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公开(公告)号：CN109796810A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811618997.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 南京理工大学工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于3D打印含能器件的Al-Pb3O4含能油墨及其制备方法。所述的Al-Pb3O4含能油墨按质量分数计包括微纳米Al-Pb3O417.8％～53.2％，油墨载体0.6％～4.9％，复合有机溶剂体系45.2％～80.4％，先利用超声物理混合法制备微纳米Al-Pb3O4再将微纳米Al-Pb3O4与油墨载体的复合有机溶液混合制备而成。本发明的Al-Pb3O4含能油墨点火感度高，点火能力强，针对3D打印微装药不同精度要求，可通过调控油墨载体含量和复合有机溶剂用量来调节含能油墨粘度，实现不同精度的3D打印含能器件的微装药。
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公开(公告)号：CN109579644A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811290612.3
申请日：2018-10-31
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42C21/00
CPC classification number: F42C21/00
Abstract: 本发明公开了一种可连续调节的间隙点火测试装置，包括测试结构具体为设置于外壳内的点火器、被点药剂、内套筒以及设置在外壳顶部用于固定内套筒与外壳的固定螺母，所述的被点药剂设置在内套筒；其中，点火器放置于外壳底部，内套筒的底部端面紧贴点火器的顶部端面，且内套筒中压装被点药剂，被点药剂下表面与内套筒底部端面的距离为间隙点火的距离h；该装置还包括用于调整被点药剂在内套筒间隙点火的距离h的的压药模具。本发明的测试装置通过螺纹旋转控制间隙点火的距离大小，此间隙可连续调节，精度较高，模具的耐压性好。
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公开(公告)号：CN107702602A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710751257.4
申请日：2017-08-28
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42C21/00
CPC classification number: F42C21/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS火工品换能元点火能力测试装置，包括换能元、点火药、固定连接的外壳、换能元封装器件、内套筒。换能元封装器件放置于外壳底部，内套筒的底部端面紧贴换能元封装器件的顶部端面，内套筒中压装点火药，通过控制点火药下表面与内套筒底部端面的距离改变间隙点火距离。本发明通过调节定位柱精确控制点火间隙，结构简单、操作简便；利用点火间隙的大小间接表征MEMS火工品换能元点火能力的大小，半量化了MEMS火工品换能元的点火能力，是考量MEMS火工品换能元性能的又一重要参考。
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公开(公告)号：CN106749163A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611270889.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: C07D323/00 , C07F5/02 , C09K11/06
CPC classification number: C07D323/00 , C07F5/022 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1055 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088
Abstract: 本发明公开了一种自组装超分子材料、制备方法及其应用。本发明以氟硼二吡咯作为母体，对其化学结构进行修饰得到了一种具有亚胺结构氟硼二吡咯衍生物，再以二苯并24冠8和四苯乙烯为原料合成了四苯乙烯双冠醚。以氟硼二吡咯衍生物作为客体分子，四苯乙烯双冠醚作为主体分子，在四氢呋喃和水的混合溶剂当中，主体分子和客体分子能够进行识别作用，进而发生自组装过程，得到的自组装超分子材料通过荧光性能研究，发现其存在荧光共振能量转移现象，这为光学材料的研发打下良好的基础。
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公开(公告)号：CN104976925A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510309799.7
申请日：2015-06-08
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含能半导体桥及其制备方法。该含能导体桥包括半导体桥基底以及该半导体桥基底上制备的3DOM金属氧化物纳米铝热剂薄膜，制备步骤为：制备PS微球乳液；制备金属氧化物前驱液；在半导体桥基底上滴加PS微球乳液并进行干燥，PS微球自然沉积形成胶晶模板；在胶晶模板上滴加金属氧化物前驱液，该前驱液渗透入胶晶模板中，然后进行干燥得到PS微球/前驱液复合薄膜；将PS微球/前驱液复合薄膜放入马弗炉中煅烧除去PS胶晶模板，生成3DOM金属氧化物骨架；采用磁控溅射对半导体桥基底上的3DOM金属氧化物骨架进行镀铝，得到载有3DOM金属氧化物纳米铝热剂薄膜的半导体桥。本发明的制备条件温和，制备的含能半导体桥具有高发火量、长发火时间的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851977A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510174922.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0003
Abstract: 本发明公开了一种有机含能芯片及其采用硅片为衬底制备的方法。包括以下步骤：将待反应硅片置于去除氧气后的R1盐溶液中搅拌加热，得到R1/Si含能芯片；将步骤1中得到的含能芯片清洗后加入到DMF中，加入K2CO3搅拌形成酚盐，再加入二溴乙烷，搅拌加热，得到二溴乙烷/R1/Si含能芯片；将步骤2得到的含能芯片依次重复步骤1和步骤2，反复(n-1)次；将R2含能化合物溶解于DMF中，加入K2CO3，室温搅拌反应，形成相应盐溶液；将步骤3中的含能芯片加入步骤4中，搅拌加热，得到Si~R2的（n+1）层含能芯片。本发明是一种操作简单的湿化学方法，在温和条件下可制备具有高发火量、长发火时间的有机含能薄膜材料。
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公开(公告)号：CN103862123A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410086103.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: B23K1/005
CPC classification number: B23K1/0056 , B23K1/0012 , B23K2101/14 , B23K2103/18
Abstract: 本发明涉及太阳能集热板芯吸热铝板和导热铜管的激光焊接方法。采用同步送粉技术将焊料添加到吸热铝板和导热铜管形成的楔形区域，激光光斑聚焦在填充焊料上，加热熔化的填充焊料填充楔形区域，润湿两侧母材并与母材相互扩散形成铝铜钎焊接头。该焊接方法，对激光光斑的位置精度要求大幅降低，大幅度提高产品合格率。另外，避免了激光直接作用在铜或铝等高反材料表面，有效降低了反射激光对激光焊接头内部光学元件的损伤，同时激光与填充粉末的相互作用显著提高了激光利用率。当在导热铜管的两侧对称布置一对激光焊接头，同步进行焊接时，可以显著提高焊接效率，降低加工成本。本发明属于激光加工领域。
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公开(公告)号：CN202974055U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220618921.0
申请日：2012-11-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本实用新型公开了一种电火工品用半导体桥换能芯片，包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形，本实用新型因为只需要在将半导体桥的桥区两端设计为圆弧形状桥区，使其在电磁场的环境中场强密度均匀，不易出现场强在局部集中密度增强的问题，同时两端圆弧形状的桥区还保留了火工品的发火临界能量低的需求，结构特别简单不需要增加成本；容易同步实现发火临界能量低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。
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公开(公告)号：CN209101916U
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201822249921.8
申请日：2018-12-29
Applicant: 南京理工大学工程技术研究院有限公司
IPC: F42B3/13
Abstract: 本实用新型公开了一种电路板直接连接的半导体桥火工品元件，包括电路板、半导体桥芯片(1)，所述电路板包括电极(4)，所述半导体桥芯片(1)与所述电极(4)之间通过锡焊(3)实现电连接。本实用新型将半导体桥芯片之间使用半导体桥实现连接，改变了传统的导线的连接方式，不会产生电磁损伤和由于导线的机械强度差断路的问题。
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公开(公告)号：CN209055019U
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201822249904.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 南京理工大学工程技术研究院有限公司
IPC: F42C19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种多层电路板组合的半导体桥火工品装置，其特征在于，包括圆环形上电极(1)、中间层(2)和下电极(3)，所述中间层(2)位于上电极(1)和下电极(3)之间，所述中间层(2)包括中间层上部第一电极(7)、中间层上部第二电极(8)、中间层下部电极(9)、半导体桥芯片(4)、电连接孔(6)，所述中间层上部第一电极(7)与上电极(1)电连接，所述半导体桥芯片(4)位于中间层上部第一电极(7)和中间层上部第二电极(8)之间并实现二者的电连接，中间层上部第二电极(8)通过电连接孔(6)与中间层下部电极(9)连接，中间层下部电极(9)与下电极(3)电连接。
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