公开(公告)号：CN1957447A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN1877877A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610087778.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤史隆 ,  弘田龙 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。