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公开(公告)号：CN107162401B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710398104.6
申请日：2017-05-31
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明公开了一种制备超低衰减光纤的方法，在含有芯层、内包层、下陷包层结构的玻璃预制棒中通过掺杂碱金属，使芯层全部或部分含有碱金属，再经过熔缩、腐蚀、熔实得到含有碱金属的光纤预制棒，光纤预制棒通过拉丝得到含有碱金属的超低衰减光纤，其特征在于采用管内气相沉积掺杂或扩散法掺杂碱金属时，在玻璃预制棒的进气端串接一缩颈玻璃管，碱金属源化合物置于该缩颈玻璃管内，且该缩颈玻璃管的至少一端的直径小于玻璃预制棒的直径。本发明能够获得高浓度的芯层碱金属含量，并且获得较低温度下的碱金属蒸汽引入到所需预制棒的芯层中，制备工艺简单，设备更加实用。
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公开(公告)号：CN110395900A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910712100.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明涉及一种管外法制备低衰耗光纤预制棒的沉积装置及方法，包括有沉积腔体，沉积腔体内安设有旋转卡盘，对应于旋转卡盘在沉积腔体内一侧安设有喷灯组件，沉积腔体的另一侧安设抽风口，其特征在于对应于喷灯组件的喷口处或预制棒沉积形成处设置有碱金属雾化喷头，所述的碱金属雾化喷头与碱金属溶液雾化器相连通。本发明的有益效果在于：1、在进行管外气相沉积的同时进行碱金属掺杂，不仅沉积掺杂的效率高，而且工艺方法稳定简便；2、沉积和掺杂同时进行可提高掺杂的均匀性，掺碱量可控，相对沉积后的掺杂可增加芯层或包层的碱金属含量，从而增加芯层的压应力，达到进一步降低光纤衰减。
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公开(公告)号：CN109445023A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811318717.5
申请日：2018-11-07
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: G02B6/036
Abstract: 本发明涉及一种掺杂优化的超低衰减单模光纤，包括芯层和包层，所述的包层从内向外包括有内包层、下陷包层和外包层，其特征在于所述的芯层为多元掺杂二氧化硅芯层，掺杂物包括锗、氟、碱金属和磷，其中，锗对芯层的折射率贡献量为0～0.2％，氟对芯层的折射率贡献量为-0.2％～0，碱金属的含量设为M11，则0
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公开(公告)号：CN109133608A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811369389.1
申请日：2018-11-16
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01853
Abstract: 本发明涉及一种用于光纤预制棒的掺杂设备，其特征在于包括有长筒形加热保温炉，加热保温炉两端的外侧分别设置进气旋转密封夹头和排气旋转密封夹头，所述的进气旋转密封夹头和排气旋转密封夹头分别与掺杂气体气源和尾气收集处理装置相连通，所述的进气旋转密封夹头和排气旋转密封夹头相组成对，设置有2对或2对以上，每对进气旋转密封夹头和排气旋转密封夹头的轴线相重合。本发明可对掺杂预制棒玻璃衬管进行整体加热，加热均匀，掺杂质量好，并能同时批量处理，因此不仅使加工时间大幅缩短，有效提高了生产效率，而且也提高了掺杂的均匀性。避免了预制棒玻璃衬管温度的反复升降，减少了玻璃衬管的析晶风险和应力不均。本发明结构简单，使用操作方便。
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公开(公告)号：CN108002698A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711226949.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: C03B37/018
Abstract: 本发明公开了一种光纤预制棒的制造方法，主要包括沉积光纤预制棒中间体、掺杂碱金属元素、成棒步骤，其特征在于采用扩散法在光纤预制棒中间体中掺杂碱金属元素时，光纤预制棒中间体各部位保持在温度500-1000℃，扩散时间为5分钟-300分钟。本发明相对于现有技术在较低的温度区间500-1000℃下掺杂碱金属，能有效避开石英玻璃的析晶温度，减少析晶的风险，从而减少由于析晶造成的衰减过高而导致的报废；而且，在温度均匀的环境中扩散，可避免温度升降循环导致的析晶；另外，还能优化碱金属含量的分布，相较于现有技术高温1800-2200℃扩散慢，因此碱金属可以更集中的分布在光纤预制棒的芯层，减少往包层扩散，提高芯层浓度，降低光纤衰减。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104749691B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510206222.3
申请日：2015-04-28
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: G02B6/036
CPC classification number: G02B6/03633 , G02B6/02009 , G02B6/028 , G02B6/036
Abstract: 本发明涉及一种超低衰减弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.0～3.9μm，芯层相对折射率Δn1为‑0.04％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径r2为8～14μm，相对折射率Δn2为‑0.35％～‑0.10％；所述的下陷内包层半径r3为14～20μm，相对折射率Δn3为‑0.6％～‑0.2％，所述的辅助外包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4范围为‑0.4％～‑0.15％。本发明具有较低衰减系数和优异弯曲性能，并通过对光纤各芯包层剖面的合理设计，使光纤具有等于或大于8.4的MFD；本发明的截止波长、弯曲损耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，能兼容G657.A2标准。
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公开(公告)号：CN105866879B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610420817.3
申请日：2016-06-14
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～6.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4‑2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为9～14μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.18％，所述的下陷内包层半径r3为12～20μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于‑0.18％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。本发明不仅衰减低，而且芯包层设置合理，粘度匹配优，制作工艺简便。
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公开(公告)号：CN107490819A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710725561.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径R1为5.5～7.5μm，相对折射率差△n1为-0.02～0.10％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径R2为14～17μm，相对折射率差△n2为-0.40～-0.15％，所述的下陷内包层半径R3为15～19μm，相对折射率差△n3为-0.8～-0.3％，所述的辅助外包层半径R4为35～52μm，相对折射率差△n4为-0.50～-0.20％，所述得外包层相对折射率差△n5为-0.50％～-0.20％。本发明不仅有效面积大，衰减低，而且具有较好的弯曲损耗和色散性能。光纤具有足够小的成缆截止波长。
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公开(公告)号：CN107422415A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710451543.9
申请日：2017-06-15
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
Abstract: 本发明一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径01为5.5～7.5μm，相对折射率差△n1为-0.02～0.10％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层，辅助外包层和外包层，内包层半径r2为14～17μm，相对折射率差△n2为-0.40～-0.15％，下陷内包层半径r3为15～19μm，相对折射率差△n3为-0.8～-0.3％，辅助外包层半径r4为35～52μm，相对折射率差△n4范围为-0.6～-0.25％，外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明合理的设计了光纤内部的粘度匹配，降低光纤的衰减参数，使光纤具有等于或大于130μm2的有效面积，光纤剖面采用较深较窄下陷包层结构，不仅使得光纤具有足够小的成缆截止波长，而且具有良好的弯曲性能。
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公开(公告)号：CN105244251B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510734968.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 长飞光纤光缆股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种用于PCVD光纤预制棒加工机床的大功率等离子体微波谐振腔，包括有谐振腔壳体和与其相联的波导装置，其特征在于设置有两个左右对称且同轴线的谐振腔壳体，在两个同轴线谐振腔壳体的中间一侧沿垂直中线安设一个波导装置，波导装置的前端通过二分功率计与两个谐振腔壳体相联接，通过二分功率计将微波源功率等分成两，分别馈入两个同轴线的谐振腔壳体。本发明不仅能有效提高谐振腔的馈入功率，而且能有效降低微波的泄露；两个同轴线的谐振腔可在加工衬管中产生纵向移动的两个等离子体，由此可以有效增加沉积速率，提高沉积加工的效率；并可以实现两个同轴线谐振腔沉积玻璃在轴向上的波动相互抵消，增加芯棒的均匀性，改善光纤的加工精度和质量参数；本发明设置合理，结构简单。
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