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公开(公告)号：CN119087742A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410713093.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供一种图案形成方法，借由使用对比已知的KrF抗蚀剂具有优良的干蚀刻耐性且成膜性及基板密合性优异的抗蚀剂下层膜形成用组成物，能够以高精度形成阶梯形状图案。一种图案形成方法，具有下列步骤：在被加工基板上利用抗蚀剂下层膜形成用组成物形成抗蚀剂下层膜，在抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂中间膜，在抗蚀剂中间膜上形成抗蚀剂上层膜，在抗蚀剂上层膜形成图案，在抗蚀剂中间膜转印图案，在抗蚀剂下层膜转印图案，在被加工基板形成图案，将抗蚀剂下层膜予以修整，在被加工基板形成阶梯形状的图案；就前述抗蚀剂下层膜形成用组成物而言，含有树脂、及有机溶剂，且使用下式(1)表示者作为树脂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118930452A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410567598.6
申请日：2024-05-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C237/06 , C07C235/06 , C07C237/04 , C07C235/16 , C07C231/12 , G03F1/56 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、图案形成方法、及有机膜用化合物。本发明提供一种有机膜用化合物，能形成不仅耐热性、于基板形成的图案的填埋、平坦化特性优异且对于基板的成膜性、密合性良好的有机膜，并提供含有前述化合物的有机膜形成材料、及使用了前述材料的图案形成方法。一种有机膜形成材料，其特征为含有下列通式(1)表示的有机膜用化合物及有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118672060A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410293211.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、及图案形成方法。本发明课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及图案形成方法。该课题解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其包括：(i)涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，(ii)借由将前述已涂布的基板以100℃以上且600℃以下的温度，进行10秒至7,200秒的热处理并使其硬化形成硬化膜，及(iii)对该硬化膜照射等离子，并形成抗蚀剂下层膜；使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118561892A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410220978.2
申请日：2024-02-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子及1种以上来自下列通式(1‑A)～(1‑D)表示的化合物的配位子。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112987495B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011454750.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D303/30 , C07D405/14 , C07D209/48 , C07D403/14 , C07D487/04 , C07C53/126 , C07C65/28
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明的目的在于提供为了形成兼具高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良密合力的有机膜的有机膜材料。本发明提供包含下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。#imgabs0#上述通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示1～10的整数，R1为下列通式(2)～(4)中的至少一者以上；#imgabs1#
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公开(公告)号：CN118330991A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410030331.3
申请日：2024-01-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料显示了极优良的干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜形成用组成物、使用该组成物于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有(A)具有下列通式(1A)表示的结构的聚合物、(B)下列通式(B‑1)表示的结构的交联剂、及(C)有机溶剂，且前述(A)聚合物不含羟基，前述(B)交联剂的含量相对于前述(A)聚合物100质量份为5～50质量份。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#
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公开(公告)号：CN111825596B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
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公开(公告)号：CN117590692A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311035093.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题为提供密合膜形成用组成物、使用该组成物的图案形成方法、及密合膜的形成方法，该密合膜形成用组成物提供于半导体装置制造步骤中微细图案化处理中，得到良好的图案形状，同时具有与抗蚀剂上层膜高的密合性且抑制微细图案的崩塌的密合膜。解决该课题的手段为一种密合膜形成用组成物，其用于形成抗蚀剂上层膜的正下的密合膜，其特征在于包含：(A)含有下列通式(1)表示的重复单元、及下列通式(2)表示的重复单元的高分子化合物，以及(B)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN108807140B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810366118.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116694114A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310194659.4
申请日：2023-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及金属氧化膜(抗蚀剂下层膜)形成方法。一种金属氧化膜形成用组成物，其特征为含有(A)金属氧化物纳米粒子、(B)为选自下列通式(I)、通式(II)及通式(III)中的一种以上表示的化合物及/或分子量5000以下的聚合物的流动性促进剂、及(C)有机溶剂，该(A)金属氧化物纳米粒子与该(B)流动性促进剂的重量比例为10/90～90/10。
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