公开(公告)号：CN105453219A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043414.0

申请日：2014-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  增田健良

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02694 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811

Abstract: 一种碳化硅半导体衬底(10)，包括：具有外径不小于100mm的主表面并且由单晶碳化硅制成的基础衬底(1)；形成在主表面(1A)上的外延层(2)；以及形成在基础衬底(1)的与主表面(1A)相反的背侧表面(1B)上的变形抑制层(8)。以此方式，通过变形抑制层(8)最小化衬底的变形(例如在高温处理过程中的翘曲)。这可降低在利用碳化硅半导体衬底(10)执行制造碳化硅半导体器件的方法的制造工艺过程中在碳化硅半导体衬底(10)中发生诸如裂缝的缺陷的风险。

公开(公告)号：CN105190899A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480008388.8

申请日：2014-01-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  日吉透

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 第一漂移层(81a)具有面向第一电极(98)并电连接到第一电极(98)的第一表面(P1)，和与第一表面(P1)相反的第二表面(P2)。第一漂移层(81a)具有杂质浓度NA。缓和区(71)设置在第一漂移层(81a)的第二表面(P2)的一部分中。第一漂移层(81a)和第二漂移层(81b)形成其中掩埋有缓和区(71)的漂移区(81)。第二漂移层(81b)具有杂质浓度NB，满足NB＞NA。体区(82)、源区(83)和第二电极(94)设置在第二漂移层(81b)上。

公开(公告)号：CN102844868B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180018742.1

申请日：2011-07-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  Y10S438/931

Abstract: 提供了用于制造具有稳定特性并且具有高质量的半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅层（2至4）；通过去除碳化硅层（2至4）的一部分，在主表面中形成沟槽（16）；并且通过热蚀刻，去除沟槽（16）的侧壁的一部分。

公开(公告)号：CN104662664A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380048989.7

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山田俊介 ,  日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)，包括元件区(IR)以及保护环区(5)。半导体元件(7)设置在元件区(IR)中。保护环区(5)在平面图中围绕元件区(IR)并且具有第一导电类型。半导体元件(7)包括具有与第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区(12)。保护环区(5)包括线性区(B)以及接续连接至线性区(B)的曲率区(A)。通过将曲率区(A)的内周部(2c)的曲率半径(R)除以所述漂移区(12)的厚度(Tl)获得的值为不小于5且不大于10。因此，可提供能在提高击穿电压的同时抑制导通态电流降低的碳化硅半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN104205339A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017424.2

申请日：2013-04-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  日吉透 ,  增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 在本发明中，碳化硅衬底(100)具有：具有第一导电类型的第一层(121)、设置在第一层(121)上并且具有第二导电类型的第二层(122)、和设置在第二层(122)上并且掺杂有提供第一导电类型的杂质的第三层(123)。碳化硅衬底(100)具有形成为穿过第三层(123)和第二层(122)并延伸到第一层(121)的沟槽(TR)。第一层(121)在离开第一层(121)中沟槽(TR)的位置上具有杂质的浓度峰值。结果，提供了具有很容易形成的电场缓和结构的碳化硅半导体器件。

公开(公告)号：CN102224594B9

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN200980146557.3

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  津守将斗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件(1)包括：衬底(2)，衬底(2)由碳化硅制成并且其相对于{0001}的表面取向的偏离角大于或等50°且小于或等于65°；p型层(4)，所述p型层(4)用作半导体层；和氧化物膜(8)，所述氧化物膜(8)用作绝缘膜。p型层(4)形成在衬底(2)上并且由碳化硅制成。氧化物膜(8)被形成为接触p型层(4)的表面。在所述半导体层和所述绝缘膜之间的界面(沟道区和氧化物膜(8)之间的界面)的10nm内的区域中的氮原子浓度的最大值大于或等于1×1021cm-3。

公开(公告)号：CN103930996A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280054320.4

申请日：2012-10-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: MOSFET(1)设置有：衬底(10)，其包括碳化硅、在其一个主表面(10A)侧开口、具有被形成在其中的具有侧壁表面(19A)的沟槽(19)；栅极绝缘膜(21)，其被形成为与侧壁表面(19A)的顶部接触；以及栅电极(23)，其被形成为与栅极绝缘膜(21)的顶部接触，其中，在位于侧壁表面(19A)上并且一边上的长度为100nm的正方形区域内的表面粗糙度为1.0nm RMS或更小。

公开(公告)号：CN103890952A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051725.2

申请日：2012-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅层（50）包括具有第一导电类型的第一区（51）、提供在第一区上并具有第二导电类型的第二区（52），以及设置在第二区（52）上并具有第一导电类型的第三区（53）。具有内表面的沟槽（TR）形成在碳化硅层（50）中。沟槽（TR）穿过第二和第三区（52，53）。沟槽（TR）的内表面具有第一侧壁（SW1）以及位置比第一侧壁（SW1）更深并具有包括第二区（52）的部分的第二侧壁（SW2）。第一侧壁（SW1）的斜率小于第二侧壁（SW2）的斜率。

公开(公告)号：CN103890921A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051730.3

申请日：2012-10-02

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  Y10S438/931

Abstract: 衬底（1）上形成具有主表面的碳化硅层（19）。形成覆盖碳化硅层（19）的主表面的一部分的掩膜（17）。使用氯基气体，对其上形成了掩膜（17）的碳化硅层（19）的主表面执行热蚀刻，以便为碳化硅层（19）提供具有相对于主表面倾斜的侧表面（SS）。在其中氯基气体的分压不超过50%的气氛下执行其中进行热蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN103718298A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037159.X

申请日：2012-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  Y10S438/931

Abstract: 衬底（1）具备相对于参考面具有5°以下的偏离角的主表面（MS）。参考面在六方晶系的情况下是{000-1}面且在立方晶系的情况下是{111}面。碳化硅层外延形成在衬底的主表面（MS）上。碳化硅层具备沟槽（6），沟槽（6）具有彼此相对的第一和第二侧壁（20a，20b）。第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个都包括沟道区。而且，第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个在六方晶系的情况下基本上都包括{0-33-8}面和{01-1-4}面之一，在立方晶系的情况下基本上包括{100}面。