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公开(公告)号：CN110364210B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910664971.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND‑NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明的双轨预充电AND‑NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。
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公开(公告)号：CN111767586A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010519130.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F21/72
Abstract: 本发明提供一种内置硬件密码学算法协处理器的微处理器，属于安全芯片设计领域。所述微处理器包括：主处理器，配置有第一协处理器接口；协处理器，包括第二协处理器接口及密码学算法硬件引擎；所述主处理器与所述协处理器之间通过所述第一协处理器接口和所述第二协处理器接口进行通信。本发明通过第一协处理器接口与第二协处理器接口直接通信实现主处理器与协处理器之间的安全通信，主处理与协处理器之间的通信不经过安全芯片的系统总线，而是在安全芯片的微处理器内部实现密码学算法安全性，降低安全芯片的设计难度。
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公开(公告)号：CN111767584A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010517006.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种内置随机数发生器的安全微处理器，属于芯片设计领域。本发明的微处理器应用于安全芯片中，所述安全芯片中配置有用于产生随机数种子的真随机数发生器，所述微处理器包括：安全控制模块，用于对所述微处理器的侧信道攻击进行防护；伪随机数发生器，用于根据所述真随机数发生器产生的随机数种子生成所述安全控制模块所需的随机控制信号。本发明内置伪随机数发生器和安全控制模块，微处理器自身具有对抗侧信道攻击的能力。在进行安全芯片设计时，直接调用微处理器就可以实现微处理器和安全芯片的对抗侧信道攻击功能，降低安全芯片设计的难度，为芯片安全功能的成功率提供保障。
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公开(公告)号：CN108762359B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandgap模块工作在主电源电压下，第二Bandgap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandgap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandgap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
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公开(公告)号：CN106571924B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610922043.4
申请日：2016-10-21
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网新疆电力公司检修公司 , 国网辽宁省电力有限公司
IPC: H04L9/32
Abstract: 本发明公开了一种物理不可克隆函数电路，包括：n个级联的数据延迟电路、n个时钟延迟电路和仲裁器；数据延迟电路的控制端用于接收随机控制信号；数据延迟电路的第一输出端和第二输出端分别与下级数据延迟电路的第一输入端和第二输入端相连；n个数据延迟电路的数据端依次分别与n个时钟延迟电路的输入端相连；时钟延迟电路的输出端与仲裁器相连，时钟延迟电路的时终端接收时钟信号；仲裁器用于根据n个时钟延迟电路输出的信号确定输出数据。该电路可以同时引入数据延迟偏差和时钟延迟偏差，增加了数学建模的难度，从而增加PUF电路的安全性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108762359A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201711483345.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandbap模块、第二bandbap模块以及切换电路；其中，第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供LDO输出电压；第一Bandbap模块工作在主电源电压下，第二bandbap模块是工作在LDO输出电压VDD下的基准源，切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及电平转换电路，切换电路能够将上电启动时由第一Bandbap模块输出第一参考电压的模式切换为上电启动完成后由第二Bandbap模块输出第二参考电压的模式。本发明的超低功耗电源结构的结构简单、鲁棒性好，从结构上优化了PSRR性能，并且显著降低了系统的功耗，实现了低功耗目标值。
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公开(公告)号：CN108761236A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810522093.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/003
Abstract: 本发明公开了一种RFID标签在高低温条件下的性能测试系统和测试方法。所述性能测试系统包括：热流罩高低温装置，用于对空气进行加热或制冷；热传导装置，通过第一导管与所述热流罩高低温系统相连接，将所述热流罩高低温系统产生的冷热空气进行传输；以及隔热装置，通过第二导管与所述热传导装置相连接，该隔热装置用于容纳所述RFID标签以对其进行高温或低温性能测试。根据本发明的实施方式的RFID标签在高低温条件下的性能测试系统，可以有效评测高低温环境对RFID标签性能的影响，对生产实践有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN108259040A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810153781.6
申请日：2018-02-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法。该方法包括以下步骤：提供一种全差分SAR‑ADC，其包括多个电容，所述多个电容包括第一电容和第二电容，且所述多个电容的电压二阶系数值包括正数和负数；将满足特定条件的第一电容和第二电容进行并联从而使并联后的电容的电压二阶系数为0，所述特定条件为A1K1+A2K2＝0，其中A1为第一电容的电压二阶系数，A2为第二电容的电压二阶系数，K1是第一电容的理想电容值，K2是第二电容的理想电容值。该消除电容电压系数对全差分SAR‑ADC性能影响的方法能够消除或降低电容电压系数对全差分SAR‑ADC的性能影响，降低高精度SAR‑ADC的设计瓶颈。
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公开(公告)号：CN106940523A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710190594.0
申请日：2017-03-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G04R20/00
Abstract: 本发明涉及一种基于低频时码技术的授时装置，包括：信号解调模块和数据处理模块，所述信号解调模块包括磁棒天线、信号调制单元、第一主控单元，所述磁棒天线通过所述信号调制单元与所述第一主控单元相连；所述数据处理模块包括第二主控单元；所述第一主控单元与所述第二主控单元进行通信。本发明实施例公开的一种基于低频时码技术的授时装置，有如下优点：所有终端设备可以进行统一校时，校时信号覆盖范围广泛。无需网络连接和人工干预，每天24小时自动校时。授时精度高，无累计误差。节省RTC相关电路，仅增加可靠的低频时码接收电路，节省了成本。本发明实施例提出的授时装置，解决了智能电网终端因计时不准导致的用户计费不准等问题。
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公开(公告)号：CN120074522A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510071024.4
申请日：2025-01-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电阻单元、放大器、数据采集系统及数据处理方法，属于芯片技术领域。所述电阻单元包括：至少两个具有相同阻值的P型多晶硅电阻和至少两个具有相同阻值的N型多晶硅电阻，所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的数量相等，且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻串联以形成关于中间节点相对称的电阻单元，并且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的阻值能被调整以通过两者之间的场效应互补作用来消除因多晶硅电阻引起的非线性误差。本发明实施例利用多晶硅电阻本身的物理性质，消除多晶硅电阻在电路中引起的非线性误差，可靠性好、通用性广泛。
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