公开(公告)号：CN100534151C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200480034150.9

申请日：2004-11-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石井孝昌 ,  森下正和 ,  望月千织 ,  渡边实 ,  野村庆一

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/32 ,  H01L27/146

Abstract: 按照拍摄方式可从一个灵敏度自由地转换为另一个灵敏度，例如可以进行放射线曝光剂量显著不同因而所需的灵敏度也互不相同的静止图像拍摄和运动图像拍摄，从而满足所述要求。TFT 21的源极或漏极通过信号线14a和IC 5连接到信号输出电路3。TFT 23的源极/漏极通过信号线14b和IC 5连接到信号输出电路3。因而，在每个像素6中，当信号被读出时，可以自由地选择信号线14a和14b中任何之一。

公开(公告)号：CN101375397A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003606.9

申请日：2007-01-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石井孝昌 ,  望月千织 ,  渡边实

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T1/2018 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14663

Abstract: 包括光电转换元件1、电连接到所述光电转换元件的信号传输TFT(薄膜晶体管)2、以及电连接到所述光电转换元件且用于施加偏压到所述光电转换元件的复位TFT 3的像素被二维地设置在绝缘基板上，且通过公共的接触孔9电连接光电转换元件1、信号传输TFT 2和复位TFT 3。从公共的导电层形成所述信号传输TFT 2的源极电极或漏极电极与所述复位TFT 3的源极电极或漏极电极。

公开(公告)号：CN100438052C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480004078.5

申请日：2004-02-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 望月千织 ,  森下正和 ,  渡边实 ,  石井孝昌 ,  野村庆一

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/24 ,  H04N5/32

Abstract: 在包括把辐射转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管的辐射图像摄像设备中，与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被置于薄膜晶体管之上，薄膜晶体管具有顶栅型结构，其中半导体层，栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上，以致薄膜晶体管的沟道部分受栅电极保护，从而能够获得稳定的TFT特性，而不会因为由与来自传感器电极的输出对应的电势的波动导致的后栅极效应，不合需要地导通任何TFT元件，从而极大地提高图像质量。

公开(公告)号：CN101218679A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680025223.7

申请日：2006-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 望月千织 ,  野村庆一 ,  渡边实 ,  石井孝昌

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  G01T1/28 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明的转换设备包括多个像素，所述像素包括开关元件和转换元件。所述像素排列在像素区中，所述像素区包括其中沿行和列方向排列开关元件的开关元件区，和其中沿行和列方向排列转换元件的转换元件区。包括第二金属层的多个配线与列方向的多个开关元件连接。第四金属层的一个以上的偏压配线与一个以上的转换元件连接。在像素区之外的第四金属层的外部信号配线与所述信号配线连接。在像素区之外的第一金属层的外部偏压配线与所述多个偏压配线连接。外部信号配线和外部偏压配线彼此相交。

公开(公告)号：CN1883192A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200480034150.9

申请日：2004-11-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石井孝昌 ,  森下正和 ,  望月千织 ,  渡边实 ,  野村庆一

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/32 ,  H01L27/146

Abstract: 按照拍摄方式可从一个灵敏度自由地转换为另一个灵敏度，例如可以进行放射线曝光剂量显著不同因而所需的灵敏度也互不相同的静止图像拍摄和运动图像拍摄，从而满足所述要求。TFT21的源极或漏极通过信号线14a和IC5连接到信号输出电路3。TFT23的源极/漏极通过信号线14b和IC5连接到信号输出电路3。因而，在每个像素6中，当信号被读出时，可以自由地选择信号线14a和14b中任何之一。

公开(公告)号：CN1254187A

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN99118343.6

申请日：1999-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边实 ,  海部纪之 ,  望月干织

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/48

CPC classification number: G02F1/136204 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/14609

Abstract: 在衬底上有多个薄膜晶体管和矩阵布线的半导体器件中,为了防止屏板制造过程中的静电破坏和提高生产率,通过电阻电连接矩阵布线。