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公开(公告)号：CN109745346A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910194258.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: A61K36/185 , A61K9/14 , A61P29/00 , A61P39/00 , A61P39/02
Abstract: 本发明公开了一种淋巴排毒足疗粉或泡澡粉的制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)清洗除杂：选取新鲜的马齿苋，用水淋洗2～4遍以除去表面的灰尘、泥土等杂质，沥干表面的水分；(2)干燥：将步骤(1)中的所得的马齿苋置于鼓风干燥箱中，40～80℃条件下烘干至恒重；(3)粉碎：将步骤(2)中的干马齿苋送入到中草药超细粉碎机中粉碎，得到180～200目细粉，即为所需的足疗粉；(4)包装：利用真空设备将粉碎后的细粉进行包装，包装规格为5g/袋。本发明制备足疗粉的方法成本低廉，制备方法简单，且具有活血调经、消除疲劳和淋巴排毒的功效。
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公开(公告)号：CN109647445A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910063881.4
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种MoS2纳米片包覆KNbO3纳米线压电/光催化材料的制备方法，属于光催化领域。本发明以铌粉(Nb)、氢氧化钾(KOH)、钼酸钠(Na2MoO4·2H2O)、硫脲(CN2H4S)为原料，通过简单的两步水热法，制得结晶性良好的KNbO3/MoS2异质结构压电/光催化材料，所述的两步水热法指的是第一次水热反应合成KNbO3纳米线，第二次水热反应合成KNbO3/MoS2异质结构压电/光催化材料。本发明提供的制备方法简单，实验条件易控，创新性地利用压电/铁电特性，通过促进光生电子和空穴的分离，使光催化性能得到最大优化。显著提高的催化性能归因于异质结构的协同效应和机械振动诱导的內建电场促进电荷分离的作用。
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公开(公告)号：CN109115940A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811228938.3
申请日：2018-10-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N31/16
Abstract: 本发明公开了一种测定铁酸铋基无铅压电陶瓷中氧空位浓度的碘量方法，属于陶瓷成分分析技术领域。包括：取陶瓷样品研磨成粉，称量于圆底烧瓶中；加入浓盐酸搅拌至全部溶解，标记颜色为棕黄色；将硫代硫酸钠标准溶液加入滴定管中，记下刻度数；向棕黄色溶液中加入碘化钾后盖住瓶塞，抽真空后通入氮气，搅拌均匀，标记颜色为红棕色，用硫代硫酸钠标准溶液滴定至淡棕黄色，加入淀粉溶液，标记颜色为深蓝色，用硫代硫酸钠标准溶液滴定至蓝色消失；记下两次加入硫代硫酸钠标准溶液后的刻度数，计算其消耗总量；计算陶瓷样品中Fe离子的价态，再利用电荷平衡得出氧空位浓度。本发明实验仪器简便，操作简单，检测结果精确可靠，能定量分析氧空位浓度。
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公开(公告)号：CN108374198A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810204313.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种单晶Bi2Te3热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。本发明以机械合金化法预合成的Bi2Te3粉体作为原料分批在2MPa下保压0.5～1.5min压制成片并放入尖底石英管中真空封管，再将石英管尖底朝下放入竖炉中，以5～30℃/h的速率升温至600～750℃，并保温10～30h，然后以1～3℃/h的速率缓慢降温至380～550℃，再以10～50℃/h的速率降温至30℃得到单晶Bi2Te3块体。本发明制备的单晶Bi2Te3块体热电材料面内功率因子为2～5mWm-1K-2，面间功率因子为0.6～2mWm-1K-2。利用机械合金化法结合温度梯度固化法制备单晶Bi2Te3块体热电材料具有过程简便易操作，对设备和制备环境要求低，烧结温度低等特点并进一步提升了Bi2Te3块体的热电性能。制备的单晶Bi2Te3热电材料有可能在温差发电和热电制冷等领域得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN103985813B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410244778.7
申请日：2014-06-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种核壳结构NiSe2@SiO2热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~1μm的NiSe2前驱粉体，通过溶胶凝胶法在NiSe2粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO2，制备出以SiO2为壳、NiSe2为核的核壳结构NiSe2@SiO2复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的NiSe2@SiO2复合块体热电材料。NiSe2@SiO2复合块体热电材料较单相NiSe2热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子，同时降低了热导率。本发明工艺具有节能、省时、产量高等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355770A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510670603.7
申请日：2015-10-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种C和Al共掺杂ZnO热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域，所述制备方法以氯化锌和硝酸铝为原料，所述氯化锌和硝酸铝的摩尔量按照化学通式Zn1-xAlxO进行配置，其中，0.005≤x≤0.5mol，添加C源，并利用水热法结合放电等离子烧结技术，制得相对密度大于90%的C和Al共掺杂ZnO块体热电材料，所述C和Al共掺杂ZnO热电材料的功率因子为4×10-4～12×10-4Wm-1K-2。本发明通过水热法并结合放电等离子烧结技术制备得到的C和Al共掺杂ZnO块体热电材料相对密度较高，大于95%，制备过程中烧结温度高在900～1400℃，通过所掺杂的C源的选择克服了常规技术中高的烧结温度不利于C掺杂ZnO的局限；并进一步提高了ZnO材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN103708820B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310743440.1
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 一种Ga掺杂ZnO织构热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。其特征是：以乙酸锌和硝酸镓为原料，按照化学通式Zn1-xGaxO(0.001≤x≤0.5mol)配置，三乙醇胺作为表面活性剂，去离子水为溶剂，pH值为7.0~9.0，在120～240℃水热反应4～80h，制备了由10～800nm纳米颗粒自组装而成的直径为1～10μm的纳微复合球状粉体，再通过放电等离子烧结技术，在压力30～200MPa，温度为850～1400℃下，保温烧结1～30min，制备得到织构度为10～55%Ga掺杂ZnO块体材料，晶粒尺寸为100~900nm。该方法能够简单、快捷地制备同时具有纳米和织构结构特征的Ga掺杂ZnO块体材料，在提高载流子迁移率的同时降低热导率，使热电性能得到提高。
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公开(公告)号：CN103979549A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410244837.0
申请日：2014-06-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种核壳结构Cu1.8S@SiO2热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~2μm的Cu1.8S前驱粉体，通过溶胶凝胶法在Cu1.8S粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO2，制备出以SiO2为壳、Cu1.8S为核的核壳结构Cu1.8S@SiO2复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的Cu1.8S@SiO2复合块体热电材料。Cu1.8S@SiO2复合块体热电材料较单相Cu1.8S热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子及低的热导率。本发明工艺具有节能、省时、产量高等特点。
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公开(公告)号：CN102621617B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210050394.2
申请日：2012-02-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供了一种可电场调控宽波反射的液晶圆偏振片的制造方法，属于功能材料液晶显示技术领域。该方法通过将一维纳米材料与胆甾相液晶混合并灌注液晶盒或薄膜中，施加不同电场来控制反射波宽。其优点在于成分和工艺简单，偏振片的反射波宽可根据实际需要通过电场进行控制，并可实现可逆调控。可应用在功能薄膜和器件上，如智能玻璃、电子纸张、液晶显示器光增量膜等。
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公开(公告)号：CN103638950A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310690543.6
申请日：2013-12-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种CuS纳米片光催化材料及制备方法，属于能源材料技术领域。其特征是：将可溶性铜盐和CS(NH2)2分别溶于乙二醇中，制成浓度均为0.1mol/L的Cu2+溶液A和CS(NH2)2溶液B；取适量A、B溶液，混合配置成Cu2+:CS(NH2)2摩尔比为1:1~8的C溶液；溶入PVP，使体系中Cu2+:PVP摩尔比=1:0.1~6，得到前驱物溶液D；将前驱物溶液D倒入水热釜，填充度为30%~80%，然后密封反应釜，在80~180℃下保温0.5~10h；待溶剂热反应结束，产物经离心收集，用去离子水、无水乙醇洗涤后，并置于烘箱中在40~80℃下干燥，得到CuS纳米片光催化材料。该光催化材料在可见光区有较强的光吸收性，可见光利用率高，光催化性能好，所采用的制备方法所需原料廉价易得，无污染，制备工艺流程短，方便、快捷。
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