公开(公告)号：CN1300818C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03149784.5

申请日：2003-08-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 俞大鹏 ,  张晔 ,  贾宏博

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

Abstract: 本发明公开了一种场发射针尖及其制备方法与应用。本发明所提供的场发射针尖，是固定在硅衬底上的尖端为10-1-100nm量级的氧化铟或氧化铟锡纳米晶体。本发明还提供了该场发射针尖的制备方法。本发明的场发射针尖可用于制备平板显示器或Spindt型冷阴极。

公开(公告)号：CN1618738A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200310113384.X

申请日：2003-11-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 张洪洲 ,  徐向宇 ,  俞大鹏

IPC: C01G9/02 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用，目的是提供一种ZnO纳米线及其制备方法与ZnO纳米线阵列。本发明所提供的ZnO纳米线，它的直径为20－60nm，尖端曲率半径3－10nm。本发明所提供的ZnO纳米线阵列，是在金属网格均匀生长的ZnO纳米线，所述ZnO纳米线的直径为20－60nm，尖端曲率半径3－10nm。本发明的方法可以在厘米量级上的大面积生长高取向(垂直于金属网格)、高纯度、高密度且直径均一的ZnO纳米线。