道结单元中复合自由层的磁化翻转程度，降低了复合自由层的翻转电流密度，并在相同电流密度激励条件下提高了磁隧道结单元的TMR值。
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公开(公告)号：CN105405968A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510737112.X
申请日：2015-11-03
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L43/12 , H01F1/0036 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了一种调整半金属磁体电子能带结构的方法及其产物，其中调整半金属磁体电子能带结构的方法是通过向半金属磁体中同时掺杂Ge元素和Te元素，以调节所述半金属磁体电子能带结构中费米能级的位置，从而起到调整半金属磁体电子能带结构的作用。本发明通过对关键的掺杂元素种类、掺杂位置、掺杂量等进行改进，能够调整费米能级在带隙中的相对位置以及带隙的宽度，并提高半金属磁体的稳定性。通过本发明方法得到的掺杂半金属磁体，其费米能级接近带隙的中间，且自旋向下的带隙被扩大，是一种更加稳定的自旋极化率为100％的铁磁性材料，可显著提高器件的磁电阻效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064276B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201010528582.2
申请日：2010-11-01
Applicant: 华中科技大学 , 山东华芯半导体有限公司
Abstract: 本发明属于公开了一种非对称相变存储器单元及器件，包括由下至上依次叠置的下电极层、第一绝缘层、相变层、第二绝缘层和上电极层；第一绝缘层开有小孔，小孔宽度为10nm～4um；相变层通过第一绝缘层上的小孔与下电极层相接触，第二绝缘层也开有小孔，小孔宽度为10nm～5um，上电极通过第二绝缘层上的小孔与相变层接触。其核心结构特征在于第一绝缘层上小孔的中轴线、第二绝缘层上小孔的中轴线以及下电极层的中轴线任意两条互不重合。本发明提供的非对称相变存储器单元及器件能够使存储器具有较好的热学性能，进而能在保持器件原有性能的同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN103777157A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410017877.1
申请日：2014-01-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁各向异性磁性隧道结单元测试系统，包括探针测量平台，探针测量平台的两个探针前端分别加在MTJ单元的上下电极，两个探针的后端分别连接电源测量模块的高低电平输出端口；带铁芯绕组线圈固定在MTJ单元的空间正上方，绕组线圈电源的正负极接带铁芯绕组线圈的两端；计算机测试平台控制绕组线圈电源向带铁芯绕组线圈提供不同的电压，并控制电源测量模块产生电压激励信号以获取电流响应信号，根据电压激励信号和电流响应信号得到MTJ单元的电阻值；从而得到感应磁场强度与MTJ单元的电阻值之间的关系曲线。本发明测试系统可方便地对MTJ单元进行测试，大大缩短测量时间，节约测试成本，提高测试过程的便利性。
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公开(公告)号：CN102175711B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110004414.8
申请日：2011-01-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种热膨胀系数的测量方法及装置，将待测透光材料的上、下表面分别镀一层部分透光部分反光的薄膜，对透光材料加热，加热过程中采用一束单色光入射待测透光材料，单色光在透光材料的上、下表面分别反射，两束反射光产生发生干涉，检测干涉后的反射光功率，找出其反射光功率最大值对应的温度值，确定反射光功率在透光材料预定温度区间的变化周期，最后依据该周期计算得到待测透明材料在该温度区间的热膨胀系数。本发明能准确测量透光材料的热膨胀系数，其测试精确度较高，可有效消除样品架等热膨胀带来的系统误差，使用单一激光源，光路简单，成本低廉，能直观反应各温度区间的热膨胀情况。
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公开(公告)号：CN102789786A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210245272.9
申请日：2012-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构及其制备方法。材料依次包括基片，CoPt磁性层，Ta保护层，其中，CoPt的厚度为10nm～100nm，Ta保护层的厚度为1nm～20nm。Ta用于CoPt垂直磁化膜的保护层，作用在于：①Ta元素在溅射沉积及退火中，向CoPt层扩散并向CoPt晶界偏聚，使晶界区成为非磁性区域，改变CoPt磁化反转机制，提高薄膜介质矫顽力。②在热处理过程中，Ta原子向CoPt磁性层扩散，减弱了相邻磁性颗粒间的交换耦合作用，减小介质翻转的噪声，提高了记录位密度。
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公开(公告)号：CN102522094A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110407886.8
申请日：2011-12-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SmCo5垂直磁化膜的双层结构底层材料，它包括依次设置在衬底上的Ti3W7层和Cu层，Ti3W7层厚度5～30nm，优选5nm，Cu层厚度50～500nm，优选100nm。制备方法为在衬底上沉积5～30nm的Ti3W7层；然后在Ti3W7层上沉积50～500nm的Cu层，制得Cu/Ti3W7双层结构底层材料。当采用溅射法进行沉积时：以Ar作为溅射气体对Ti3W7靶进行溅射，在衬底上沉积Ti3W7层；然后以Ar为溅射气体对Cu靶进行溅射，在Ti3W7层上沉积Cu层。本发明可以提高Cu底层晶粒沿（111）面择优取向生长并降低其表面粗糙度，从而可很好地引导和调控沉积在上面的SmCo5薄膜的(0001)面沿垂直膜面方向生长，显著地提高SmCo5薄膜的垂直磁性能，使SmCo5薄膜可更好用于高密度垂直磁记录领域。
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