公开(公告)号：CN110085686A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910372065.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 魏青竹 ,  姚悦 ,  苗凤秀 ,  霍亭亭 ,  胡党平 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双面太阳能电池，在氮化硅膜层背向太阳能电池基板一侧表面设置有离子传导膜层，该离子传导膜层的电阻率需要小于氮化硅膜层的电阻率，而背面玻璃具体贴合于离子传导膜层表面。由于离子传导膜层的电阻率小于氮化硅膜层的电阻率，且离子传导膜层会与背面电极相接触，使得当背面玻璃中的正离子转移至离子传导膜层时，会通过背面电极传导出双面太阳能电池，而不会逐步转移至氧化铝膜层与氧化铝膜层中固定的负电荷发生中和而影响氧化铝膜层的钝化效果，使得双面太阳能电池具有足够的可靠性。本发明还提供了一种双面太阳能电池的制备方法，所制备而成的双面太阳能电池同样具有上述有益效果。

公开(公告)号：CN110071183A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910389165.5

申请日：2019-05-10

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 姚悦 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  苗凤秀 ,  胡党平 ,  连维飞

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，在衬底的受光侧表面设置有纳米柱阵列，该纳米柱阵列中的纳米柱的轴线垂直于衬底受光侧表面，使得入射光中的掠入射光以及贴柱入射光可以在纳米柱阵列中发生多次反射而被太阳能电池吸收，而只有角度与衬底表面大体垂直的直入射光和斜入射光可以传播至衬底的背光侧。在衬底的背光侧表面设置有对应纳米柱阵列的金字塔状阵列，该金字塔状阵列包括金字塔状凸起，使得上述直入射光和斜入射光可以在金字塔状凸起处反射回衬底，从而被太阳能电池吸收，从而有效增加太阳能电池对光线的吸收，进而增加太阳能电池的发电量。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池同样具有上述有益效果。

公开(公告)号：CN110021673A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910313303.1

申请日：2019-04-18

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 胡党平 ,  张树德 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  苗凤秀 ,  姚悦 ,  王金艺

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了一种双面太阳能电池，包括P型衬底层；位于P型衬底层第一表面的第一掺杂层，第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；位于第一掺杂层上表面的第一钝化层；位于第一钝化层上表面的第一电极，且第一电极与第一重掺杂区接触；位于P型衬底层第二表面的第二掺杂层，第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；位于第二掺杂层下表面的第二钝化层；位于第二钝化层下表面的第二电极；其中，第一表面与第二表面相对。本申请中的双面太阳能电池，在电池的第一表面和第二表面均采用选择性发射极技术，使光电转换效率得到进一步提升。此外，本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。

公开(公告)号：CN109786475A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811606697.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 霍亭亭 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  胡党平

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光伏行业太阳能电池领域，具体涉及一种P型单晶硅电池正面镀膜结构及其制备方法，包括制绒、扩散、刻蚀、正面沉积SiO2层、背面镀膜、正面掩膜、正面沉积掺P多晶硅(n-Si)、正面去除掩膜、正面沉积SiNx层、丝网印刷和金属化步骤，制成的P型单晶硅电池正面镀膜结构，在正面电极图形处多了一层的掺P多晶硅，该掺杂多晶硅层结合薄氧化层能对电池正面起到很好的遂穿效应，防止电池中的少子(空穴)向正表面迁移，且正面金属电极是与掺杂多晶硅层接触，避免了金属电极和硅基片直接接触导致的表面复合高的问题，提高电池Voc和Isc，从而有效地提高了电池转化效率。

公开(公告)号：CN109755329A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811507336.1

申请日：2018-12-11

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 魏青竹 ,  苗凤秀 ,  王金艺 ,  连维飞 ,  胡党平 ,  李怡洁 ,  倪志春

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池背面结构的制备方法，避免在背面钝化膜上激光开槽，降低电池生产成本且提高电池背面的受光面积。一种太阳能电池背面结构的制备方法，依次包括制绒步骤、扩散步骤、刻蚀及背面抛光步骤、背面钝化膜制作步骤及正面减反射膜制作步骤；所述制备方法还包括依次位于所述正面减反射膜制作步骤之后的背面电极印刷烘干步骤、背电场印刷烧结步骤以及正电极印刷烧结步骤，其中所述背电场印刷烘干步骤具体包括：在背面钝化膜上印刷铝浆然后在750~810℃下烧结形成穿透所述背面钝化膜并与硅基体接触的铝栅线，铝浆印刷宽度为20-60微米，所述铝浆中玻璃粉的含量为2.1~3.0%。

公开(公告)号：CN109728105A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811621288.9

申请日：2018-12-28

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 霍亭亭 ,  魏青竹 ,  张树德 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  胡党平

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种P型单晶硅电池背面，包括：刻蚀完成后的硅片和金属层，所述刻蚀完成后的硅片和所述金属层之间设有氧化物层，所述氧化物层与所述金属层之间设有掺B多晶硅层；PERC电池背表面镀膜后，不需要额外增加激光开孔工艺，就可以实现带有镀膜层的硅与金属电极的接触；既能提升电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF)，又能节省工艺步骤；将隧穿氧钝化接触技术替代PERC电池背面钝化技术，不增加额外的设备，并减少工艺步骤，简单易行，利于量产化的实现。

公开(公告)号：CN107947737B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201711161243.3

申请日：2017-11-20

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 汪燕玲 ,  魏青竹 ,  陆俊宇 ,  连维飞 ,  倪志春 ,  蒋飞飞

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/067 ,  G01R1/073 ,  H02S50/10

Abstract: 本发明公开一种用于多主栅太阳能电池的测试装置，包括：多个探针排板，其通过测试线与测试机连接，在每排探针排板上设有一根或多根沿其长度方向设置的探针，探针用于与太阳能电池主栅上的焊点接触；还包括：间距调节组件，其用于调节相邻探针排板之间的间距。本发明一种用于多主栅太阳能电池的测试装置结构简单，通过间距调节组件来调节相邻探针排板之间的间距，适用于不同设计的太阳能电池，适用范围更广。

公开(公告)号：CN109461783A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811604862.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  南京航空航天大学

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  钱洪强 ,  连维飞 ,  胡党平 ,  王泽辉

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/047 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双面晶硅太阳能电池，所述双面晶硅太阳能电池由第一迎光面至第二迎光面依次包括第一电极、P型半导体层、N型基体、介质层及第二电极；所述介质层为带高固定负电荷的介质层；所述介质层在所述N型基体与所述介质层接触的表面感应形成P型反型层；所述介质层具有与所述第二电极相配合的图案，使所述第二电极可直接与所述N型基体接触。本发明会在N型基体的第二迎光面表面附近形成浮动结，抑制了第二迎光面的表面复合，增大了双面晶硅太阳能电池的光电转换效率，同时，上述介质层可由简单的沉积工艺设置，相较于现有技术，成本低廉，工艺简单。本发明还同时提供了一种具有上述有益效果的双面晶硅太阳能电池的制作方法。

公开(公告)号：CN109449221A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811629271.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  苏州大学 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  丁可 ,  钱洪强 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  揭建胜 ,  张晓宏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶硅太阳电池，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本发明相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。

公开(公告)号：CN109372167A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811527123.5

申请日：2018-12-13

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  杨松旺 ,  钱洪强 ,  邵君 ,  连维飞

IPC: E04B2/88 ,  E04B2/92 ,  E04D13/18 ,  H02S20/26

Abstract: 本发明公开了一种用于光伏幕墙的光伏组件，包括晶硅光伏组件、及染料敏化光伏组件，其中：晶硅光伏组件的受光面位于光伏幕墙的外侧，晶硅光伏组件的背面与染料敏化光伏组件的背面整合在一起，染料敏化光伏组件的受光面位于光伏幕墙的里侧。本申请所公开的上述技术方案，将晶硅光伏组件的背面与染料敏化光伏组件的背面整合在一起，以构成用于光伏幕墙的光伏组件，并使晶硅光伏组件的受光面朝向光伏幕墙的外侧，且使染料敏化光伏组件的受光面朝向光伏幕墙的里侧，由于染料敏化光伏组件的弱光响应比较好，其在室内光照条件下的光电转换效率可达20％以上，因此，上述用于光伏幕墙的光伏组件可以提高对室内光线的利用率，从而提高光伏幕墙的发电量。