公开(公告)号：CN103274676A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310092739.5

申请日：2013-03-21

Applicant: 电子科技大学 ,  乳源东阳光磁性材料有限公司

Inventor： 余忠 ,  傅膑 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  张凯 ,  刘培元 ,  兰中文 ,  周晓军

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 宽温高Bs MnZn软磁铁氧体材料及制备方法，属于软磁铁氧体材料制备技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其特征在于，主料的组分包括：58.0-62.0mol%Fe2O3，10.0-13.0mol%ZnO，0.5-5.0mol%Li2CO3，余量为MnO；按重量百分比，并以预烧后的主料为参考基准，以氧化物计算，掺杂剂的组分包括：0.001-0.30wt%MoO3、0.01-0.40wt%Bi2O3、0.001-0.05wt%SnO2、0.001-0.05wt%CaO。本发明的软磁铁氧体材料的居里温度显著提高，具有宽温高Bs的特性。

公开(公告)号：CN103214233A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310092273.9

申请日：2013-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  黄晓东 ,  郭荣迪 ,  邬传键 ,  许志勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高Tc、宽温超高Bs MnZn铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂组成，其特征在于，主料包括：58.0-62.0mol%Fe2O3，10.0-15.0mol%ZnO，4.0-6.0mol%NiO，余量为MnO；按重量百分比，并以预烧后的主料为参考基准，以氧化物计算，掺杂剂包括：0.001-0.30wt%MoO3、0.01-0.40wt%Bi2O3、0.001-0.05wt%SnO2、0.001-0.05wt%Nb2O5、0.001-0.20wt%Ta2O5。本发明具有高居里温度（Tc≥320℃）、宽温高BBs（25℃，BBs≥600mT；100℃，BBs≥490mT）及较低损耗（100℃、100kHz200mT，PL≤800kW/m3）等特性。

公开(公告)号：CN102181828B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110093252.X

申请日：2011-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  余忠 ,  李金龙 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: ZnFe2O4铁氧体薄膜制备方法，属于电子材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)ZnFe2O4铁氧体靶材的制备：采用氧化物陶瓷工艺，以Fe2O3、ZnO为原料，按分子式ZnFe2O4配料，球磨，烘干后预烧；二次球磨烘干，加入10％的聚乙烯醇造粒，压制成圆饼样品，然后升温至1300℃，在空气中保温，随后降温至300℃，然后随炉自然冷却，最终获得致密的烧结体靶材；2)ZnFe2O4铁氧体薄膜的制备：将单晶Si和Si基片按照乙醇→丙酮→乙醇的清洗顺序清洗，采用磁控溅射薄膜，溅射背底气压低于4.0×10-4Pa，溅射过程中，基片不加热，所述单晶Si为111取向，所述Si基片为100取向；3)薄膜的后期热处理：薄膜制备后，烧结退火，升温，保温，然后随炉自然冷却至室温。本发明能够实现原子沿{111}面的取向生长。

公开(公告)号：CN102745981A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210222035.0

申请日：2012-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 许志勇 ,  孙科 ,  余忠 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料，由主成分和添加剂组成，其中，主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：51～54mol%Fe2O3，9～13mol%ZnO，0.1～0.7mol%SnO2，余量为MnO；以预烧反应后的主成分的质量为参照，添加剂按重量百分比，以氧化物计算：0.05～0.1wt%CaO，0.01～0.08wt%Bi2O3，0.01～0.05wt%V2O5，0.02～0.05wt%Nb2O5，0.03～0.09wt%ZrO2。本发明晶粒均匀致密，气孔较少，平均晶粒尺寸约为14±0.5μm，具有较高磁导率和宽温低损耗特性。

公开(公告)号：CN101412621B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN100589215C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710051054.0

申请日：2007-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁 ,  李乐中

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: NiZn系铁氧体材料及制备方法，本发明属于铁氧体材料制备技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：48.5～52.5mol%Fe2O3，25～33mol%ZnO，0.5～8.0mol%CuO，余量为NiO；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.001～0.15wt%CaO、0.01～0.12wt%MoO3、0.01～0.08wt%Bi2O3、0.01～0.20wt%Nb2O5、0.01～0.20wt%SnO2、0.01～0.16wt%V2O5。本发明的有益效果是，一、提高功率密度，实现小型化；二、提高电子系统的可靠性。

公开(公告)号：CN101412621A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN118380742B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202410602949.2

申请日：2024-05-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  李翱 ,  余忠 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H01P1/387

Abstract: 一种X波段自偏置环形器，包括基片以及位于基片之上的微带电路；微带电路为双Y结结构，包括中心圆结、间隔设置的大Y结分支和小Y结分支，大Y结分支与小Y结分支上均设置等效容性传输线与等效感性传输线，大Y结的三个臂的末端延伸形成容性传输线作为端口；基片包括铁氧体片、一级介质片和二级介质片，圆形的铁氧体片嵌入圆环状的一级介质片中并与一级介质片紧密贴合，铁氧体片与一级介质片的复合结构嵌入内侧为圆形、外侧为六边形的二级介质片中并与二级介质片紧密贴合；大Y结末端延伸形成的容性传输线端口位于二级介质片上。本发明通过铁氧体片与一级和二级介质片组合形成多级结构，加强了端口间的耦合作用；通过对整个环形器的结构进行坡度设计，增强了环形器的隔离效果。

公开(公告)号：CN118955113B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411456111.3

申请日：2024-10-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何贤坤 ,  邬传健 ,  兰中文 ,  孙科 ,  余忠 ,  蒋晓娜 ,  李启帆

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/10 ,  H01F1/34

Abstract: 一种软硬磁微波铁氧体耦合材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体耦合材料包括YIG和BaM微波铁氧体，YIG微波铁氧体材料包括8.5~20.5 mol%Y2O3、17~29 mol%Bi2O3、47.5~57.5 mol%Fe2O3、5~15 mol%In2O3，BaM铁氧体材料包括6.5~12.5 mol%BaO、5.5~10.5 mol%La2O3、5.5~10.5 mol%Bi2O3、62.5~73.5 mol%Fe2O3。本发明制得的软硬磁微波铁氧体耦合材料兼具高的Mr/Ms和Hc、适宜的4πMs和Ha、低的ΔH和tanδε特性。

公开(公告)号：CN118955112A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411456112.8

申请日：2024-10-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何贤坤 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  余忠 ,  孙科 ,  李启帆 ,  蒋晓娜

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/01

Abstract: 一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合铁氧体材料包括NiZn和BaM铁氧体材料；NiZn铁氧体材料包括40~60 mol%NiO、1~5 mol%CuO、1~5 mol%ZnO、40~50 mol%Fe2O3；BaM铁氧体材料包括10~20 mol%BaO、1~10 mol%ZnO、1~5 mol%La2O3、1~10 mol%CuO、60~75 mol%Fe2O3。本发明制得的Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料兼具高4πMs、Mr/Ms、Ha、Hc和低ΔH、tanδε特性，适用于Ka波段微集成环行器的设计和应用。