一种基于虚拟传感器的局部放电源定位方法

    公开(公告)号:CN113552450A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110765690.X

    申请日:2021-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于虚拟传感器的局部放电源定位方法,其包括步骤:(1)构建光学局部放电仿真指纹库;(2)采构建自适应神经模糊推理系统算法网络,并采用光学局部放电仿真指纹库作为训练集对自适应神经模糊推理系统算法网络进行训练;(3)在局部放电实际检测时,设置A个实际光学传感器和B个虚拟光学传感器,其中将A个实际光学传感器采集的实测局部放电信号输入经过训练的自适应神经模糊推理系统算法网络中,以使其输出B个虚拟光学传感器的预测局部放电信号;(4)由实测局部放电信号和预测局部放电信号构建光学局部放电检测指纹;(5)将所述光学局部放电检测指纹与所述光学局部放电仿真指纹库进行匹配,以得到局部放电源的位置。

    一种变电站设备异常声源定位方法及系统

    公开(公告)号:CN113050037A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110308037.0

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种变电站设备异常声源定位方法,其包括步骤:(1)采集变电站声音信号;(2)基于变电站声音信号建立变电站声音阵列的空间谱函数;(3)采用改进的粒子群算法对空间谱函数进行极大值搜索,并基于该极大值获得与其对应的入射方位角和入射俯仰角θ的估计值,以对变电站设备异常声源进行定位。此外,本发明还公开一种变电站设备异常声源定位系统,其包括:声音传感器阵列,其采集变电站声音信号;处理和定位模块,其基于变电站声音信号建立变电站声音阵列的空间谱函数,并采用改进的粒子群算法对空间谱函数进行极大值搜索,并基于该极大值获得与其对应的入射方位角和入射俯仰角θ的估计值,以对变电站设备异常声源进行定位。

    一种变电站设备异常声源定位方法及系统

    公开(公告)号:CN112883628A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110308028.1

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种变电站设备异常声源定位方法,其包括步骤:(1)采集变电站声音信号样本Y=[y1,y2,…,yn];(2)建立变电站声音信号样本的似然函数;(3)采用改进的粒子群算法求取变电站声音信号样本的似然函数的最大值,并基于该最大值获得与该最大值所对应的方向角D的估计值,以对变电站设备异常声源进行定位。此外,本发明还公开一种变电站设备异常声源定位系统,其包括:声音传感器阵列,其采集变电站声音信号样本;处理和定位模块,其用于执行本发明所述变电站设备异常声源定位方法中的步骤(2)及步骤(3),以对变电站设备异常声源进行定位。

    一种GIL局部放电源定位方法和系统

    公开(公告)号:CN112147470A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202011021369.2

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种GIL局部放电源定位方法,包括步骤:(1)建立与实际GIL尺寸相同的仿真模型,并进行光学信号仿真,构建局部放电仿真指纹库Ψ(2)拟合出GIL中所有位置局部放电指纹,以将Ψ扩展为Ψ’(3)构建有若干个基分类器的Bagging‑KELM模型,用Bagging算法对扩展后光学局部放电仿真指纹库Ψ’进行重新采样,获得随机选择的若干个子指纹库,各子指纹库与个基分类器对应,采用各子指纹库对各基分类器进行训练,以使每一个基分类器均输出局部放电源位置坐标,Bagging‑KELM模型的输出为各基分类器输出局部放电源位置坐标的平均值(4)将实际检测的GIL局部放电光学指纹输入到经过训练的Bagging‑KELM模型中,得到实际局部放电源位置。此外,本发明还公开了一种GIL局部放电源定位系统。

    一种提升变电站局部放电定向精度的方法及系统

    公开(公告)号:CN112067953A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010944714.3

    申请日:2020-09-10

    Abstract: 本发明公开了一种提升变电站局部放电定向精度的方法,其包括步骤:(1)采用传感器阵列接收局部放电信号,并基于接收的局部放电信号构建局部放电信号的响应功率;(2)基于局部放电信号的响应功率构建确定局部放电信号的方向角θ的第一模型;(3)对局部放电信号阵列进行虚拟扩展,并基于第一模型得到虚拟扩展后的局部放电信号的定向模型,并基于定向模型对局部放电进行精确定向。此外,本发明还公开了一种提升变电站局部放电定向精度的系统。

    一种光电位移传感器
    120.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103673885A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201210320309.X

    申请日:2012-08-31

    Inventor: 王辉 俞崇祺 黄旭

    Abstract: 本发明提供一种光电位移传感器,至少包括:半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的金属薄膜层;分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极;分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线;所述金属薄膜层包括单一金属或金属合金;本发明还可以包括形成在所述半导体衬底和所述金属薄膜层之间的氧化物层;所述氧化物层为氧化物半导体层或金属氧化物层。本发明通过将金属薄膜层作为光电位置传感器的光响应面,相对于目前的光电位移传感器来说,可以显著提高和改善光电位移传感器的线性度和灵敏度,而且本发明结构简单,适用于大规模工业生产应用。

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