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公开(公告)号：CN101217048B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810001371.6
申请日：2005-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B19/04 , G11B19/02 , G11B19/12 , G11B20/00086 , G11B20/00702 , G11B20/1217 , G11B20/1883 , G11B2020/1278 , G11B2020/1826 , G11B2220/20
Abstract: 一种信息记录介质、一种记录/再现方法和设备、以及一种主机设备，被提供以确保具有新标准和现有标准驱动器系统的功能的信息记录介质之间的兼容性。该信息记录介质包括：数据区域；缺陷管理区域，用于管理在数据区域中发生的缺陷；和访问控制区域，其中记录关于由该介质被载入其中的记录/再现设备可识别的功能的访问控制数据和关于由该记录/再现设备不可识别的功能的访问控制数据，其中，记录在缺陷管理区域中的写保护标志和记录在访问控制区域中的访问控制数据提供用于核查该介质是否可重新初始化的重新初始化核查信息。
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公开(公告)号：CN101202066B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810002987.5
申请日：2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B7/24082 , G11B20/1217 , G11B27/24 , G11B2020/1239 , G11B2020/1298 , G11B2220/215 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562 , G11B2220/2566 , G11B2220/257 , G11B2220/2575
Abstract: 一种光盘记录和/或再现系统，与下述光盘兼容，所述光盘包括导入区、用户数据区和导出区，所述导入区具有只读区、可读/写区和在只读区与可读/写区之间形成的连接区，所述系统包括：光拾取单元，发射激光束以把数据记录在光盘和/或从光盘再现数据；处理器，检测来自所述光盘的光信号并处理所检测的信号；其中只读区具有第一波纹，并且可读/写区具有与第一波纹不同的第二波纹，并且其中，可读/写区包括盘测试区。
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公开(公告)号：CN100550161C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510064429.8
申请日：2005-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/00736 , G11B19/122 , G11B20/00086 , G11B23/36 , G11B2007/0006 , G11B2020/1229 , G11B2020/1231 , G11B2020/1275 , G11B2020/1278 , G11B2020/1285 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种信息记录介质包括导入区、用户数据区、和导出区，并且导入区或者导出区中的至少一个包括将规定在信息记录介质的每个区是否是可记录的和/或可再现的兼容性信息记录在其中的兼容性信息区。兼容性信息可以包括关于用户数据区是否是可记录的和/或可再现的状态信息、关于导入区/导出区是否是可记录的和/或可再现的状态信息、关于兼容性信息区是否是可记录的和/或可再现的状态信息、或者关于缺陷管理区(DMA)是否是可记录的和/或可再现的状态信息中的至少一个。这里，DMA存储已经在用户数据区中出现的缺陷的信息。
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公开(公告)号：CN101542613A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780042561.6
申请日：2007-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B2020/1221 , G11B2020/1222 , G11B2020/1267 , G11B2020/1823 , G11B2020/1846 , G11B2020/1893 , G11B2220/2541 , G11B2220/2579
Abstract: 一种以簇为单位记录数据的记录介质、用于再现记录介质上的数据的方法和设备以及用于在记录介质上记录数据的方法和设备，其中，每个簇包括多个地址字段，每个地址字段包括32位地址单元号(AUN)地址信息，并且AUN地址信息包括：保留区域，记录在4位上；层信息，记录在3位上，表示记录与AUN地址信息相应的数据的层；和位置信息，记录在25位上，表示与AUN地址信息相应的数据的位置。在本发明的记录介质中，扩展了记录地址的空间，从而保护数据结构中可记录数据的地址的地址区域。
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公开(公告)号：CN100511446C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710004386.3
申请日：2004-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李坰根
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/1267 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 提供一种记录和/或再现设备，包括：光学拾取器，其以光学功率将数据记录在信息存储介质的表面上和/或从信息存储介质的表面读取数据；以及控制器，其控制光学拾取器以记录和/或再现在信息存储介质上的数据以及在记录期间确定用于设置光学功率的最优记录功率，其中，所述信息存储介质包括第一信息存储层的第一最优功率控制区域和第二信息存储层的第二最优功率控制区域，第一最优功率控制区域和第二最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，并且第一信息存储层的第一最优功率控制区域和第二信息存储层的第二最优功率控制区域被用来存储数据的方向是相反的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100481216C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710006517.1
申请日：2004-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李坰根
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B7/24038 , G11B2007/0013 , G11B2020/1227 , G11B2020/1265 , G11B2020/1275 , G11B2020/1285 , G11B2220/2579
Abstract: 一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制(OPC)区。从光入射在该信息存储介质上的方向看，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区一个被布置在另一个之上以使它们彼此不直接正对。在每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区取决于每个信息存储层的使用环境而变化。因此，当一个信息存储层的OPC区执行OPC时，OPC不会影响另一信息存储层。另外，每个信息存储层的区能被有效地被使用。
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公开(公告)号：CN100472614C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410030069.5
申请日：2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/0062
Abstract: 一种用于在光记录介质上记录数据的方法和装置。该方法包括通过利用具有一包含多脉冲的擦除模式的记录波形来形成标记或间隙。通过这样操作，该方法能防止标记形状的畸变并改进标记形状，从而改进了记录/再现特性。一种用于在光记录介质上记录数据的方法，包括：产生信道调制的数字数据；响应于信道调制的数字数据，产生具有一包含多脉冲的擦除模式和记录模式的记录波形；以及通过利用所产生的记录波形形成信道调制的数字数据的第一电平作为标记，形成信道调制的数字数据的第二电平作为间隙。
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公开(公告)号：CN100466068C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710006516.7
申请日：2004-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李坰根
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B7/24038 , G11B2007/0013 , G11B2020/1227 , G11B2020/1265 , G11B2020/1275 , G11B2020/1285 , G11B2220/2579
Abstract: 一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制(OPC)区。从光入射在该信息存储介质上的方向看，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区一个被布置在另一个之上以使它们彼此不直接正对。在每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区取决于每个信息存储层的使用环境而变化。因此，当一个信息存储层的OPC区执行OPC时，OPC不会影响另一信息存储层。另外，每个信息存储层的区能被有效地被使用。
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公开(公告)号：CN100454392C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480011097.0
申请日：2004-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/004
CPC classification number: G11B27/36 , G11B7/00375 , G11B7/00736 , G11B20/1883 , G11B2020/1285 , G11B2020/1873 , G11B2020/1893 , G11B2220/20 , G11B2220/218 , G11B2220/2537
Abstract: 一种管理记录介质缺陷的方法、设备和计算机可读介质以及一种缺陷被管理的记录介质。所述记录介质包括：备用区，在其中形成有作为所述记录介质的缺陷区的替代的替换区；和临时缺陷管理区，在其中记录有用于指定所述缺陷区和对应的替换区的临时管理信息，其中，关于所述缺陷区的位置信息和状态信息被记录在所述替换区中。因此，即使对所述记录介质的记录介质缺陷管理被异常结束，也可恢复缺陷信息。
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公开(公告)号：CN100447868C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410030071.2
申请日：2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/0062
Abstract: 一种用于在光记录介质上记录数据的方法和装置。该方法包括通过利用具有一包含多脉冲的擦除模式的记录波形来形成标记或间隙。通过这样操作，该方法能防止标记形状的畸变并改进标记形状，从而改进了记录/再现特性。一种在光记录装置中用于响应于具有第一电平和第二电平的输入数据分别在光记录介质上交替形成第一状态和第二状态的装置，包括：记录波形发生单元，其产生的波形包含：具有多个与输入数据中的第一电平相对应的第一脉冲的第一多脉冲；和具有多个与输入数据中的第二电平相对应的第二脉冲的第二多脉冲。
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