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公开(公告)号：CN103589874B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310452047.7
申请日：2013-09-27
Applicant: 北京大学 , 有研稀土新材料股份有限公司
IPC: C22B9/10
Abstract: 本发明公开了一种在温差下提纯金属材料的方法。通过将待提纯的金属材料与吸气剂置于一封闭体系中，封闭体系中是真空或合适的气氛，原料和吸气剂之间保持一定的距离，以实现在一定的温差下加热，加热过程中杂质先从待提纯的金属材料进入封闭体系，然后被吸气剂吸收。本发明对金属材料几何尺寸、原始杂质含量，以及真空度的要求不高，成本低，效率高，实现工业化的潜力很大。
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公开(公告)号：CN103979490A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310049662.3
申请日：2013-02-07
Applicant: 北京大学
IPC: C01B3/08
CPC classification number: Y02E60/36
Abstract: 本发明提供了一种利用活泼金属粉末水解制氢的方法。该方法首先将和参与反应的金属具有相同阳离子的可溶性强酸盐配成盐溶液，然后在室温下将金属粉末与上述盐溶液混合，显著提高了放氢速率，并可使金属粉末与水完全反应。本发明可大幅度提高金属粉末与水反应制氢的速率和产量，所需的添加剂为固体金属盐，便于携带，价格低廉，对容器不会造成明显腐蚀，是一种简便的便携式制氢方法。本发明将对便携式燃料电池的应用起到积极的效果。
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公开(公告)号：CN103602836A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310452144.6
申请日：2013-09-27
Applicant: 北京大学 , 有研稀土新材料股份有限公司
IPC: C22B59/00
Abstract: 一种在固相下去除粗稀土金属中一种或多种非金属杂质的方法，主要步骤是用金属箔片将粗稀土金属和与粗稀土金属直接接触的吸气剂紧密包裹后置于加热容器中，调节反应气氛后，在一定温度下反应，加热过程中粗稀土金属的非金属杂质扩散进入吸气剂中，从而达到提纯粗稀土金属的目的，冷却后将吸气剂与稀土金属分离即可。本方法能在固相下有效去除稀土金属中的非金属杂质，而且对稀土金属的形状、杂质含量要求很低，对体系的反应条件，如真空度、温度等的要求也非常低，操作简单，流程少，极有在工业上大量提纯稀土金属的潜力。
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公开(公告)号：CN102190311B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010124702.2
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Mg(BH4)2前驱体制备MgB2超导材料的方法。以Mg(BH4)2为前驱体，在真空条件下或惰性气氛中加热Mg(BH4)2粉末至400℃～500℃，保持该温度一段时间即可获得MgB2超导材料。该方法设备简单，合成速度快，成本低，产品超导性质优异，可以在低温下制备MgB2粉体、块材和薄膜，避免了传统粉体制备方法所需要的高温和不均匀性，容易实现工业化批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102190311A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010124702.2
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Mg(BH4)2前驱体制备MgB2超导材料的方法。以Mg(BH4)2为前驱体，在真空条件下或惰性气氛中加热Mg(BH4)2粉末至400℃～500℃，保持该温度一段时间即可获得MgB2超导材料。该方法设备简单，合成速度快，成本低，产品超导性质优异，可以在低温下制备MgB2粉体、块材和薄膜，避免了传统粉体制备方法所需要的高温和不均匀性，容易实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN101574742A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910086819.3
申请日：2009-06-16
Applicant: 北京大学
IPC: B22F9/28
Abstract: 本发明提出了一种制备镁纳米结构的方法，将MgO粉末和C粉充分混合后制成块体，然后采用电弧加热的方法使之蒸发生成Mg纳米结构，通过选择不同种类的碳可调节生成的镁纳米结构的形貌。该方法设备简单，合成速度快，成本低，比较容易实现工业化批量生产，而且，所获得的Mg纳米结构产品尺度大小在30纳米以下，纯度高，且形貌和结构可调控，在用作储氢材料时具有十分优良的吸放氢动力学性质，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100436661C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610002680.6
申请日：2006-01-27
Applicant: 北京大学
IPC: C30B29/62
Abstract: 一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在一范围内使半导体纳米管生长，所述的温度范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。
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公开(公告)号：CN1170771C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02156731.X
申请日：2002-12-18
Applicant: 北京大学
IPC: C01C1/04
Abstract: 本发明提供了一种合成氨新方法，步骤如下：(一)在防止氧化和氮化的反应气氛中，将块体或粉体的稀土金属或稀土合金加热到氢化温度以上；(二)向反应器中通入氢气，使稀土金属或稀土合金吸收氢气；(三)向反应器中通入氧气和氮气的混合气体或者空气，稀土金属或稀土合金氢化产物与氧气和氮气发生化学反应，制备出氨气。本发明制备氨的方法，采用的原料为氢气、氧气和氮气，金属或稀土合金为中间介质，通过中间介质吸收氢气后，再与氧气和氮气作用生成活性的氮和氢，最终合成氨气。该方法能够在常温常压下进行，提高温度和压力可以提高氨的产率和合成速度，该方法所需要的工序少，设备简单，并可以节省大量能源。
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公开(公告)号：CN1363702A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN02100343.2
申请日：2002-01-11
Applicant: 北京大学
IPC: C22C1/04
Abstract: 本发明公开了一种制备金属间化合物的方法,属于金属间化合物的制备技术领域。该方法步骤为:按照欲制备的金属间化合物成份将不同种金属超微粉末混合均匀,压制成坯料;再将坯料放入热处理炉中,反应气氛选择真空、惰性或者还原性保护气氛,升温到低熔点金属0.3Tm以上,在此温度下保持0.5～10小时,发生合金化反应生成金属间化合物,反应完成后冷却即可。本发明采用纳米或亚微米级金属超微粉末为原料,将合金化和烧结同时进行,精确控制成份,容易获得晶粒度小的单相结构,减少杂相和偏析,整个过程能在较低的温度下进行,可以节省能源,特别适用于制备熔点、比重相差很大或者易挥发金属组成的金属间化合物。
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