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公开(公告)号：CN119431462A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411011104.2
申请日：2024-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，其中Y1为O、S、或Se；Z1和Z2各自独立地为‑Si(Q1)(Q2)(Q3)或‑Ge(Q1)(Q2)(Q3)；a1和a2各自独立地为0‑10的整数；a1与a2之和为1或更大；*和*'各自表示与M1的结合位点；并且式1A和1B中的剩余基团和各变量的描述如本文中所提供的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A#imgabs0#式1B#imgabs1#
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公开(公告)号：CN111269267B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201911163447.X
申请日：2019-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M为过渡金属，L1为由式2A表示的配体，L2为由式2B表示的配体，n1为1或2，其中，当n1为2时，两个基团L1彼此相同或不同，n2为1或2，其中，当n2为2时，两个基团L2彼此相同或不同，n1与n2之和为2或3，且L1和L2彼此不同。在式2A和式2B中，X1、环CY1、环CY2、环CY14、R1‑R3、R11‑R14、Z1‑Z3、a1、a2、a3、b1、和c1与说明书中描述的相同，且式2A和2B中的*和*'各自表示与式1中的M的结合位点。式1M(L1)n1(L2)n2#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111825721B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202010302656.4
申请日：2020-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F15/00 , C09K11/06 , G01N33/00 , H10K50/11 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/18 , H10K50/10 , H10K85/30 , H10K85/40
Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1、和n2各自独立地与本文中描述的相同。式1M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN118547287A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410201168.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/26 , H01L21/3213 , C23F1/44 , C09K13/06 , C09K13/08
Abstract: 提供用于含钛层的蚀刻组合物、通过使用所述蚀刻组合物蚀刻含钛层的方法和通过使用所述蚀刻组合物制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、无机酸、和选择性蚀刻抑制剂，其中所述无机酸包括基于磷的无机酸、基于氯的无机酸、基于氟的无机酸、或其任意组合，并且所述选择性蚀刻抑制剂包括具有含氮重复单元的聚合物。
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公开(公告)号：CN118108770A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311619450.4
申请日：2023-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，且n1和n2各自独立地为1或2，其中X43为C(R43)，X44为C(R44)，并且R43和R44结合在一起以形成由式2表示的基团；X44为C(R44)，X45为C(R45)，并且R44和R45结合在一起以形成由式2表示的基团；或者X45为C(R45)，X46为C(R46)，并且R45和R46结合在一起以形成由式2表示的基团，环CY4和环CY5稠合在一起，并且式1A、1B、和2中的剩余基团和变量如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118027105A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311487860.8
申请日：2023-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，且n1和n2各自独立地为1或2，在式1A和1B中，X11为C(R11)或N，X12为C(R12)或N，X13为C(R13)或N，并且X14为C(R14)或N；R11‑R14的至少一个为‑Si(Q1)(Q2)(Q3)或‑Ge(Q1)(Q2)(Q3)；R32和R33各自包含氘；*和*'各自表示与式1中的M1的结合位点；并且式1A和1B中的其它基团和变量如本文中所定义的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A#imgabs0#式1B#imgabs1#
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公开(公告)号：CN111377974B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201911324015.2
申请日：2019-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物和包括其的有机发光器件，所述有机金属化合物由式1表示，式1中的Y2、环A2、R1‑R8、R13‑R20、和d2可各自独立地与说明书中描述的相同。式1#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117777204A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311256605.2
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，在式1A和1B中，X1为C或N；X2为C或N；X3为C或N；X4为C或N；环CY1和环CY2各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；Z1和Z2各自独立地为‑Si(Q1)(Q2)(Q3)或‑Ge(Q1)(Q2)(Q3)；a1和a2各自独立地为0‑10的整数；a1与a2之和为1或更大；并且剩余的环、取代基、和变量如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A#imgabs0#式1B#imgabs1#。
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公开(公告)号：CN117700464A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311188921.0
申请日：2023-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，在式1A和1B中，X1为C或N，X2为C或N，Y1为O、S、Se、C(R41)(R42)、或N(R43)，至少一个R2为被氟取代的C1‑C10烷基，b2为1‑6的整数，b11为1或2，b12为1‑4的整数，*和*'各自表示与M1的结合位点，并且式1A和1B中的其它取代基基团如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2
式1A#imgabs0#
式1B#imgabs1#-
公开(公告)号：CN117700462A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310919315.5
申请日：2023-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，在式1A和1B中，X1为C或N，X2为C或N，至少一个R2为被氟取代的C1‑C10烷基，b1为1‑6的整数，b2为1‑10的整数，*和*'各自表示与M1的结合位点，并且式1A和1B的其它取代基基团如本文中所描述的。式1M1(L1)n1(L2)n2式1A#imgabs0#式1B#imgabs1#
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