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公开(公告)号：CN103439368A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310421258.4
申请日：2013-09-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于磷酸盐分子筛的湿度传感器及其制备方法，属于湿度传感器技术领域。采用AlPO4-5分子筛作为敏感层，不但应用了其良好的稳定性，还可以有效地利用AlPO4-5分子筛具有较高比表面积的优势。同时本发明采用的工艺简单、制得的器件体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。本发明所述的AlPO4-5分子筛的快速响应恢复湿度传感器，从下至上依次由陶瓷衬底、在陶瓷衬底上采用丝网印刷技术制备的Au金属叉指电极、在叉指电极上采用涂覆技术制备的AlPO4-5敏感层组成；其中AlPO4-5敏感层的厚度为2～4μm，粒径为6～10μm，金属叉指电极的宽度和间距均为0.15～0.20mm，厚度为100～150nm。
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公开(公告)号：CN103227287A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310140724.1
申请日：2013-04-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 基于金属纳米粒子掺杂三端子并联聚合物太阳能电池及其制备方法,属于聚合物太阳能电池技术领域。依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、PSBTBT:PC70BM:NPs活性层、MoO3空穴传输层、Ag阳极、WO3空穴传输层、P3HT:PC70BM:NPs活性层、LiF电子传输层和Al阴极组成，P3HT:PC70BM:NPs活性层的质量比为1：1：0.02～0.05，其中NPs代表Au或Ag纳米粒子。本发明通过将活性层吸收光范围互补的两个子电池组成并联结构，并且在每个子电池的活性层中掺杂金属纳米粒子，利用金属纳米粒子附近的等离子增强效应提高太阳能电池对于太阳光的利用率，从而提高太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN102621714A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210127189.1
申请日：2012-04-27
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，涉及一种基于热光效应驱动的SOI和聚合物混合集成的F-P谐振腔可调谐光滤波器及其制备方法。沿着输入光信号方向依次是输入波导、由硅和聚合物交替组成的第一DBR阵列、聚合物F-P谐振腔、由硅和聚合物交替组成的第二DBR阵列、输出波导组成，且在聚合物F-P谐振腔的上表面设置有加热电极；从输入脊型波导出来的光，依次进入第一DBR阵列、F-P谐振腔和第二DBR阵列；光束在聚合物F-P谐振腔中经过多次反射、干涉，形成稳定输出的光场后，满足微腔谐振条件的特定频率值的光将由输出脊型波导输出。本发明器件可以通过使用不同的聚合物材料实现波长调谐范围的可控性，并且能实现大的调谐范围。
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公开(公告)号：CN101666907B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910067600.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI光波导和F-P腔的静电梳状电极驱动的可调谐光滤波器及其制备方法。利用梳状电极带动两个对称的DBR移动，通过调整F-P腔的等效腔长实现可调谐滤波功能。该结构的可调谐滤波器具有调谐范围宽、调谐精度高、调谐速度快、结构紧凑新颖、便于和其它光学、电学元件集成的优点。采用两个DBR同时移动的对称调谐方式，可以增加波长调谐范围。充分利用(110)硅片的结晶学特征，通过感应耦合等离子体刻蚀工艺和各向异性湿法腐蚀工艺相结合的方法，制作DBR和F-P腔，DBR和F-P的表面为硅晶体的{111}面，使DBR镜面垂直且表面光滑，增加DBR的反射率，提高滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN1731596A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510017007.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P－N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P－N异质结二极管的组装制备方法是：首先采用溶胶－凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后用另一片ITO玻璃以双面胶作为粘合材料和隔垫物覆盖在纳米晶体TiO2薄膜的表面，最后利用毛细作用在纳米晶体TiO2薄膜与ITO玻璃之间注入导电态聚苯胺的溶液，常温下将溶剂挥发掉。本发明采用有机高分子导电材料作为P型半导体材料与N型的纳米晶体TiO2组装制备了具有良好整流特性(2V时，整流比大于160)的异质结二极管，并且其制备方法简单便于掌握。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119907319A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510109226.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/20 , H10F77/169 , H10F71/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgZnO/InGaO异质结光敏感层的高性能光电导型日盲紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。器件从下到上由SiO2/FTO衬底、在FTO表面生长的MgZnO纳米薄膜、在MgZnO纳米薄膜表面生长的InGaO纳米薄膜、在InGaO纳米薄膜表面和FTO表面制备的Ag电极组成，MgZnO纳米薄膜和InGaO纳米薄膜构成异质结光敏感层。本发明制备的光电导型日盲紫外探测器，当处于光照条件下时，复合薄膜协同参与光子吸收，同时光电导型器件具有高增益特性，使得器件具有突出的光电流，并在日盲区(260nm)处达到光响应度峰值，为高性能日盲紫外探测器的制备提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN114824119B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210623748.1
申请日：2022-06-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于三元官能团协同增强界面钝化的钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于钙钛矿发光二极管技术领域。从下至上依次由ITO导电玻璃衬底、氧化锌纳米粒子电子传输层、乙氧基聚乙烯亚胺电子修饰层、钙钛矿层、5‑氨基戊酸‑三氟乙酸盐钙钛矿钝化层、聚(9,9‑二辛基芴‑CO‑N‑(4‑丁基苯基)二苯胺)空穴传输层、三氧化钼电极修饰层和Au电极组成。本发明利用5‑氨基戊酸的‑NH3+和三氟乙酸的‑O‑分别钝化FA空位和I空位，5‑氨基戊酸的官能团‑OH能与FA+形成H‑O…H‑N键，抑制FA+的迁移和热挥发，降低缺陷态密度，抑制非辐射复合并且提高载流子传输，进而提高钙钛矿发光二极管的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN111146343B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010044782.4
申请日：2020-01-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二硫化钼/碳量子点界面层以及金纳米粒子包覆碳点修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。依次由ITO导电玻璃衬底、PTAA空穴传输层、CNDs@Au修饰层、钙钛矿活性层、PCBM钝化层、MoS@CNDs界面层、BCP电子传输层、Ag阳极组成。本发明通过简单水热方法合成低成本环保型碳量子点材料，利用二维二硫化钼作为载体，制备二硫化钼运载碳量子(MoS@CNDs)的二维新型材料，碳量子点表面羟基与羧基能够有效结合Ag+，二维二硫化钼也能够有效阻挡Ag+与I‑之间的相互扩散，阻止反应的进一步进行。同时，以CNDs@Au材料作为修饰层，进而进一步提高器件稳定性与光电转换特性。
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公开(公告)号：CN109585660B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811491140.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于有机无机杂化双钝化层的钙钛矿光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述器件由下至上，依次由ITO阳极、PTAA空穴传输层、CH3NH3PbI3钙钛矿有源层、非富勒烯IEICO有机材料层、C60层、BCP阴极缓冲层、Cu阴极组成。CH3NH3PbI3钙钛矿有源层，主要吸收紫外至可见波段部分的光；IEICO有机材料层和C60层形成异质结，利用其对近红外波段的响应钙钛矿互补，进而形成宽带响应的探测器；并且作为双钝化层对CH3NH3PbI3钙钛矿层的缺陷起到了钝化作用，有效的减少钙钛矿层的陷阱密度，从而减少了器件噪声电流，提高了探测性能，展现出了良好的敏感特性。
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公开(公告)号：CN111146343A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010044782.4
申请日：2020-01-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二硫化钼/碳量子点界面层以及金纳米粒子包覆碳点修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。依次由ITO导电玻璃衬底、PTAA空穴传输层、CNDs@Au修饰层、钙钛矿活性层、PCBM钝化层、MoS@CNDs界面层、BCP电子传输层、Ag阳极组成。本发明通过简单水热方法合成低成本环保型碳量子点材料，利用二维二硫化钼作为载体，制备二硫化钼运载碳量子(MoS@CNDs)的二维新型材料，碳量子点表面羟基与羧基能够有效结合Ag+，二维二硫化钼也能够有效阻挡Ag+与I-之间的相互扩散，阻止反应的进一步进行。同时，以CNDs@Au材料作为修饰层，进而进一步提高器件稳定性与光电转换特性。
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