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公开(公告)号：CN113223999A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110358013.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种晶圆键合结构及晶圆键合方法，键合方法包括三种：第一种包括：第一晶圆和第二晶圆通过粘接层键合，制造第二晶圆硅通孔和粘接层通孔，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接；第二种包括：制造第二晶圆硅通孔，第一晶圆上涂布粘接层，制造第一晶圆上粘接层通孔，第一晶圆和第二晶圆通过粘接层结合，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接；第三种包括：制造第二晶圆硅通孔，第一晶圆上涂布粘接层，第一晶圆和第二晶圆通过粘接层结合，透过第二晶圆硅通孔腐蚀制造粘接层通孔，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接。本发明优势是晶圆铜通孔连接在室温下批量生产完成，室温下晶圆形变小，热应力小，晶圆不易断裂。可以简单地实现多层晶圆的键合。
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公开(公告)号：CN112713685A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202110029277.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H02K1/27 , H02K1/12 , H02K3/04 , H02K11/215 , B60K7/00
Abstract: 本发明公开了一种轮毂电机，包括磁体层、测量系统和线圈层，所述磁体层为电机动子，所述线圈层为电机定子，所述线圈层为线圈阵列排列而成，所述线圈阵列的线圈呈鱼骨状排列，所述磁体层由N极磁体和S极磁体交替周期均匀排布，所述测量系统由霍尔传感器组阵列排布构成；本发明依靠通电线圈在磁场中受到洛伦兹力的反力驱动磁体动子运动，通过线圈排列成鱼骨状，结构更加紧凑，对中力可以相互抵消，驱动力可以相互叠加，本发明实现了动子上无线缆、运动台的任意大行程、运用了低成本的测量系统（霍尔传感器阵列）实现了动子正逆位移测量。
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公开(公告)号：CN112713183A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011581584.8
申请日：2020-12-28
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L29/205 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/329 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层，形成台阶状异质结构，同时实现器件隔离；形成欧姆接触电极和肖特基接触电极，所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上，所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上；退火；形成敏感材料层，所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。本发明降低了气体传感器的开启电压和功率损耗。同时缩短了敏感材料层与二维电子气之间的距离，载流子的传输不再隧穿通过AlGaN势垒层，保持高的迁移率，器件具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112687691A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011455230.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种存储器件以及电子装置。存储器件至少包括：衬底；第一纳米线、第二纳米线、第三纳米线以及第四纳米线；第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极分别环绕第一纳米线设置；第三晶体管的第三栅极和第四晶体管的第四栅极分别环绕第二纳米线设置；第五晶体管的第五栅极环绕第三纳米线设置；第六晶体管的第六栅极环绕第四纳米线设置。其中，第一晶体管的第一漏极和第二晶体管的第二源极连接至第一存储节点，第三晶体管的第三漏极和第四晶体管的第四源极连接至第二存储节点，第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极连接至第二存储节点，第三晶体管的第三栅极和第四晶体管的第四栅极连接至第一存储节点。
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公开(公告)号：CN112652340A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011454935.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种铁电存储器及其存储数据读取方法，所述铁电存储器包括延第一方向延伸的数条字线和数条板线、延第二方向延伸的数条位线、以及位于所述字线、板线、位线之间的数个铁电存储单元，每一所述铁电存储单元均包括第一晶体管和第一电容，所述第一晶体管的栅极连接至所述字线，所述第一晶体管的漏极连接至所述位线，所述第一晶体管的源极连接至所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接至所述板线，当读取所述第一电容中存储的数据时，从所述第一电容中输出的电流经过放大后输出至所述位线，从而提升感测裕度和读取鲁棒性，并且由于本申请的铁电存储器仅包括一个电容和一个晶体管，因此其面积更小，成本更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112645680A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011563028.8
申请日：2020-12-25
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: C04B28/34 , C04B111/20 , C04B111/28 , C04B111/34
Abstract: 本发明提供了一种种磷酸钙基水泥灌封材料，所述磷酸钙基水泥中均匀分布有纳米聚酰亚胺纤维，其中纳米聚酰亚胺纤维的质量分数为1％‑10％。采用磷酸钙基水泥作为基础封装材料，降低了成本。水泥的成本比现有任何一种体系的成本都低；并且耐高温，上述灌封材料体系能够耐受350℃的高温；并通过加入了纳米聚酰亚胺纤维改善了水泥水化的过程，降低了气孔率。在水泥终凝之后，降低了裂缝形成的可能性的同时，改善了水泥抗水雾和盐雾的能力。
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公开(公告)号：CN112634959A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011382296.X
申请日：2020-11-30
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种深层神经网络权重存储器件及其制备方法、电子装置。所述深层神经网络权重存储器件，包括：多条延第一方向设置的第一输入线、多条延第一方向设置的第二输入线和多条延第二方向设置的输出线，以及位于所述第一输入线、所述第二输入线和所述输出线交叉的节点处的数个权重单元，每一所述权重单元均包括：第一晶体管、第二晶体管和存储元件；所述第一晶体管的第一源极与所述第一输入线连接，所述第二晶体管的第二源极与所述第二输入线连接，所述第一晶体管的第一漏极、所述第二晶体管的第二漏极与所述存储元件的第一端连接，所述存储元件的第二端与所述输出线连接。所述神经网络权重存储器件的准确性极大提高。
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公开(公告)号：CN112584557A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011204496.6
申请日：2020-11-02
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于物联网的终端设备及网络设备，包括：传感器,用于采集所述终端设备的工作参数,生成传感器数据；第一处理组件,与所述传感器连接，用于接收所述传感器数据；第一通信组件,与所述第一处理组件连接,用于基于所述第一处理组件的第一指令将所述传感器数据发送至服务器；其中，所述第二通信组件与所述服务器之间包括多种通信方式。根据本发明，简化了传感器数据的联网过程，实现了将传感器数据快速稳定地传输至网络端，节省了终端设备对接不同的网络协议所占用的网络资源，也避免了终端设备的重复开发不同的网络协议的过程，解决了传感器数据难以联网的问题。
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公开(公告)号：CN112466358A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011371252.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁性隧道结存储器，包括：纵向堆叠对顶设置的写控制晶体管和读控制晶体管，所述写控制晶体管与读控制晶体管的源极相背设置；所述写控制晶体管的漏极通过一磁性隧道结的第一端电学连接；所述读控制晶体管的漏极通过位线与所述磁性隧道结的第二端电学连接。
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公开(公告)号：CN112420625A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011184729.0
申请日：2020-10-29
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片贴放封装结构及方法，芯片贴放封装结构包括：基板；芯片，其下表面通过粘接胶粘贴于所述基板的上表面；粘接胶固定层，其由所述粘接胶固化形成；高度控制层结构，其形成于所述基板的上表面或所述芯片的下表面；键合引线，其电性连接所述芯片和所述基板。本发明通过在基板和芯片之间设置高度控制层结构，使得粘接胶固定层的厚度保持均匀。同时高度控制层的引入增加了芯片垂直方向的封装结构强度，确保在引入较厚的粘接胶固定层降低平面方向基板对芯片施加的热应力的同时，使得芯片在垂直方向不易移动，防止后续芯片超声波引线键合等工艺的良率下降。
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