公开(公告)号：CN1225308C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN03128765.4

申请日：2003-05-09

Applicant: 燕山大学

Inventor： 田永君 ,  何巨龙 ,  于栋利 ,  刘世民 ,  郭俐聪 ,  李冬春

IPC: B01J3/06

Abstract: 本发明涉及一种立方相硼碳氮晶体的合成方法。它采用Ca3B2N4或Mg3B2N4或Li3N或Ca3N2或Mg3N2为触媒，在高温高压下合成立方相硼碳氮晶体的方法，将直接合成的压力温度条件降低到金刚石和立方BN工业化合成的条件。先将石墨、纯硼和六方BN进行机械合金化以获得化合态的乱层石墨结构的B-C-N前驱物，将前驱物粉末与触媒粉末按一定比例混合均匀，制成压坯，在压力为5GPa以上，温度控制在1100℃以上保温，最后将合成产物进行酸处理，得到纯的立方相硼碳氮晶体。

公开(公告)号：CN1386899A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02108906.X

申请日：2002-03-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 田永君 ,  王天生 ,  迟振华 ,  胡前库 ,  罗晓光 ,  漆汉宏

IPC: C23C16/38

Abstract: 本发明涉及一种新型超导材料——MgB2薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法。其要点是:该方法使用含B和Mg的气态化合物作反应气,其在热丝(4)作用下裂解,反应生成MgB2化合物并在基片(6)上生长成为薄膜。用该方法制备的MgB2超导薄膜具有如下特征:薄膜中不含MgO杂相,超导零电阻转变温度Tc0达到35K,这是目前国际上报道的原位制备的MgB2超导薄膜Tc0的最高值。