公开(公告)号：CN1957447B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN1877877B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610087778.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤史隆 ,  弘田龙 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 提供物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。

公开(公告)号：CN101086963B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN101504913A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910126956.5

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L27/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及制造III族氮化物衬底晶片的方法和III族氮化物衬底晶片。单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN101503824A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910005871.1

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明改善AlGaN单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式AlxGa1－xN(0≤x≤1)表示的组成，其特征在于断裂韧度为(1.2－0.7x)MPa·m1/2或更大以及表面积为20cm2；或者它具有通式AlxGa1－xN(0.5≤x≤1)表示的组成，其特征在于在350～780nm的整个波长范围内其吸收系数为50cm－1或更小。

公开(公告)号：CN101441998A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177771.2

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/045 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/406 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/872 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件，所述GaN衬底制造方法的特征在于，包括如下加工步骤：基于衬底表面的结晶轴取向的差别，将由GaN单晶构成的衬底表面加工成凹形球面状。在处理后的GaN衬底表面中，将GaN衬底表面处理成凹形球面状，缩小了结晶轴取向相对于法线的差别。而且，使用结晶轴取向的差别已经被缩小的GaN衬底制造半导体器件，可使得多种由单一GaN衬底制造的半导体器件的器件特性均一化，这有助于提高半导体器件制造的产率。

公开(公告)号：CN100485879C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710111857.0

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/304 ,  H01L23/00 ,  B24B1/00

Abstract: 单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN100468627C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610110151.8

申请日：2006-08-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC: H01L21/20 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/7813 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体器件的制作方法，在芯片分离通过晶片工艺在基板上制造的元件单元时，能够减少研磨、切断等工序，能够重复使用基板。采用预先确定形成封闭曲线的集合晶体生长速度慢的缺陷的缺陷集合区域(H)和晶体生长速度快的低缺陷区域(ZY)的位置的氮化物半导体缺陷位置控制基板(S)，在低缺陷区域(ZY)上器件的内部，以边界线到达缺陷集合区域(H)的方式，使氮化物半导体层(上层部(B))外延生长在氮化镓基板上，用激光照射或机械方法在上下方向横向同时分离缺陷位置控制基板(S)和生长层(上层部(B))，重复使用基板。

公开(公告)号：CN100454488C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510005741.X

申请日：2005-01-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  中畑成二 ,  上野昌纪

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B7/10 ,  C30B19/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625

Abstract: 提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第III族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第III族氮化物晶体衬底的第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第III族氮化物晶体(2)通过液相取向附生生长到基础衬底(1)上面的步骤；和将第二种第III族氮化物晶体(3)通过气相取向附生生长到所述第一种第III族氮化物晶体(2)上面的步骤。由这种制造方法制造的第III族氮化物晶体衬底的位错密度为1×107位错/cm2。

公开(公告)号：CN101090062A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710110168.8

申请日：2007-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井尻英幸 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/673 ,  H01L21/20 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  B65D85/86 ,  B65D81/18

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法、储存的衬底、和半导体器件以及制造该半导体器件的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主表面的表面粗糙度Ra和第二主表面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主表面与(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在（1100）方向上为0.05°到2°，以及在（1120）方向上为0°到1°。