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公开(公告)号：CN100557383C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810101945.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种确定激光打孔硬脆性非金属材料孔剖面形状的方法，特别适用于对硬脆性非金属材料的孔剖面形状进行测量，属于测量方法领域。本发明通过重叠并压紧某种材料的薄片至特定厚度并进行激光打孔，打孔后将重叠薄片的展开，分别测量各个薄板上下表面的孔径并记录各孔径的深度位置，最后采用曲线拟合的方法描绘出孔剖面形状。采用该发明方法避免对硬脆性材料的研磨抛光，简单快速的完成对激光打孔的孔剖面形状的确定，而且所得到的孔剖面形状与一整块相同厚度相同材料的样品进行相同打孔工艺打孔的孔剖面形状一致。
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公开(公告)号：CN101239825A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810102388.0
申请日：2008-03-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种提高Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15陶瓷压电常数的方法属于Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15无铅压电陶瓷的改性领域。本发明方法步骤如下：1)对Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15材料进行配料、混合和预反应；2)将预反应后的粉料压制成圆片状坯体，进行烧结，形成致密的圆片状陶瓷体；3)用连续CO2激光辐照圆片状陶瓷体，CO2激光功率密度为764W/cm2，辐照时间为90秒。本发明提高了Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15陶瓷压电常数，改变了单纯依赖改进预烧和烧结的温度及时间的现状，操作简便，效率高，可重复性强。
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公开(公告)号：CN1199910C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03148245.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/46 , H01B3/12
Abstract: 一种高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源，原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，以190～350w/cm2的低功率密度在30～185s时间内对Ta2O5基陶瓷坯体进行激光辐照预热，激光扫描速率为0～33mm/s；预热结束后，调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850～1405w/cm2，进行烧结，激光扫描速率为0～50mm/s；经过25～95s的烧结后，激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN1176047C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03148244.9
申请日：2003-07-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/46 , H01B3/12
Abstract: 一种采用功率连续调控的激光制备高介电常数Ta2O5基陶瓷的方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta2O5基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm2连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm2，开始烧结；经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta2O5基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
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公开(公告)号：CN201338998Y
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200920105187.6
申请日：2009-01-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/64
Abstract: 本实用新型是一种用于激光辐照功能材料的气氛控制装置，涉及激光加工领域，尤其是针对特定气氛气压及流速下的激光辐照陶瓷材料改性领域。目前，对功能陶瓷进行激光辐照，使其功能改性的过程大多在空气、常压的条件下进行，不能在烧结过程中进行气氛补偿和控制，对于功能陶瓷的性能改善有很大影响，制约了该技术的进一步发展。其特征在于：该气氛控制装置腔体密封，保证气密性；腔体留有用于激光照射的窗口；气瓶、稳压阀、压力表依次串联后通过腔体上设的进气孔连接腔体；腔体上的出气孔连接安全阀，安全阀与阀门和流量计的串联系统并联。本实用新型可以实现对激光辐照区域气体成分及流速的稳定控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203101708U
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201220717839.3
申请日：2012-12-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及一种可调节带密封的激光反射镜装置。其特征在于：包括基座、镜座、反射镜、调节弹簧、调节螺钉、定位销、密封圈、盖板；基座上设有镜座和反射镜，镜座和反射镜通过螺钉锁紧固定为一体；镜座和盖板通过定位销来连接，且有装配间隙；四个调节弹簧、四个调节螺钉以及镜座共同组成了反射镜装置的调节机构，四个调节弹簧分别放置于基座上的槽孔中，并与四个调节弹簧上方的四个调节螺钉共同固定镜座，密封圈固定于盖板内壁的槽沟中。该装置防止因为镜子自身重量问题产生镜体沿基座斜面下滑所导致的可调节范围过小，保证了调节范围。密封圈固定于盖板的槽沟中，并与基座直接接触，依靠弹性变形挤压以防止落尘进入缝隙中，实现了有效密封。
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公开(公告)号：CN201226051Y
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200820108200.9
申请日：2008-05-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于材料双面同步辐照的激光均束装置属于激光光电子应用领域。它由聚光透镜1，方形光波导管2，楔形反射镜3，球面反射镜4，平面反射镜5组成。原始激光束通过聚光透镜1汇聚后经光波导管匀束，被楔形反射镜(由两块带有夹角的平面镜7组成)分割并反射后分别由球面反射镜汇聚，最后由两块平面反射镜使光线方向改变，使两束光同轴反向辐照到样品6的两个表面，达到两面同步辐照。相对于原有的技术来说，均束方法简单，制造工艺成熟，应用较广泛，而且弥补了原有技术不能双面同时辐照的缺陷。
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公开(公告)号：CN216955744U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202121008881.3
申请日：2021-05-12
Applicant: 北京工业大学 , 北京琅东科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于芯片检测的双点激光显微检测装置，属于光学工程/无损检测领域。包括双路激光模组、转接环、光学合路单元、红外CCD、照明光源、显微镜、可调节支架、样品台、旋转台、X‑Y位移台和基座等。双路激光模组由两台激光器组合而成，激光模组通过转接环与光学合路单元链接并固定，模组中的两路激光通过光学合路单元的整形、偏转和合束后进入显微镜；显微镜和光学合路单元通过可调节固定支架组合，红外CCD和照明光源分别与光学合路单元、显微镜连接，以提供所述装置的显微成像和照明功能；该实用新型通过实现双路激光的整形、偏转和调节，可进行芯片等微结构微器件的快速扫描、精确检测。
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公开(公告)号：CN202114395U
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201120213470.8
申请日：2011-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种观察激光切割材料过程中透明熔融层的装置，属于材料加工领域。该装置包括可见光波段指示用激光器、衰减镜、扩束准直系统、光阑、由待切割材料、垫片、透明材料构成的楔状物、扩束镜、光屏、每秒拍摄1000帧以上高速摄像机和同步装置。将楔状物固定在机床上，其他装置固定在平台上，经调试使指示用激光器发射的激光照射到待切割材料切面，在反射光方向透过扩束镜，使用光屏接收干涉条纹，并由同步装置使切割开始时高速摄像机拍摄光屏，记录反应熔融层形成与形貌变化的干涉条纹，实现对激光切割中，透明熔融层的观察。该装置能够直接应用于现有激光切割设备上，能方便进行在线观察切割中的熔融层变化，且装配、拆卸简单。
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公开(公告)号：CN214706568U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202120433540.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型公开了一种激光功率动态监测与闭环矫正装置，其中，电动衰减器包括二分之一波片、电动镜架和偏振分束棱镜，二分之一波片安装于电动镜架上并随电动镜架旋转，二分之一波片设置于激光源输出激光的光路上，偏振分束棱镜设置于二分之一波片输出激光的光路上；激光功率监测器设置于偏振分束棱镜输出的垂直方向偏振光的光路上；激光功率监测器与上位机相连，上位机与控制器相连接，控制器与电动镜架相连接。通过本实用新型的技术方案，实现了对激光功率进行精确、迅速的动态闭环矫正，大大提高了工作效率，且该装置操作方便、结构简单、调整灵活性高、适用范围广。
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