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公开(公告)号：CN102064321B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010555305.0
申请日：2010-11-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/1393 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种多壁碳纳米管与锡钴合金纳米颗粒的复合材料的制备方法，包括：将多壁碳纳米管用高分子电解质进行修饰；配制硼氢化钠的二甘醇溶液；配制氯化锡与氯化钴的二甘醇溶液；将修饰过的多壁碳纳米管分散在硼氢化钠二甘醇溶液中并在氩气保护下升到一定温度；在加热搅拌的条件下，将氯化锡与氯化钴的二甘醇溶液加入上述混合溶液；在160～220℃反应30～60分钟后，降至室温，加入乙醇，离心分离，并干燥，得到最终产物。本发明方法简单，得到的复合材料具有独特结构，锡钴合金纳米颗粒均匀地附着于多壁碳纳米管的表面，用作锂离子电池负极材料具有较低的不可逆容量的降低和较高的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN101879604B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010189800.4
申请日：2010-06-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备金属铟纳米颗粒墨水的制备方法，包括：(1)将氯化铟溶解于多元醇中，加入稳定剂；(2)将含纳还原剂溶解于多元醇溶液中配置成还原剂溶液；(3)将步骤(2)所得的还原剂溶液快速热注入步骤(1)所制备的溶液中进行反应；通过离心、洗涤、干燥，得到金属铟纳米颗粒；(4)将该颗粒溶解于特定溶剂中制备纳米颗粒墨水。本发明还公开了所述金属铟纳米颗粒墨水在硫铟铜薄膜制备中的应用方法。本发明反应简单易行，有成本低、产量大等优点，制备的薄膜表面致密平滑，晶粒尺寸较大，薄膜没有明显的杂相。
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公开(公告)号：CN102560641A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210073813.4
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅多晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用铸造法生长硅多晶体。本发明可以将90％左右高度的N型磷掺杂多晶硅铸锭的电阻率控制在1.0-2.0Ω.cm范围内，有利于增加N型多晶硅材料在制备高效太阳能电池过程中的利用率，从而使得高效太阳能电池的制造成本大幅度降低，而且操作简单，易于在光伏产业大规模应用。
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公开(公告)号：CN102560627A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210073865.1
申请日：2012-03-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。
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公开(公告)号：CN102005505B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010509942.4
申请日：2010-10-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/04
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池及其制备方法。其制备方法包括：在多晶硅原料中掺入锡和硼，锡的浓度为1016～1021cm-3，硼的浓度为1015～1017cm-3，然后在保护气氛下，生长掺锡的晶体硅；将掺锡的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锡晶体硅太阳电池。本发明方法简单，成本低廉，实现了整个太阳电池制备与常规工艺的兼容，制备出有效抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102394256A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110362766.0
申请日：2011-11-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于太阳电池吸收层的铜铟硫阵列化薄膜的制备方法，采用溶液法利用硼氢化钠还原铜盐和铟盐制备Cu-In合金纳米颗粒，进而将其溶解在有机溶剂中制备成Cu-In合金墨水，涂覆在Si片，Mo片或者玻璃等衬底上制备成前驱体薄膜；而后，在含有H2S/Ar混合气氛中烧结成为表面呈纳米棒阵列的CuInS2薄膜。本发明采用低成本的设备和简单的工艺，制备得到CuInS2阵列化薄膜，其表面纳米棒阵列能够很好的起到陷光作用，可减少反射，增强光的吸收，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101767207B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910157001.6
申请日：2009-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种甲醛还原法制备二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的方法，采用的是甲醛还原快速生长的成核-再长大两步生长工艺，包括以下步骤：1)制备表面吸附纳米银颗粒的亚微米二氧化硅球；2)将步骤1)中得到的二氧化硅球分散在水中，在氨水的催化作用下，用甲醛还原硝酸银，然后加入聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液搅拌反应；3)将反应液离心清洗后分散到水中得到二氧化硅/银花状核壳结构颗粒的胶体溶液。本发明方法过程简单可控，产物单分散性好，且颗粒中银具有面心立方与密排六方共存的独特晶体结构，花状银核壳颗粒具有较大的比表面积和粗糙度，颗粒中存在大量的热点区域。
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公开(公告)号：CN101774585B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010040051.9
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种通过氧化处理提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净、烘干；然后在氧气气氛下加热，保温、降温再保温之后冷却；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用了硅中界面具有较高能量易于杂质聚集的原理，在金属硅表面通过氧化的方式人为形成硅-二氧化硅界面，对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，得到较纯的硅材料，以用于后续的提纯工艺。本发明优点在于工艺流程简单，低能耗，低成本，无污染排放，生产效率高，产率高，通过此方法提纯制备的硅原料能够初步达到太阳级硅的要求。
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公开(公告)号：CN102226064A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110110788.8
申请日：2011-04-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C09J7/00 , C09J123/08 , C09J11/04 , H01L31/048 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法，包括以下步骤：用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性，再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中，形成半导体量子点墨水，然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合，经过热压成型或挤出成型，得到含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。该制备方法简单，可控性好，可操作性强，易于工业化生产。本发明还公开了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜，应用于太阳电池，能有效提高太阳电池的利用效率。
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公开(公告)号：CN102157636A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110030656.4
申请日：2011-01-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基薄膜电致发光的方法，包括如下步骤：在P型硅片正面上沉积一层银薄膜，然后进行热退火，在P型硅片正面上形成银岛膜；在银岛膜上沉积富硅氮化硅薄膜，然后在富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜表面沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，在P型硅片背面沉积一层Al作为背面电极，制得硅基薄膜发光器件。本发明方法制备的硅基薄膜器件的电致发光强度显著强于普通硅薄膜器件的电致发光强度；器件能工作在更高的输入功率下，不易被击穿。
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