公开(公告)号：CN116779708A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310699072.9

申请日：2023-06-13

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 祝连庆 ,  黄煜明 ,  鹿利单 ,  董明利 ,  张旭 ,  夏嘉斌

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种低暗电流硅基二维材料MRR光电探测器，所述光电探测器包括：微环谐振腔结构，所述微环谐振腔结构包括直波导和微环，其中，在所述微环上集成二硫化钨/六方氮化硼/二硒化钯异质结构，其中，六方氮化硼集成在所述微环上，二硫化钨集成在所述微环内侧，二硒化钯集成在所述微环外侧。本发明基于微环谐振腔结构的微环集成nBn型异质结，形成具有单极性势垒结构的nBn型低暗电流的光电探测器，可以实现抑制暗电流的同时在高温下工作，得到相比当前广泛使用的其他类型集成光电探测器更好的输出电流。

公开(公告)号：CN116565055A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310309844.3

申请日：2023-03-27

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  喻靖 ,  鹿利单 ,  柳渊 ,  张东亮 ,  董明利

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种双色红外雪崩光电探测器，包括：衬底，在衬底上依次外延生长的长波通道接触层、长波通道倍增层、长波通道电荷层、长波通道渐变层、长波通道吸收层和中长波通道接触层；在中长波通道接触层上依次外延生长的中波通道吸收层、中波通道渐变层、中波通道电荷层、中波通道倍增层和中波通道接触层；中波通道接触层上制备第一电极，中长波通道接触层上制备第二电极，长波通道接触层上制备第三电极。本发明采用两个PN结构造，每个PN结对应一个吸收波段，并采用合理的吸收区材料使得对应波段性能达到最佳，实现中波和长波的高灵敏低噪声的探测。

公开(公告)号：CN116540362A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310317271.9

申请日：2023-03-27

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 黄煜明 ,  鹿利单 ,  祝连庆 ,  董明利 ,  张旭

IPC: G02B6/293

Abstract: 本发明提供了一种微环谐振器权重高精度校准系统，包括：阵列布置的多个激光器，以及与多个激光器对应连接的多个马赫曾德调制器；其中，多个马赫曾德调制器的RF端用于输入不同频率的测试信号，多个马赫曾德调制器的BIAS端用于输入不同频率的调制信号，测试信号的频率高于调制信号的频率；多个马赫曾德调制器连接波分复用器，波分复用器连接多个串联的微环谐振器；微环谐振器连接电流源，电流源用于向多个所述微环谐振器输入相同频率的扫描信号，其中，调制信号的频率高于扫描信号的频率。本发明对微环谐振器的权重进行校准，有效提高了微环谐振器的精度。

公开(公告)号：CN115910750A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211306994.0

申请日：2022-10-24

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  龚蕊芯 ,  柳渊 ,  鹿利单 ,  张东亮

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种基于GaAs衬底生长GaSb单晶薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下方法步骤：在半绝缘掺杂Si的GaAs衬底上生长的GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上生长GaSb低温缓冲层；在所述GaSb低温缓冲层上生长GaSb外延层；其中，所述GaSb低温缓冲层的生长厚度为10‑12nm，生长温度为300‑310℃。本发明通过在较低温度下生长较薄的GaSb低温缓冲层后，采用高温生长GaSb单晶薄膜，优化衬底生长温度、束流比、薄膜厚度的手段，采用低温高温相结合生长GaSb的方式，解决由于外延层和衬底存在较大的晶格失配导致表面相对粗糙且形成“V”形凹坑的难点。

公开(公告)号：CN115632078A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211300933.3

申请日：2022-10-24

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  刘炳峰 ,  柳渊 ,  鹿利单 ,  张东亮 ,  郑显通

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法，包括如下步骤：步骤1、对GaSb(100)衬底进行除气；步骤2、对GaSb(100)衬底进行脱氧处理；步骤3、在465℃的温度下，在GaSb(100)衬底上生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；步骤4、按照20℃/min降温速率降温至385℃，并在该温度下生长100个周期的InAs/InAsxSb1‑x超晶格，其中，In源炉温度为838.3℃，As源炉温度为380℃，Sb源炉温度为620℃，As与In的五三束流比为6，Sb与In的五三束流比为3.7。本发明通过分子束外延(MBE)的方法，实现了在GaSb衬底上生长高质量的InAs/InAsxSb1‑xⅡ类超晶格结构，超晶格结构由100个周期组成，解决了超晶格应变不平衡的问题。

公开(公告)号：CN112633284A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011444516.7

申请日：2020-12-08

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 祝连庆 ,  于明鑫 ,  辛璟焘 ,  牛海莎 ,  庄炜 ,  鹿利单 ,  陈恺

IPC: G06K9/34 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 为了解决传统深度学习硬件系统功耗高、速度慢的问题，本发明提出了一种使用红外激光的纯光深度学习手写数字识别方法，其特征在于，包括电源、CO2激光器、激光器驱动模块、手写数字掩膜板、标校激光器、衍射光栅、标校图像传感器、中红外光电探测器、二维位移平台、电机驱动器、采集模块、计算机控制软件。本发明结构简单、功耗低，对手写数字识别平均准确率高，在特征检测和图像分类领域具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN106525099B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201610971256.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 祝连庆 ,  鹿利单 ,  娄小平 ,  董明利 ,  何巍 ,  张雯 ,  闫光

IPC: G01D5/56 ,  G01D5/58

Abstract: 本发明公开了一种非接触式光纤光栅角量传感器，包括磁栅尺、转盘和磁头探测单元，其特征在于，所述的磁头探测单元由塑料外壳、缓震泡沫、录磁磁头、环氧树脂、金属套管、锥型管、光纤光栅和光纤连接器组成；光纤光栅角量传感器工作时，磁栅尺旋转，对磁栅尺与录磁磁头间的作用力的最大值进行计数，得到旋转物体的角量。本发明能够实现连续大范围测量角速度、角加速度；与现有技术相比测量范围大，精度高，测量装置安装方便简单。

公开(公告)号：CN108169696A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711441398.2

申请日：2017-12-27

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 鹿利单 ,  祝连庆 ,  娄小平 ,  董明利 ,  孙广开 ,  何巍 ,  李红

IPC: G01R33/032

Abstract: 本发明公开了一种基于FBG的磁场强度传感器，包括锥形管、FBG本体、弹簧、磁头和FBG尾纤；所述FBG本体通过弹簧固定在锥形管的内部，且FBG本体与弹簧之间通过环氧树脂粘接；所述FBG尾纤贯穿锥形管的尾部与FBG本体连接，且FBG尾纤与锥形管的尾部之间通过环氧树脂塞进行密封；所述锥形管的端部通过环氧树脂粘接有磁头，且磁头与FBG本体远离FBG尾纤的一端通过导线连接；所述锥形管内部最大内径为5.2mm；本发明涉及光纤传感技术领域，该基于FBG的磁场强度传感器及其性能测试方法，通过PC端、ASE光源、光纤环形器、光谱分析仪、连接器和控制器的配合使用，使得FBG的磁场强度测试根据简单化，提高了测试的准确性，缩短了测试时间。