公开(公告)号：CN116154003A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211581242.5

申请日：2016-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  中田昌孝 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/49 ,  H01L21/426 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H10K59/12 ,  H01L21/34 ,  H10K50/115 ,  H10K59/40 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置以及包括该半导体装置的电子设备。在包括氧化物半导体的晶体管中，在抑制电特性变动的同时提高可靠性。提供一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括被用作第一栅电极的第一导电膜、第一栅极绝缘膜、包括沟道区域的第一氧化物半导体膜、第二栅极绝缘膜、被用作第二栅电极的第二氧化物半导体膜及第二导电膜。第二氧化物半导体膜包括其载流子密度比第一氧化物半导体膜高的区域。第二导电膜包括与第一导电膜接触的区域。

公开(公告)号：CN115274860A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210756520.X

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  大泽信晴 ,  神长正美 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H05B33/14

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。

公开(公告)号：CN108292684B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201680067710.3

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  大泽信晴 ,  神长正美 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。

公开(公告)号：CN113421929A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110701603.4

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN113223967A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110265445.2

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN112385021A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980042911.1

申请日：2019-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  中泽安孝

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成金属氧化物层，在金属氧化物层上形成与半导体层的一部分重叠的栅电极。然后，对半导体层中的不与栅电极重叠的区域通过金属氧化物层及栅极绝缘层供应第一元素。作为第一元素可以举出磷、硼、镁、铝及硅等。如果对金属氧化物层进行加工，在对半导体层供应第一元素之后进行该工序。

公开(公告)号：CN107210226B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201680008319.6

申请日：2016-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  神长正美 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。该方法包括如下步骤：以第一温度形成氧化物半导体膜；将氧化物半导体膜加工为岛状；不进行比第一温度高的温度的工序通过溅射法形成将成为源电极及漏电极的构件；对构件进行加工来形成源电极及漏电极；在形成保护绝缘膜后形成第一阻挡膜；隔着第一阻挡膜对保护绝缘膜添加过剩氧或氧自由基；通过以低于400℃的第二温度进行加热处理来使过剩氧或氧自由基扩散到氧化物半导体膜；以及在利用湿蚀刻去除第一阻挡膜的一部分及保护绝缘膜的一部分后，形成第二阻挡膜。

公开(公告)号：CN108780617B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201780014086.5

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  横山浩平 ,  玉造祐树 ,  后藤尚人 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  中田昌孝 ,  千田章裕 ,  千田尚之

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。

公开(公告)号：CN106104772B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201580010830.5

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  黑崎大辅

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种具有晶体管的半导体装置。该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分，第五绝缘膜包括第三部分。在利用热脱附谱分析法测量时，第一部分和从第二部分释放的氧分子的量少于从第三部分释放的氧分子的量。

公开(公告)号：CN110676324A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910937461.4

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。