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公开(公告)号：CN105244583A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510697823.9
申请日：2015-10-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种新型的超带宽微带威尔金森功分器，属于微波工程领域。包括一个输入端口和n个输出端口，所述相邻的两个输出端口之间设置m个隔离电阻，所述输入端口与n个输出端口之间均设置有多节阻抗变换器，每一节阻抗变换器为四分之一波长阻抗线；第k路输出端口与k+1路输出端口之间的隔离电阻Rki和第k-1路输出端口与k路输出端口之间的隔离电阻R(k-1)i之间有间隔L，且0＜L＜1/4λ，i＝1,2,3…,m，k＝2,3…,n-1。本发明功分器可实现1～8GHz内功率的平均分配，且各端口匹配良好，各输出端口间良好隔离，回波损耗低，输出相幅一致性高。
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公开(公告)号：CN104831359A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510177930.9
申请日：2015-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄膜的液相外延制备方法，属于电子材料领域。本发明在单晶钇铁石榴石薄膜的生长温度区间的最低温度点、高转速的条件下，采用液相外延法生长亚微米级单晶钇铁石榴石薄膜。本发明采用低生长温度高转速的方法制备得到的亚微米级单晶钇铁石榴石薄膜，与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态，其薄膜厚度为100～1000nm，铁磁共振线宽很窄，约为3 Oe以下；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于自旋逻辑器件的良好材料。
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公开(公告)号：CN104831357A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510177591.4
申请日：2015-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，属于电子材料领域。所述钇铁石榴石单晶薄膜的成分为LaxY3-xFe5O12，x取值范围为0.01～0.05。本发明采用Y2O3、Fe2O3、La2O3、PbO、B2O3为原料，Y2O3的质量百分含量为0.44％，Fe2O3的质量百分含量为10.31％，La2O3的质量百分含量为0.06％，PbO的质量百分含量为87.44％，B2O3的质量百分含量为1.75％；然后采用液相外延法生长单晶薄膜。本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到1Oe以下；薄膜的粗糙度、晶格匹配、薄膜应力、含铅量、杂相等都得到了改善。
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公开(公告)号：CN104820298A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510182105.8
申请日：2015-04-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供一种基于BiLuIG薄膜的TM-TE磁光调制器，用于实现超宽带的TM-TE的磁光调制以及调制器的小型平面化。本发明TM-TE磁光调制器，由直流偏置磁场、射频调制磁场及磁光单元组成，其特征在于，所述磁光单元包括光方向上依次设置的光纤、偏振器、磁光薄膜结构和检偏器，所述磁光薄膜结构包括衬底基片、衬底基片上依次设置的BiLuIG磁光薄膜、RF微带线以及微带线上覆盖的绝缘层，其中所述RF微带线为螺旋正反绕组式微带线。本发明射频调制磁场由射频信号加载至螺旋正反绕组式RF微带线产生，螺旋正反绕组式微带线的设计能够有效减少光学损伤并且能够减小磁光薄膜内部对光产生的双折射作用，更大限度地实现光的模式转换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101319390B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200810044640.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二 清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3-15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四 在生长过程中，基片以60-100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六 将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。
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公开(公告)号：CN102303429A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110167384.2
申请日：2011-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种可调谐的平板电磁波吸收材料，属于电磁功能材料技术领域。包括金属反射层、介质层、氧化钒相变材料层和超颖材料层；介质层位于金属反射层和氧化钒相变材料层之间，氧化钒相变材料层位于介质层和超颖材料层之间。本发明在三层式电磁波吸收材料的超颖材料层和介质层之间，插入氧化钒相变薄膜，利用热、电或光触发相变过程来控制电磁波吸收材料的吸收效率和吸收频率。本发明结构简单、易于制备；具有吸收幅度和吸收频率可调的特性，调制深度可以达到70％以上；且调制手段多样的特点，可以借助于热或电或者激光等多种手段来实现太赫兹波吸收的调制；可用于微波、太赫兹波以及光波段的电磁保护、隐身技术、波谱探测以及热辐射等。
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公开(公告)号：CN101702067B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910216064.4
申请日：2009-10-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种太赫兹波平面吸收材料，属于电磁功能材料技术领域，涉及电磁波吸收材料。包括衬底、金属反射层、介质层和人工电磁媒质层；其中，所述金属反射层为连续金属薄膜，且位于衬底表面；所述介质层位于金属反射层和人工电磁媒质层之间；所述人工电磁媒质层由周期性排列的人工电磁媒质单元构成；每个单元为一个线宽为t的金属薄膜线条形成的中心对称图形，包括中间由两个单开口金属环相向连接的电开口环共振器；还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环。本发明所提出的太赫兹波平面吸收材料具有两个强吸收频段，可以提供不同频段的选择性吸收和探测。同时可以吸收更大频谱范围的太赫兹辐射，提高了太赫兹波平面吸收材料的性能和效率。
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公开(公告)号：CN101561531B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910059440.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 光子晶体T形功率分配器，属于材料技术领域，涉及光子晶体应用技术。本发明在现有的光子晶体T形功率分配器的基础上，在所述T形线缺陷的垂直线缺陷和水平线缺陷相交的位置增加一个介质柱，同时分别去掉T形线缺陷的两个直角拐弯处顶点位置上距离所增加的介质柱最近的介质柱。还可以在距离所增加的介质柱一倍晶体周期常数a长度的左右两边及下边的位置上分别再增加一个介质柱；同时分别去掉T形线缺陷的两个直角拐弯处距离垂直线缺陷和水平线缺陷的交点位置最近的三个介质柱。本发明的优点是改进的T形光子晶体功率分配器在通带的幅频特性平坦度高，而且降低了T形功率分配器两个输出端间的相互影响，具有更好的实用性。
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公开(公告)号：CN101694558A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910167953.6
申请日：2009-10-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明涉及一种用于太赫兹波调制的超材料结构。包括：中心介质层，由对太赫兹波透明的聚乙烯材料构成，中心介质层的厚度小于入射的太赫兹波的十分之一波长；上表面光栅层，采用金属材料，由位于中心介质层上表面的一系列呈周期性分布的平行栅格构成，每个栅格与两边的栅格空隙构成一个周期，每条栅格的厚度均小于宽度；下表面光栅层，采用金属材料，由位于中心介质层下表面的一系列呈周期性分布的平行栅格构成，每个栅格与两边的栅格空隙构成一个周期，每条栅格的厚度均小于宽度；所述上、下表面光栅层的栅格呈镜像对称分布。本发明的有益效果是：由于表面等离子体波始终在增强太赫兹波的透射，因而拓宽了调制器对太赫兹波的调制范围。
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