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公开(公告)号：CN208538898U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201821327985.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本实用新型可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208271889U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820473135.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种LED芯片的封装模块，包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本实用新型具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
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公开(公告)号：CN206771046U
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201720553900.8
申请日：2017-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: F21L4/00 , F21V19/00 , H01L33/48 , F21Y115/10
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉型黄绿光LED强光手电筒，包括外壳，在外壳内设有LED光源、基板、散热板、电源模块、开关、电池、电线和配光元件，特征是：LED光源由单一LED芯片组成，LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构黄绿光LED芯片。本实用新型采用LED芯片光源直接出光，避免了荧光粉的使用，提高了灯具亮度，降低了光型控制的难易程度，简化了灯具制作工艺，同时提高灯具模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN203300704U
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201320330460.1
申请日：2013-06-08
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括半导体基板本体，特征是：在半导体基板本体的上表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的上粗糙层，上粗糙层与键合金属进行结合，在半导体基板本体的下表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的下粗糙层，下粗糙层与接触金属进行结合。上粗糙层的厚度≥0.3um，下粗糙层的厚度≥0.3um。这样可以有效提高半导体基板本体与键合金属以及接触金属的结合力，使半导体基板本体与键合金属和接触金属充分结合，牢固不动。本实用新型具有通过表面粗糙化处理形成具有凹凸状的粗糙层、使得半导体基板本体与键合金属以及接触金属都具有良好的结合力、能提高产品的成品率和可靠性的优点。
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