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公开(公告)号：CN105283779A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480033641.5
申请日：2014-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
Inventor： 本间克久
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/202
Abstract: 根据本发明一实施例的辐射检测器具有：阵列基板，其具有光电转换元件；闪烁体层，其形成在该光电转换元件上且将辐射转换为荧光；防湿层，其具有平滑层和水蒸气阻隔层，该平滑层是形成为覆盖该闪烁体层的连续膜且至少包含有机树脂材料作为主成份，该水蒸气阻隔层是直接形成在该平滑层的表面上的连续膜且包含无机材料。
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公开(公告)号：CN103348263B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280007198.5
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
Inventor： 本间克久
IPC: G01T1/20
CPC classification number: H01L31/02322 , G01T1/2018 , G01T1/244 , H01L27/14663
Abstract: 本发明的目的在于提供一种放射线检测器，该放射线检测器的闪烁体层与基板之间的紧贴力、及防湿体与基板之间的紧贴力都很优异，并在冷热环境及高温高湿环境下具有较高的可靠性。放射线检测器(11)包括：具有像素(17)的阵列基板(12)；形成在像素(17)上的闪烁体层(13)；以覆盖闪烁体层(13)的方式形成的导电性的防湿体(15)；以及粘接防湿体(15)与阵列基板(12)的粘接层(16)，阵列基板(12)至少划分成有源区A及粘接区B，在有源区A中，在闪烁体层(13)的形成面上设置有有机树脂保护膜(26a)，在粘接区B中，在粘接层(16)的形成面上设置有无机保护膜(26b)。
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公开(公告)号：CN105051829A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480012067.5
申请日：2014-04-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
Inventor： 吉田笃也
CPC classification number: G01T1/2018 , C09K11/628 , G01T1/202 , G21K4/00 , G21K2004/06 , H01L27/14663 , H01L31/02322 , H01L31/18
Abstract: 提供具有能透过可见光的基板1和荧光层2的闪烁体板50，荧光层2设置在基板1的表面上，并且是由能把入射辐射转换成可见光的铊激活的碘化铯制成的。用防潮膜3覆盖荧光层2。荧光层2是由高铊浓度层和浓度比高铊浓度层低的低铊浓度层组成的一个交替的叠层，其中在叠层方向上的一个铊浓度循环的厚度是40纳米或更少。
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公开(公告)号：CN102667525B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201080052460.9
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: G01T1/2018 , G21K4/00 , H01L27/14676 , H01L31/0203 , H01L31/02322
Abstract: 本发明提供一种能改善具有光电转换元件的阵列基板与闪烁体层的密合力、不易发生由闪烁体层的剥离引起的特性劣化、可靠性高的放射线检测器。放射线检测器(11)包括：阵列基板(12)，该阵列基板(12)在基板上具有将荧光转换成电信号的光电转换元件(21)，并且在基板的最表层形成有保护膜(26)；基于CsI的闪烁体层(13)，该闪烁体层(13)设置于保护膜(26)上，将入射的放射线转换成荧光；反射层(14)，该反射层(14)设置于闪烁体层(13)上，使来自闪烁体层(13)的荧光向阵列基板(12)侧反射；其特征在于，由作为热塑性树脂的丙烯酸类有机树脂材料形成保护膜(26)。
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公开(公告)号：CN104241199A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410250430.9
申请日：2014-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
Inventor： 本间克久
IPC: H01L21/77 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1443
Abstract: 本发明涉及放射线检测器的制造方法以及放射线检测器，提供一种能够维持防湿结构的可靠性、并能够使放射线检测器小型化的放射线检测器的制造方法以及放射线检测器。该放射线检测器的制造方法的特征在于，具备：形成在基板上二维排列有光电转换元件的阵列基板的阵列基板形成工序；形成闪烁层的闪烁层形成工序，该闪烁层覆盖所述阵列基板的排列有所述光电转换元件的区域，并将放射线转换成荧光；对金属进行成形，从而形成具备与包围所述阵列基板的所述闪烁层部分相对的粘接面的防湿体的防湿体形成工序；以及粘接工序，在该粘接工序中，利用具有边框部的加压夹具对所述檐部加压，使得在所述檐部与所述阵列基板之间的相对粘接部、以及在该相对粘接部从所述檐部外边缘向外侧溢出的区域，形成粘接剂从所述阵列基板突出至高于所述檐部而得的伸出部，该边框部形成有与檐部的相对粘接部的相反侧面相对的加压面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103348263A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007198.5
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
Inventor： 本间克久
IPC: G01T1/20
CPC classification number: H01L31/02322 , G01T1/2018 , G01T1/244 , H01L27/14663
Abstract: 本发明的目的在于提供一种放射线检测器，该放射线检测器的闪烁体层与基板之间的紧贴力、及防湿体与基板之间的紧贴力都很优异，并在冷热环境及高温高湿环境下具有较高的可靠性。放射线检测器(11)包括：具有像素(17)的阵列基板(12)；形成在像素(17)上的闪烁体层(13)；以覆盖闪烁体层(13)的方式形成的导电性的防湿体(15)；以及粘接防湿体(15)与阵列基板(12)的粘接层(16)，阵列基板(12)至少划分成有源区A及粘接区B，在有源区A中，在闪烁体层(13)的形成面上设置有有机树脂保护膜(26a)，在粘接区B中，在粘接层(16)的形成面上设置有无机保护膜(26b)。
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公开(公告)号：CN101154550A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710162326.4
申请日：2007-09-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
Inventor： 阿武秀郎
Abstract: 揭示了一种旋转阳极X－射线管组件，包括与阳极靶(15)一体的真空封壳(11)，至少容纳真空封壳并旋转地保持它的壳体(3)，使冷却介质(7)以封闭状态循环到至少所述真空封壳的阳极靶的循环路径，容纳并设置在真空封壳中的阴极(13)，支承阴极的阴极支承件(13a)，插入在真空封壳和壳体或者直接或间接固定于壳体的静止件之间的轴承机构和真空密封机构，以及用于旋转真空封壳的驱动器单元。
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公开(公告)号：CN101103431A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680001942.5
申请日：2006-11-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
IPC: H01J31/50
CPC classification number: H01J29/003
Abstract: 利用磁场传感器(32)检测从X射线显像管(11)的外部进入电子透镜区域(23)内的外部磁场(m)，利用配置在X射线显像管(11)的输入面区域(21)的线圈(33)，产生抵消外部磁场(m)的磁场，除去外部磁场(m)的影响，校正失真。磁场传感器(32)配置在X射线显像管(11)的用磁屏蔽(20)包围的区域，而且配置在从X射线显像管(11)的输入面区域(21)离开的电子透镜区域(23)一侧的外周区域。磁场传感器(32)减少配置在X射线显像管(11)的输入面区域(21)一侧的线圈(33)产生的磁场的影响，高精度检测进入电子透镜区域(23)内的外部磁场(m)。因而，在X射线显像管(11)的失真校正装置(31)中，能够自动校正失真。
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公开(公告)号：CN1954442A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015270.9
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
IPC: H01L31/115 , G01T1/24 , H01L27/14 , H04N5/32
CPC classification number: H04N5/32 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , H01L27/14692 , H01L31/02725 , H01L31/085
Abstract: 本发明提供能够提高光导电层的检测灵敏度的X射线检测器。使光导电层中含有重金属卤素化合物及卤素。能够形成抑制因X射线照射而引起的暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性的变化而稳定的光导电层。若在光导电层中含有剩余的卤素，则能够抑制在X射线照射时容易产生的重金属卤素化合物晶体结构中的卤素解离、以及伴随该解离而产生的晶体缺陷。卤素的解离，将在该光导电层中产生缺陷能级，成为电荷的深阱，对暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性产生影响。若光导电层中的剩余卤素过多，则卤素析出在晶界。妨碍光导电层的微晶间的导电性，大大妨碍X导电层的灵敏度特性、以及余像特性，余像将延长。
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公开(公告)号：CN1868026A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030518.4
申请日：2004-10-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子管器件株式会社
CPC classification number: H05G1/04 , H01J2235/168 , H05G1/025
Abstract: 一种X射线装置包括旋转阳极型X射线管11，它被配置成使得可旋转阳极靶15和设置为与阳极靶15相对的阴极16容纳于真空管壳13内；产生用于旋转阳极靶15的感生电磁场的定子26；至少容纳并保持所述旋转阳极型X射线管11的外壳10；被设置于旋转阳极型X射线管11的至少一部分附近的循环路径，且水基冷却剂通过所述循环路径循环；以及包括设置于沿着所述循环路径的一位置处并强制地馈送所述水基冷却剂的循环泵27a以及辐射水基冷却剂的热量的辐射器27b的冷却单元27，其中25℃时水基冷却剂中的溶解氧量是5mg/升或以下。
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