-
公开(公告)号：CN106406493A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510460607.2
申请日：2015-07-30
IPC: G06F1/32
Abstract: 一种能降低功耗的电子装置及降低电子装置功耗的方法，所述电子装置包括处理器、易失性内存、及非易失性内存，所述非易失性内存存储第一操作系统，所述电子装置在第一工作模式和第二工作模式下工作；当所述电子装置处于所述第一工作模式时，第二操作系统在所述易失性内存中运行，在所述处理器侦测到所述电子装置达到预设的进入所述第二工作模式的条件时，开启所述非易失性内存，移动所述易失性内存中的非系统数据至所述非易失性内存中，所述非系统数据不包括所述第二操作系统，在所述非系统数据移动完成后，关闭所述易失性内存，在所述非易失性内存中运行所述第一操作系统，使所述电子装置进入所述第二工作模式。从而降低电子装置的功耗。
-
公开(公告)号：CN105469821A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410255252.9
申请日：2014-06-10
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明公开了隧道磁电阻效应存储装置，包括依次层叠的第一磁头单元、磁化方向可变的轨道自由层和第二磁头单元；第一磁头单元包括依次层叠的第一电极层、磁化方向固定的第一固定层和第一绝缘层；第二磁头单元包括第二电极层；轨道自由层设于第一绝缘层和第二电极层之间，且轨道自由层呈U型，轨道自由层包括多个依次排列的磁畴和位于相邻的两个磁畴之间的磁畴壁；第一磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内，或第二磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内；第一电极层和第二电极层分别对应连接于外界电压的两端。该存储装置采用三维U型轨道自由层，增加了存储容量，简化了外围电路结构，降低了生产成本和工艺难度。还公开了制备方法，和存储器。
-
公开(公告)号：CN105393504A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480038267.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L12/70
Abstract: 提供一种计算机系统，包括：物理资源、多个片上网络、可配置互联模块；所述可配置互联模块，用于连接所述物理资源和所述多个片上网络，以及配置所述物理资源与所述多个片上网络的连接关系，所述每个片上网络与所述片上网络连接的物理资源组成一个物理分区。通过在物理资源和片上网络之间增加可配置互联模块，通过可配置互联模块灵活的配置所述物理资源与所述多个片上网络的连接关系，使计算机系统的资源得到合理的利用，提高整个计算机系统的资源利用率。
-
公开(公告)号：CN104575581A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310496697.1
申请日：2013-10-21
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0676 , G11C8/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明实施例提供一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度和降低功耗。其中，一种存储单元包括：U型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；U型磁性轨道包括第一端口，第二端口，第一存储区域和第二存储区域；第一驱动电路用于驱动第一存储区域，第二驱动电路用于驱动第二存储区域；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域内产生电流脉冲，并驱动第一存储区域内的磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域内产生电流脉冲，并驱动第二存储区域内的磁畴移动。
-
公开(公告)号：CN104143355A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310169071.X
申请日：2013-05-09
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明实施例提供一种刷新动态随机存取存储器的方法和装置，以减小DRAM的刷新开销和减小芯片功耗。所述方法包括：内存控制器以第一刷新周期为周期向第一刷新地址计数器发送第一刷新命令，以第二刷新周期为周期向第二刷新地址计数器发送第二刷新命令；第一刷新地址计数器接收第一刷新命令后输出第一行地址，以使行地址多路选择器按照第一刷新周期对DRAM对应于第一行地址的存储单元进行刷新，第二刷新地址计数器接收第二刷新命令后输出中间地址，以使行地址多路选择器按照第二刷新周期对DRAM对应于第二行地址的存储单元进行刷新。本发明可以根据存储单元行的数据保持时间不同而采用不同的刷新周期，减小DRAM的刷新开销和芯片功耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120051200A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311593617.4
申请日：2023-11-24
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了，一种阈值开关材料、阈值开关器件及其制备方法。该阈值开关材料的化学通式为(InxTe100‑x)100‑z(As100‑ySey)z，其中，x为元素In在元素In和元素Te中的原子百分比，y为元素Se在元素As和元素Se中的原子百分比，z为元素As和元素Se在阈值开关材料中的原子百分比，且30≤x≤50，50≤y≤70，50≤z≤90。本申请提供的阈值开关材料能够降低阈值电压漂移，从而提高阈值开关器件的稳定性。
-
公开(公告)号：CN119440462A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310959998.7
申请日：2023-07-31
Abstract: 本申请实施例公开了一种存内计算模块，该存内计算模块包括计算阵列、数据写入单元和数据输入单元；数据写入单元用于将第一数据写入计算阵列，以使得计算阵列存储第一数据；数据输入单元用于将第二数据输入计算阵列；计算阵列用于存储第一数据，并在数据输入单元输入第二数据之后，根据第一数据和第二数据执行矩阵乘运算，获得计算结果。该方案中，存内计算模块中不需要额外设置数据读取单元，而是通过数据输入单元、数据写入单元以及计算阵列即可实现存内计算，从而可以减小存内计算模块的面积以及功耗开销。
-
公开(公告)号：CN113760185B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110856426.7
申请日：2017-11-07
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种内存块回收方法和装置，该方法包括：介质控制器接收内存控制器发送的释放命令，释放命令包括待回收的内存块的内存逻辑地址信息(S201)；介质控制器根据内存逻辑地址信息回收内存块；其中，回收后的内存块为可用内存块(S202)。所述介质控制器在接收到内存控制器发送的释放命令后，根据释放命令中包括的待回收的内存块的内存逻辑地址信息，释放对应的内存块，将内存块回收，提高了介质控制器的介质管理操作效果，进而提高了NVDIMM的存储性能并延长了NVDIMM的寿命。
-
公开(公告)号：CN118193936A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310078971.7
申请日：2023-01-17
Applicant: 国家石油天然气管网集团有限公司 , 国家管网集团北京管道有限公司 , 华为技术有限公司
IPC: G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/25 , G06F18/214 , G06F18/24 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明实施例提供一种施工类型识别模型的训练方法、施工类型识别方法及装置，属于能源传输技术领域。训练方法包括获取输入的仿真振动信号及仿真振动信号对应的仿真施工类型，基于特征提取算法对仿真振动信号进行特征提取，得到特征数据，对特征数据进行滤波处理，得到滤波数据，确定预设神经网络模型的深度学习架构，基于深度学习架构对滤波数据的数据结构进行转换，将转换后的滤波数据进行多通道数据融合，得到二维的图像数据，基于图像数据和仿真施工类型构建样本集，提取样本集中的训练集对预设神经网络模型进行训练，得到施工类型识别模型。基于二维的图像数据进行确定样本集，在提升对施工类型识别的准确性和识别速度。
-
公开(公告)号：CN109952565B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201680090713.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F12/0811 , G06F12/0877
Abstract: 一种内存访问技术，应用于包括第一级存储器、第二级存储器和内存控制器的计算机系统中。第一级存储器用于缓存所述第二级存储器中的数据。所述内存访问技术中，对于访问与第一级存储器中的第一缓存行具有映射关系的不同内存块的多个访问请求，内存控制器可以将该多个访问请求的标签集中在一起与所述第一缓存行的标签进行比较，以判断所述多个访问请求是否命中所述第一级存储器。在处理所述多个访问请求的过程中，内存控制器只需要从所述第一级存储器中读取一次所述第一缓存行的标签，从而减少了从所述第一级存储器中读取所述第一缓存行的标签的次数，缩短了内存访问延时，提高了内存访问效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
127
records
(took 0.088 seconds)
