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公开(公告)号：CN204795028U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520477574.8
申请日：2015-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B1/7176 , H04B1/7163 , H04B1/40
Abstract: 本实用新型公开一种CMOS全数字频率可调脉冲无线电超宽带发射机，由OOK调制电路、延时网络、脉冲序列产生网络和天线组成；OOK调制电路将输入数字信号DATA和时钟信号CLK进行处理，产生满足OOK调制要求的数字信号；延时网络采用反相器延时的特点，利用输入与输出信号的延时间隔作为后继脉冲序列产生网络的输入信号，在这延时间隔时间段内，生成等时间宽度的单脉冲单元；脉冲序列产生网络的每一级单脉冲信号产生电路产生一个单脉冲信号，所有单脉冲信号产生电路产生的脉冲信号组合成一个脉冲序列，该整脉冲序列作为输出信号输出经由天线发出。本实用新型的脉冲频率可调且工作带宽满足UWB协议要求。
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公开(公告)号：CN220629323U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202321721610.1
申请日：2023-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本实用新型提供一种高阶连续时间混合架构Sigma‑Delta调制器，积分单元包含了一个单放大器双二阶积分器、一个无源积分器和一个有源积分器，与传统高阶Sigma‑Delta调制器相比，该混合架构调制器只使用了两个运算放大器，极大降低了功耗。通过在最后一个有源积分器前加入无源网络，降低带外高频信号噪声的同时为环路提供了一条局部前馈路径，从而减少了一个反馈DAC的使用。本实用新型提供的高阶连续时间混合架构Sigma‑Delta调制器，可应用于声学传感器、超声波传感器等宽带领域，同时集成校准技术，实现更高的信噪比和更宽的动态范围。
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公开(公告)号：CN220173112U
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202321639100.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种带阈值补偿的高效CMOS整流电路，该整流电路由两个整流开关MOS管、两个电容、比较器、偏置产生电路、开关控制电路、衬底偏置动态调节电路构成。通过比较器和开关控制电路来决定整流开关MOS管的偏置电压，整流开关MOS管导通时，提供额外的偏置电压来降低开关MOS管的开启电压，整流开关MOS管关断时，取消开关MOS管的偏置电压，从而减小整流开关MOS管的开启电压和反相电流泄露，提高电压转换效率。采用衬底偏置动态调节电路使整流开关PMOS管的衬底连接到漏极和源极之间的最高电位，防止整流开关PMOS管发生闩锁效应，同时减少衬底漏电流，进一步提高整流效率，相比传统外部偏置整流电路的电压转换效率为70％，本实用新型可获得90％的电压转换效率。
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公开(公告)号：CN216718999U
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202220053873.9
申请日：2022-01-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种低纹波无片外电容数字LDO电路，通过控制模块、三选一选择器、进退位控制模块以及S、M与L三种尺寸MOS管阵列构成三环结构的无片外电容数字LDO，并引入前馈最小LCO维持模块。该数字LDO拥有优秀的带负载能力，较低的输出电压纹波，在几十MHz的时钟频率下就可以实现快速的负载调节，在很大程度上缓解了瞬态响应性能和功耗之间的制约关系；此外，由于三环结构的可以实现多种调节模式的优势，和前馈最小LCO维持模块能减少稳态下循环工作MOS管数目的作用，本专利电路仅需要几pF的片上电容，使得一种三环快速调节结构的低纹波无片外电容数字LDO电路得以实现。
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公开(公告)号：CN209201054U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201920119637.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本实用新型公开一种数字输出两级双精度生物医学电容传感器接口电路，由电容时间转换电路和时间数字转换电路组成。采用两级双精度振荡器产生低精度、高精度两路参考信号，对被测电容进行双精度测量，在提高电容测量精度的同时，减少测量时间；同时，可根据被测电容的大小，对外接的参考电容的电容值和外部控制的可编程分频器的分频倍数进行调整，实现非固定、宽范围、高精度的电容检测；逻辑控制单元结构，使双精度参考信号可在分频后的被测信号的一个周期内完成测量，减少测量时间；电容的变化直接转换为数字编码输出，可减少模数转换单元，方便与后续芯片级联，降低电容测量误差。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209044415U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201822082721.8
申请日：2018-12-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/67
Abstract: 本实用新型公开一种适用于双源能量收集系统的最大功率同步追踪电路，包括上升沿检测器A1-A2，SR锁存器A3，比较器A4-A5，开关控制电路A6，缓冲器A7-A9，功率源P1-P2，最大功率点电压采样电路A10-A11，电容Cin1-Cin2，NMOS管NM1-NM3，电感L1，PMOS管PM1，以及过零比较器A12。本实用新型通过同时对两个输入能量源的最大功率点电压进行追踪，减小了控制电路的功耗，追踪效率最大可以达到99.98％，提高了能量的利用率；自适应延时生成电路，升压电源管理电路能适应具有不同的功率大小的双源输入，在两个能量源的输入功率差距过大时，升压电源管理电路仍能高效的升压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207133682U
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201721091831.X
申请日：2017-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本实用新型公开一种高速宽频带频率电压转换电路，采用检测输入信号进行两次上升沿检测，控制两个开关状态的转换，使得两个开关共同导通时，偏置电流源为电容充电时间仅为输入信号的一个周期，从而实现电路由频率信号到电压信号的快速转换，减少输出建立时间，提高整体电路系统的工作效率和响应速度。此外，本实用新型在简化电路结构的同时，提升了电路对输入信号的处理速度，降低了功耗，未使用电阻，仅使用一个电容，不需要外部施加控制信号，有效地减小了寄生电容效应、由温度变化引起的热噪声影响并减小版图面积，完全与标准CMOS工艺兼容，降低了生产成本。电路仅需要一个输入信号周期，就可以完成从频率到电压的转换，减少输出建立时间，提高整体电路系统的工作效率和响应速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206259962U
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201621416323.X
申请日：2016-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本实用新型公开一种低频增益分段可调的线性均衡器，由1个负载网络和N+1个均衡单元组成；所有N+1个均衡单元中的电路结构相同，其中1个均衡单元为基本粗调均衡单元，其余N个均衡单元为分段细调均衡单元。N+1个均衡单元与负载网络呈串联方式连接，N+1个均衡单元之间呈并联方式连接。本实用新型采用基本粗调均衡单元粗调低频增益，分段细调节均衡单元根据实际信道在不同频段的损耗情况细调对应频段的增益，低频增益可调范围大，并且能减小过补偿或欠补偿，减小系统的误码率；采用负载网络中的电阻直接求和，电路结构简单可靠；负载网络中还包含峰化电感，能够扩展均衡器的工作带宽，提高均衡器的数据率。
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公开(公告)号：CN205792494U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620523513.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本实用新型公开一种正反馈隔离动态锁存比较器，包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流，交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能；CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离，降低踢回噪声的影响；输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位；正反馈由输出整形的输出控制，在比较阶段增大放电电流；CLK和NCLK为两相不交叠时钟，为整个动态锁存比较器提供时序。本实用新型能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度，并使得功耗有所改善。
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公开(公告)号：CN205336242U
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201620053738.9
申请日：2016-01-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 本实用新型公开一种具有失调补偿的动态比较器，该比较器包括动态差分比较电路、基于逐次逼近逻辑的失调电压校正电路和时钟控制电路三个部分组成。基于逐次逼近逻辑的失调电压校正电路相较于传统的校正电路，不需要前置放大器，这样失调电压只由基于逐次逼近逻辑的失调电压校正电路的精度所决定,从而降低了比较器的系统失调电压，并且大大的减少了系统功耗。利用本实用新型可以实现较低的失调电压和功耗。
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