公开(公告)号：CN110112206A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910417260.1

申请日：2019-05-20

Applicant: 中山大学

Inventor： 卢星 ,  王钢 ,  裴艳丽 ,  陈梓敏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓结型场效应晶体管，涉及半导体器件技术领域。针对现有技术中氧化镓材料的晶体管存在栅极漏电较大或者栅控特性较差的不足，提出本技术方案。在栅极和氧化镓沟道层之间设置一p型氧化物半导体层，形成异质PN结，在有效降低栅极漏电流的同时可保证良好的栅控特性。

公开(公告)号：CN109659411A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811511210.1

申请日：2018-12-11

Applicant: 中山大学

Inventor： 王钢 ,  李泽琦 ,  陈梓敏

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种氧化镓半导体叠层结构。所述氧化镓半导体叠层结构包括图形化蓝宝石衬底和生长在图形化蓝宝石衬底上的氧化镓结晶膜；所述氧化镓为纯ε相或纯α相氧化镓；所述图形化蓝宝石衬底的实际表面和c晶面存在0°-10°的偏离角，所述图形化蓝宝石衬底厚度为400微米至2毫米；所述图形化蓝宝石衬底的图形形状为沟槽形、六边形、三边形、半球形、圆锥形、金字塔形、圆台形、六棱锥、三棱锥或三棱台形中的一种或多种，图形结构高度为100纳米至2微米。本发明解决了异质衬底上生长ε相或α相氧化镓过程中易产生混相的问题，能够在异质衬底上获得纯ε相氧化镓或纯α相氧化镓。

公开(公告)号：CN109580736A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811333777.4

申请日：2018-11-09

Applicant: 中山大学

Inventor： 裴艳丽 ,  蔡广烁 ,  杨彭 ,  王钢

IPC: G01N27/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: G01N27/302 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体传感器件技术领域，更具体地，涉及一种基于双栅结构氧化物薄膜晶体管的传感器件及其制备方法；包括重掺硅底电极；覆盖在重掺硅底电极上方的底栅介质层；与底栅介质层连接的金属氧化物半导体有源层；源/漏电极经光刻剥离后，与有源层重叠；源漏电极绝缘保护层覆盖在器件的整个表面，露出电极引线部分和有源层部分；覆盖于有源层和绝缘保护层之上的电解质顶栅介质层；与电解质接触的顶栅电极位于电解质顶栅介质层正上方。本发明提供的传感器结构简单、工作电压低、pH响应度高。

公开(公告)号：CN109473531A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811277859.1

申请日：2018-10-30

Applicant: 中山大学

Inventor： 裴艳丽 ,  费泽元 ,  李健 ,  王钢

IPC: H01L33/48

Abstract: 本发明提供了一种新型的自动化工艺线中固定晶片的金属料盘，包括盘体，所述盘体上设置料盘放料位标识直边，所述料盘放料位标识直边用以拟合直线确定放料位旋转角度，所述盘体上设置晶片固定卡槽，所述晶片固定卡槽用以其与晶片形成高低落差并支撑晶片所述盘体设置金属料盘孔位台面，所述金属料盘孔位台面用以承载并提升金属料盘孔位高度，所述金属料盘孔位台面上设置金属料盘孔位，所述金属料盘孔位以其轮廓位置辅助定位所述金属料盘，所述盘体设置料盘固定卡槽，用以提供特殊定位点并辅助固定盘体，本发明的技术方案用以解决现有技术中的料盘晶片放置不稳定，易偏移，并且不能通过自动化的设备准确定位，不能实现工业自动化需要的缺陷。

公开(公告)号：CN107478977A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710571427.0

申请日：2017-07-13

Applicant: 中山大学

Inventor： 强蕾 ,  裴艳丽 ,  王钢

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，属于半导体器件技术领域。一种氧化物半导体薄膜晶体管陷阱态密度提取方法，其中包括半导体和栅绝缘层界面陷阱态的提取以及半导体体内陷阱态的提取。本发明主要包括以下步骤：1）给氧化物半导体薄膜晶体管施加不同时长的正向偏压应力，测试相应的转移特性曲线；2）基于转移特性的变化规律，分析阈值电压漂移机制，确定阈值电压漂移随时间的变化关系式；3）如果阈值电压漂移与所加应力时间满足扩展指数模型，提取半导体体内陷阱态的特征温度；4）利用亚阈值摆幅和陷阱态的关系，提取半导体和栅绝缘层界面态密度以及半导体体内陷阱态密度。本发明提供的陷阱态密度提取方法能同时提取薄膜晶体管界面陷阱态及体内陷阱态，计算过程较已有的方法更简单，限制条件少，适用范围广。

公开(公告)号：CN103227255B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201310126702.X

申请日：2013-04-12

Applicant: 中山大学

Inventor： 刘立林 ,  王钢 ,  谈锡钊

IPC: H01L33/06

Abstract: 本发明涉及绿色照明技术，公开了一种生成白光的方法，采用紫外光源激发至少两类ZnO基量子点，辐射出至少一种峰值波长在470～500nm范围内的光和至少一种峰值波长在550～760nm范围内的光，混合这些辐射的光生成白光。本发明所生成的白光为具有较高显示指数的连续宽谱白光；白光色温宽范围可调；避免了光色畸变现象，白光光色稳定，色坐标和色域易于调控。所生成的白光的色坐标落在包围着黑体轨迹的一个半月牙状的白光光色区间内，该区间囊括了几乎所有的白光光色。另外，紫外光被完全消耗，转换成波长大于470nm的长波长的光，有助于减轻蓝光危害。

公开(公告)号：CN106116172A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610494638.4

申请日：2016-06-27

Applicant: 中山大学

Inventor： 裴艳丽 ,  王钢 ,  林家勇

IPC: C03C17/245

CPC classification number: C03C17/245

Abstract: 本发明涉及薄膜制备的技术领域，更具体地，涉及一种钢化玻璃耐磨氧化铝镀膜层及其制备方法。一种钢化玻璃耐磨氧化铝镀膜层，其中，包括钢化玻璃衬底、设于钢化玻璃衬底上的氧化铝薄膜。本发明1)使用ALD沉积技术在钢化玻璃衬底上制备氧化铝薄膜，薄膜均匀性好，重复性高、可控性高；2)本发明制备的氧化铝薄膜具有高致密性，增强钢化玻璃表面的硬度，提高钢化玻璃的耐刮划、耐磨特性，同时具有较高的透过率；有望应用于手机面板等移动终端。

公开(公告)号：CN105914200A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610263299.9

申请日：2016-04-26

Applicant: 中山大学

Inventor： 滕东东 ,  王钢 ,  刘立林 ,  杨浩 ,  吴明洋

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/156 ,  G09G3/32 ,  H01L23/52 ,  H01L33/387

Abstract: 本发明公开了一种可扩展型无源寻址LED微显示器件的结构和制备技术方案，所述的LED微显示器件包括LED微型像素阵列和无源寻址型硅基驱动基板。在LED阵列中实现行LED像素点的n电极互连，在硅基基板上实现列LED像素点的P电极互连。然后通过倒装焊接的方式实现LED阵列和硅基基板的键合。另外，通过在LED像素点的透明电极上涂覆全波段可见光二次辐射材料，使用红绿蓝对位分布式像素点滤色片覆盖，或使用单色二次辐射材料对位分布式涂覆；通过行列扫描寻址供电微LED像素点，获得蓝紫光辐射，激发二次辐射材料，获得全波段可见光，通过滤色片获得三原色，或者通过直接激发单色二次辐射材料获得，从而达到微显示的目的。这种方法制备出的微显示器件能够达到微型、低压低电流驱动、彩色显示、寿命长等优点。

公开(公告)号：CN105420691A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510811448.6

申请日：2015-11-19

Applicant: 广州市威时强光电科技发展有限公司 ,  佛山市中山大学研究院

Inventor： 王钢 ,  李健 ,  范冰丰 ,  蔡健栋 ,  徐晨

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供的MOCVD设备喷淋头包括MO源通道、保护气体通道、氧源通道、观察通道、以及反应腔，MO源气体、保护气体分别通过MO源通道、保护气体通道直达反应腔内部，氧源气体通过缓冲腔分散后再通过氧源通道到达反应腔，保护气体通道设置于MO源通道和氧源通道之间，保护气体在反应腔内形成气壁，从而分隔开MO源气体以及氧源气体在反应腔内到达旋转基座前的预混合，从而提高MOCVD设备生长薄膜的质量。本发明提供的MOCVD设备喷淋头可通过控制保护气体流量来控制气壁的厚度以及长短，通过设计观察通道、MO源通道、保护气体通道及氧源通道的设计可以准确控制生长薄膜的质量，得到高质量的薄膜。

公开(公告)号：CN104319328A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410543185.0

申请日：2014-10-14

Applicant: 中山大学

Inventor： 王钢 ,  陈义廷 ,  范冰丰 ,  招瑜

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008

Abstract: 本发明公开了一种GaN基LED芯片表面粗化的方法，包括：1)在半导体衬底上依次成长GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层；当只需在AZO电流扩展层上制作粗化结构时，在p-GaN层上生长AZO电流扩展层；2)制备Ag纳米颗粒掩膜，在AZO电流扩展层或p-GaN层上制作粗化结构。其中，在p-GaN上制作粗化结构后，再对具有粗化结构的P-GaN层进行二次外延，生长AZO电流扩展层。所述制备方法成本低，可以制作大面积光子晶体结构，同时适用范围广，可在不同半导体材料上实现，并使之形成光子晶体结构；此外，本发明制备的阳极氧化铝掩膜的周期可控，且光子晶体结构容易实现。