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公开(公告)号：CN1725373A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510082155.5
申请日：2005-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/413 , G11C7/00
CPC classification number: G11C11/417
Abstract: 一种采用有效电压结构的SRAM，其在工艺－电压－温度(PVT)改变时仍能稳定。该SRAM为SRAM单元提供的有效电源电压是通过将电源电压降低一晶体管的阈值电压而得到的，且有效地电压是通过将地电压提升一晶体管的阈值电压而得到的。由于使用二极管型的PMOS和NMOS晶体管连接在电源电压与有效电源电压之间，且使用二极管型的NMOS和PMOS晶体管连接在地电压与有效地电压之间，就提供了即使在不同PVT变化下仍稳定的有效电源电压电平和有效地电压电平，因此具有稳定的低漏电流特性。
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