基于多项式零点组合的线阵低副瓣双波束泰勒综合方法

    公开(公告)号:CN114297863A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111661432.3

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明公开一种基于多项式零点组合的线阵低副瓣双波束泰勒综合方法。该方法基于传统泰勒综合法,包括以下步骤:依据综合目标给定线阵的阵元数目、阵元间距、工作频率、副瓣参考电平和期望的双波束指向;利用切比雪夫多项式得到期望波束指向的理想空间因子零点;分别保留其主瓣区零点来构成双波束主瓣,使用辛格函数零点替换其副瓣区零点来构成双波束副瓣;调整波瓣展宽因子同时对部分零点位置进行修正,最终得到组合零点多项式即双波束泰勒空间因子;使用离散傅里叶变换法综合出该阵列的激励分布。该方法突破了传统单波束泰勒综合法的适用局限,相较于优化算法提供了激励的解析解,具有更高的综合效率。

    一种双层金属片加载的宽带多线极化可重构天线

    公开(公告)号:CN114243279A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111562549.6

    申请日:2021-12-20

    Abstract: 本发明公开一种双层金属片加载的宽带多线极化可重构天线,包括介质基板、金属地板、上下层馈电圆片、上下层辐射贴片、上下层方形焊盘、上下层PIN二极管、直流铜柱、顶层金属片、底层金属片、同轴馈线,双层馈电圆片分别位于介质基板两面,上下层辐射贴片均为7组且等角度分布于上下层馈电圆片的周边,上下层辐射贴片与馈电圆片之间设置PIN二极管,顶层金属片位于介质基板上方,由金属连接柱与上层馈电圆片连接,下层金属片位于介质基板下方,直接焊接在同轴馈线外皮。通过控制PIN的通断,可实现7种线极化可重构;通过特殊的辐射层形状设计及双层金属片加载,能极大拓展工作带宽。该天线具有体积小、频带宽、极化可重构数目多等特点。

    基于非周期时间调制的阵列天线波束形成系统

    公开(公告)号:CN114124184A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111362133.X

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于非周期时间调制的阵列天线波束形成系统,包括1个N单元均匀直线阵列天线、N个非周期时间调制T/R组件、1个现场可编程门阵列、1个非周期时间调制序列发生器、N根TTL信号控制线、1个N路等功率分配网络、1个基带调制模块、1个数字信号处理模块。其中,非周期时间调制序列发生器能够将N个幅度时间调制序列和N个相位时间调制序列通过特定的数学规则复合,从而产生N个非周期时间调制序列。本发明提出的系统架构和调制手段突破了波束扫描能力、低副瓣波束综合能力与边带电平抑制能力之间的相互制约关系,能够在实现低副瓣、高精度波束扫描的同时,达到优于‑40.0dB的边带电平抑制性能。

    基于四维天线阵的空时联合调制保密通信方法及系统

    公开(公告)号:CN113114321B

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202110381581.8

    申请日:2021-04-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于四维天线阵的联合空时调制保密通信系统,它包括,四维波控模块、比特数据生成器、数字基带调制器、发射机、功分器、四维收发组件、天线单元以及连接各部分的光纤和电缆;四维波控模块与比特数据生成器及各四维收发组件相连接,数字基带调制器与发射机和比特数据生成器连接,功分器与各四维收发组件相连接;所述的系统将需要传输的信息比特分成两部分,再将其分别映射到基带调制和开关调制上,联合一体化使用空时自由度。本发明还公开了一种基于四维天线阵的联合空时调制的保密通信方法,该方法能够一体化最大限度地利用整个空时自由度,减少由于调幅和期望方向上边带造成的能量损耗,从而有效提高保密通信系统的发射效率。

    一种用于大规模MIMO系统的不规则子阵高效求解方法

    公开(公告)号:CN113098574B

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202110332789.0

    申请日:2021-03-29

    Abstract: 本发明公开了一种用于大规模MIMO系统的不规则子阵高效求解方法,可以用于全数字波束成形MIMO系统。每一条射频链路通过一个功分器连接两个相邻的天线单元,可以大幅减少射频链路的数量。在设计过程中,首先以MIMO信道容量为优化目标优化不规则子阵阵列排布,得到最优的阵列拓扑结构后,再以频谱效率最大化为目标设计预编码和解码矢量。本发明最大的创新性在于,在射频链路的数目不变的情况下,不规则子阵架构通过增大天线阵列的口径面积提高MIMO信道容量,最终实现频谱效率的提高。

    基于液态金属的频率极化可重构螺旋天线

    公开(公告)号:CN112821084A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202011639775.5

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明属于天线技术领域,涉及一种基于液态金属的频率极化可重构螺旋天线,包括微流管道介质基板、微流管道、螺旋金属贴片、液态金属、第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、巴伦、同轴馈线和尼龙柱。本发明利用液态金属的可塑性改变天线尺寸和旋向,实现0.35‑18GHz内50倍频频率极化可重构。用液态金属控制螺旋天线双臂的长度,实现天线的频率可重构;利用液态金属改变螺旋天线臂的旋向,可以在右旋圆极化和左旋圆极化之间转换,实现了极化可重构。本发明的可重构天线可以实现连续调谐,可重构范围大,天线在重构时不易折损。

    一种全孔径强耦合超宽带对称偶极子相控阵天线

    公开(公告)号:CN112216980B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202011090879.5

    申请日:2020-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于强耦合效应的全孔径强耦合超宽带对称偶极子相控阵天线及其研制方法。改进传统强耦合相控阵天线,天线阵列通过威尔金森功分电路同时激励两个镜像对称偶极子单元,并在阵列两边缘端口采用延长型偶极子单元,在不使用哑元的前提下消除了x轴方向上截断效应的影响同时增大天线辐射孔径,改善阵列低频段驻波,在阵列边缘加入了垂直金属壁取代了哑元并作为宽角阻抗匹配层的支撑,最终天线阵列的全部端口馈电,达到了天线阵面全孔径利用、实现更高的孔径效率的目的。本发明结构简单稳固,加工便利,在1‑4GHz频段内可达到有源驻波小于3,利用该设计的相控阵天线尤其适合需要超宽工作频带、低成本、小尺寸、高效率的应用平台。

    基于广义散射矩阵的强耦合宽带相控阵带内RCS控制方法

    公开(公告)号:CN112151969B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202011023319.8

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明属于天线工程技术领域,公开了用于强耦合宽带相控阵的带内RCS控制方法。本发明主要基于广义散射矩阵快速预测在强耦合宽带相控阵天线各个单元端口与馈电网络之间接入不同的匹配电路后强耦合宽带相控阵的辐射与散射特性,以端接的匹配电路为优化变量,同时对阵列的辐射性能和散射性能进行优化,最终在辐射特性保持良好的前提下实现强耦合宽带相控阵天线带内RCS缩减。本发明能够准确预估端接匹配电路后,强耦合宽带相控阵的辐射与散射特性,考虑了有限大阵列中的对辐射与散射特性有较大影响的因素,解决了在阵元之间存在故意增强的耦合效应时宽带相控阵天线的带内RCS缩减的难题,能在强耦合宽带相控阵带内有效控制带内RCS同时保持辐射性能良好。

    薄型机翼共形双极化强耦合超宽带偶极子相控阵

    公开(公告)号:CN112038753B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202010897195.X

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种薄型机翼共形双极化强耦合超宽带偶极子相控阵及其研制方法。针对需要共形的特殊载体,在双极化强耦合阵列天线的基础上,设计了一种薄型机翼共形双极化强耦合超宽带偶极子相控阵。整个相控阵天线结构均进行了共形化处理,从最底端的曲面形状的金属地板到最外层天线保护层,都以局部机翼作为载体,不会影响到飞行机翼的气动布局。本发明在0.5‑2GHz(4:1)频带内可以实现天线组阵方向±45°扫描,剖面高度仅为0.3个高频波长,适用于要求双极化、超宽带和共形的应用平台。

    一种可整体埋腔的超宽带垂直极化端射式相控阵

    公开(公告)号:CN108631069B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201810427130.1

    申请日:2018-05-07

    Abstract: 本发明公开了一种可整体埋腔的超宽带垂直极化端射式相控阵。该阵列由4个低剖面对数周期单极子天线构成,阵列可整体埋入腔体,实现波束指向为端射方向的方位面±45°扫描。阵列的相对带宽大于100%,剖面高度约为0.051λL(λL为工作频带内的低频波长)。阵列单元的馈电部分由SMA接头、微带线‑槽线结构和共面金属带线构成;阵列单元的辐射部分由13个单极子天线构成,单极子天线设计为铜棒,并在其顶部加载厚度为0.51mm的覆铜介质基板结构;阵列的馈电部分由1片厚度为3.18mm的覆铜F4BM介质基板和4片厚度为0.635mm的覆铜RF‑10介质基板经蚀刻、压合而成;共面金属带线末端具有2个51欧姆0805封装尺寸的贴片电阻。

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