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公开(公告)号：CN109923648A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068805.1
申请日：2017-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。
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公开(公告)号：CN105845550B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610067618.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法，通过该方法，即使掩模的开口的纵横比高，也能够使形成于被处理体上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中，反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜：(a)在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，从而在被处理体上形成反应前驱体的第一步骤；(b)在第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；(c)在第二步骤之后，在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜的第三步骤；和(d)在第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108885991A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020010.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式中，晶片(W)具备被蚀刻层(EL)、有机膜(OL)、防反射膜(AL)及掩膜(MK1)，一实施方式的方法MT具备如下工序：在收容有该晶片(W)的等离子体处理装置(10)的处理容器(12)内，通过在处理容器(12)内产生的等离子体并使用掩膜(MK1)对防反射膜(AL)进行蚀刻处理，该工序具备：在掩膜(MK1)的表面保形地形成保护膜(SX)的工序(ST3a)～工序(ST4)；及通过使用形成有保护膜(SX)的掩膜(MK1)按原子层去除防反射膜(AL)而对防反射膜(AL)进行蚀刻的工序(ST6a)～工序(ST7)。
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公开(公告)号：CN108885990A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020009.0
申请日：2017-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式中晶片(W)具备被蚀刻层(EL)和设置在被蚀刻层(EL)上的掩膜(MK4)，一实施方式的方法(MT)通过重复执行序列(SQ3)，并对每个原子层除去被蚀刻层(EL)来对被蚀刻层(EL)进行蚀刻，该序列(SQ3)包括：工序(ST9a)，通过产生等离子体并对平行平板电极的上部电极(30)施加直流电压来照射二次电子、并且用氧化硅化合物覆盖掩膜(MK4)；工序(ST9b)，生成氟碳系气体的等离子体并在被蚀刻层(EL)的表面的原子层形成含有自由基的混合层(MX2)；及(ST9d)，生成Ar气体的等离子体并施加偏置电压来除去混合层(MX2)。
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公开(公告)号：CN106098523A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610268935.7
申请日：2016-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/402 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01J37/32091 , C23C16/4404 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种处理被处理体的方法，该方法包括：第一步骤，向收纳有被处理体的处理容器内供给包含含硅气体的第一气体；在执行第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；在执行第二步骤之后，在处理容器内生成含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤；和在执行第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。该方法反复执行包括所述第一～第四步骤的流程，由此形成硅氧化膜。另外，在该方法中，在第二步骤、第三步骤和第四步骤的至少任一者中，对电容耦合型的等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压。
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公开(公告)号：CN105845550A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610067618.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/02107 , H01L21/02252
Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法，通过该方法，即使掩模的开口的纵横比高，也能够使形成于被处理体上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中，反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜：(a)在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，从而在被处理体上形成反应前驱体的第一步骤；(b)在第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；(c)在第二步骤之后，在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜的第三步骤；和(d)在第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。
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公开(公告)号：CN105316639A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455789.4
申请日：2015-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/0605 , C23C14/0694 , C23C14/3414 , C23C14/3435 , C23C14/345 , C23C16/30 , C23C16/509 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J37/3432 , H01J37/3438 , H01J37/3491
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。
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