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公开(公告)号：CN216929979U
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202122885386.7
申请日：2021-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了新型阻抗变换网络宽带Doherty功率放大器，其中，功分器用于将射频输入功率进行等分，一端输出与载波功率放大电路相连接，另一端峰值功率放大电路相连接；载波功率放大电路包括载波功放输入输出偏置/匹配电路和载波功率放大器；峰值功率放大电路包括相位补偿线、峰值功放输入输出偏置/匹配电路和峰值功率放大器；阻抗变换网络的输入端与载波功率放大电路和峰值功率放大电路的输出端相连接，阻抗变换网络的输出端与负载相连接。本实用新型利用有源负载牵引的原理，来保证Doherty功率放大器中对于载波功放来说负载始终保持在最佳阻抗值，减弱频率的色散效应以此来扩展带宽。
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公开(公告)号：CN216213476U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122730021.7
申请日：2021-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本实用新型公开了带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次为漏极金属、漏极金属上方的碳化硅N+衬底、N+衬底上的N‑漂移区、N‑漂移层中的P+屏蔽层、N‑漂移层上方的栅结构、N‑漂移层上方的栅结构左侧的第一P型基区、N‑漂移层上方的栅结构右侧的第二P型基区、第一P型基区上方左侧为第一P+欧姆接触区、上方右侧为第一N+欧姆接触区，第一P型基区下方的N型电流扩展层，第二P型基区上方左侧的第二N+欧姆接触区、上方右侧的第二P+欧姆接触区；第一P+欧姆接触区和第一N+欧姆接触区上方设有第一源极金属；第二P+欧姆接触区和第二N+欧姆接触区上方设有第二源极金属。
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公开(公告)号：CN215498897U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121366756.X
申请日：2021-06-18
Applicant: 杭州天游微纳科技有限公司 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: H03F1/02 , H03F3/20 , G06F30/367
Abstract: 本实用新型公开了一种基于峰值合成网络的Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路、载波阻抗逆变网络、新型峰值合成网络和后匹配网络。其中，两路合成网络由载波阻抗逆变网络和新型峰值合成网络构成，并通过后匹配网络输出给50Ω终端负载。相对于现有技术，本实用新型中提出的新型峰值合成网络，利用多个独立设计变量将载波晶体管回退处的负载阻抗调节到连续B/J类模式的阻抗解空间附近，扩展并提高了所设计的Doherty功率放大器在高频处的带宽和功率回退效率。
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公开(公告)号：CN215006296U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202120268512.1
申请日：2021-01-29
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本实用新型公开了一种基于FPGA的分布式数据传输系统，SFP接口至少设置两个，分别与Aurora接收端和Aurora发送端连接，Aurora接收端由接收控制模块控制接收数据，接收后存入接收FIFO，Aurora发送端由发送控制模块控制发送数据，发送的数据由发送FIFO中取出；所述控制寄存器经GPIO接收DMA中的数据，控制寄存器与接收控制模块和发送控制模块分别连接，DMA还与接收FIFO和发送FIFO分别连接；DMA和XDMA均与AXI Interconnect连接，AXI Interconnect还DDR4内存连接。本实用新型用于分布式，可以实现高速大数据量传输，传输速度可以达到410MB/s，通过此平台利用随机森林算法的并行化，数据分块分析，最后多个主机进行投票处理，大大提高随机森林算法的速度与准确度。
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公开(公告)号：CN210899093U
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202020023065.9
申请日：2020-01-06
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于电抗性谐波网络的超宽带功率放大器，包括输入匹配电路、低次谐波控制网络、高次谐波电抗控制网络、基波输出匹配电路，其中，低次谐波控制网络用于使二次谐波短路和三次谐波开路；高次电抗性谐波网络由串并联短截线和阻抗变换器组成，使高次谐波阻抗等效于基波阻抗。相对于现有技术，本实用新型采用了电抗性谐波网络，变换高次谐波的电抗值，补偿其电阻值，使其阻抗等效于基波阻抗，更好地控制了输出端的高次谐波，可以在宽频带内实现匹配，克服了功率放大器跨倍频程，基波与谐波相同频率阻抗不同的问题；低次谐波控制网络不仅保证了功率放大器的效率，还避免了二三次谐波与高次谐波的重叠问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219227562U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223227745.0
申请日：2022-12-02
Applicant: 杭州通频电子科技有限公司 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种基于电抗补偿结构的宽带Doherty功率放大器，至少包括宽带宽带功率分配器、载波功率放大模块、峰值功率放大模块和合路输出匹配网络，其中，载波功率放大模块设置相位延迟线，宽带载波输入匹配网络、载波功率放大器、宽带载波输出匹配网络；峰值功率放大器模块设置峰值功放相位延迟线、宽带峰值输入网络、峰值功率放大器和基于电抗补偿结构的峰值输出网络。本实用新型在Doherty功放的峰值输出匹配网络中融入了电抗补偿结构来改变功率回退时合路点阻抗的虚部，以补偿载波放大器在低功率区域中的负载阻抗，从而在宽频率范围内增强回退效率而不影响饱和功率时的Doherty负载调制。
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公开(公告)号：CN218039767U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222441673.3
申请日：2022-09-15
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本实用新型公开了一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器，宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环，记为宽阻谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为宽阻容性开槽线，下层金属刻蚀形成缺陷地；双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环，四个开口谐振环按大小不同分成两组记为大谐振环和小谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为双频容性开槽线，沿横向刻蚀形成栅状开槽线，上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线，谐振腔内部设有金属沉孔，连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。
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公开(公告)号：CN215376185U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202120811027.4
申请日：2021-04-20
Applicant: 芯集科技(杭州)有限公司 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型公开了一种基准电流源，包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路，其中，所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接，所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接；所述基准电流产生电路包括两条支路，每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管，其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接，该场效应管M14的栅端连接偏置电压，源端接地。本实用新型将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点，与利用场效应管体效应的温度补偿结合，最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率，且总静态电流功耗仅为185nA。
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公开(公告)号：CN214375920U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202120242371.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本实用新型公开了一种基于FPGA的高速数据采集系统，FPGA、USB和PC端依次连接，所述AD采集卡与FPGA连接，所述FPGA包括数据传输物理层协议IP核、解数据传输协议IP核、ADC数据处理器、总线互联IP核、XDMA控制器、FDMA控制器、时钟模块、DDR3内存、DDR3控制器、时钟缓冲器和串口模块；所述PC端包括控制信息串口配置部和数据采集部。本实用新型通过PC端对不同模式进行的切换，可以满足多种应用场景下系统的要求，在高速数据实时采集系统如高速通信系统中具有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN213585710U
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202022245787.1
申请日：2020-10-10
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于端接耦合线结构的宽带高效率功率放大器及其设计方法，包括输入匹配网络、栅极直流馈电网络、晶体管、漏极直流馈电网络和输出匹配网络。相对于现有技术，本实用新型提出了一种新的输出匹配网络拓扑结构，级联端接耦合线结构用于设计功率放大器的输出匹配网络，通过在耦合微带线的四个端口选择不同的终端阻抗条件，端接耦合线不仅可以实现阻抗变换，还可以对谐波阻抗进行控制，可提高所设计功率放大器的效率，利用两段耦合线级联来扩展所设计功率放大器的带宽。与传统设计方法相比，无需分别设计谐波控制电路和基波匹配电路，在保持高效性能的同时简化了功率放大器的设计。
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