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公开(公告)号：CN113258012A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110183999.8
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件、其制造方法和电子设备，所述量子点器件包括第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间并且包括第一无机纳米颗粒和第一有机材料的电子传输层、以及设置在所述电子传输层和所述第二电极之间并且包括第二无机纳米颗粒和第二有机材料的电子注入层，其中所述电子注入层中的所述第二有机材料的量对所述第二无机纳米颗粒和所述第二有机材料的总量的按重量计的比率小于所述电子传输层中的所述第一有机材料的量对所述第一无机纳米颗粒和所述第一有机材料的总量的按重量计的比率。
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公开(公告)号：CN112186113A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010640435.8
申请日：2020-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法。发光器件包括：第一电极和具有面向所述第一电极的表面的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点(例如，多个量子点)的发射层；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层。所述电子辅助层包括包含第一金属氧化物的第一层、和设置在所述第一层上并且包括第二金属氧化物的第二层。当通过电子显微镜法分析测定时，所述第二层和所述第二电极之间的界面的粗糙度小于约10nm。所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值可小于或等于约0.5eV，和所述第一层的导带底能级可小于所述第二层的导带底能级。
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公开(公告)号：CN111834499A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010306370.3
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体-聚合物复合物和电子器件。所述纳米片包括：包括第一半导体纳米晶体的二维模板；以及设置在所述二维模板的表面上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第二半导体纳米晶体包括III-V族化合物，并且其中所述纳米片不包括镉。
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公开(公告)号：CN111826161A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010310970.7
申请日：2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08K9/10 , C08K3/30 , C08L101/08 , H01L51/50
Abstract: 一种核-壳量子点、量子点、量子点聚合物复合物、显示装置和量子点制造方法，该核-壳量子点包括锌、包含第一半导体纳米晶体材料的核、以及设置在核上的半导体纳米晶体壳，其中该核-壳量子点不包括镉，并且包括锌、碲、硒和铝。
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公开(公告)号：CN110890471A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910842105.4
申请日：2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点和具有连接至骨架结构的取代或未取代的C4-C20烷基的第一空穴传输材料的发射层；设置在所述发射层和所述第一电极之间并且包括第二空穴传输材料的空穴传输层；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858632A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910785624.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和量子点。所述量子点包括：芯，所述芯包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体；和设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，其中所述量子点具有大于10nm的平均颗粒尺寸，其中所述量子点不包括镉，和其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于约430nm且小于或等于约470nm的波长范围内。
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公开(公告)号：CN110783468A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910520226.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件和显示设备，所述量子点器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括由化学式1表示的电子传输材料和能够降低所述电子辅助层的电子迁移率的电子控制材料。在化学式1中，M和x与详细的说明书中描述的相同。化学式1Zn1-xMxO。
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公开(公告)号：CN110400886A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910332806.3
申请日：2019-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了包括多个量子点的发光膜、其制造方法、包括该发光膜的发光器件和包括该发光器件的显示装置。所述多个量子点构成发光膜的表面的至少一部分，所述多个量子点不包含镉和铅，并且发光膜的表面的所述至少一部分包括结合到所述多个量子点中的至少一个量子点的金属卤化物。
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公开(公告)号：CN110277501A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910192538.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电致发光器件、其形成方法和包括其的显示装置。电致发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在第一电极和第二电极之间并包括发光颗粒的发射层；设置在第一电极和发射层之间的电子传输层；以及设置在第二电极和发射层之间的空穴传输层，其中电子传输层包括无机氧化物颗粒和金属有机化合物，所述金属有机化合物或所述金属有机化合物的热分解产物可溶于非极性溶剂中。
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公开(公告)号：CN110028969A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点-聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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