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公开(公告)号：CN108748369A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810465031.2
申请日：2018-05-16
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
CPC classification number: B26D7/1854 , B08B5/02
Abstract: 本发明公开了一种气压自动清理系统，废料感应器用于放置在废料残留位置附近并用于感应废料有无，出气嘴安装于废料残留位置附近并用于对准废料吹出高压气体，废料感应器的输出端与电控箱的信号输入端连接，电控箱的控制输出端与电磁阀的控制输入端连接，压缩空气源的出口与电磁阀的入口通过气管连接，电磁阀的出口与出气嘴的入口通过气管连接，流量调节开关安装于电磁阀与出气嘴之间的气管上。本发明将感应器、控制箱和电磁阀整合设计为具有自动控制功能的自动控制装置，并用于控制高压气体管路的通断，实现了对电子、机械加工行业模具废料的自动清理，提高了产品良率，提高了生产效率，提高了模具的使用寿命，也节约了成本。
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公开(公告)号：CN106711234A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710028828.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN105762076A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610110506.7
申请日：2016-02-29
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143
Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压大电流肖特基芯片生产的工艺，依次包括选取原始N型硅片、表面磷沉积、高浓度N+磷扩散、切割分离、化学机械抛光、硅片分类、一次氧化、一次光刻、硼扩散、二次光刻、肖特基势垒金属溅射、肖特基势垒形成、正面接触金属蒸发、正面金属光刻、背面处理、蒸发背面接触金属得到成品，用本发明的生产工艺加工的扩散型JBS肖特基芯片特别适宜于制造大电流工艺芯片，其成本至少比外延工艺低三分之一；同时，扩散型工艺形成的JBS肖特基芯片125℃下的高温漏电流比外延工艺小30%以上,缺陷率明显低于外延工艺；而且本工艺简单，易于实现批量化。
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公开(公告)号：CN104340673B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410520421.7
申请日：2014-09-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于电子元器件混料自动检测分料气轨上的自动排料槽，包括进料通道、转向引导部和排料通道，三者依次连通构成一个整体，进料通道为上下延伸的矩形管，排料通道的前侧板由上向下逐渐朝排料通道的后侧板方向倾斜构成排料引导斜面，排料通道的左侧板由上向下逐渐朝远离进料通道的方向倾斜，且左侧板的上端与进料通道右侧板的上端相连，排料通道的下端封口，排料通道的后侧板底部开口构成排料口，转向引导部为连接在进料通道顶部与排料通道顶部之间的半圆形通道。结构简单、设计巧妙，能实现自动检测分料气轨上不良电子元器件的自动排料及分类回收，提高生产效率，相比人工分料精确度更高。
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公开(公告)号：CN104340673A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410520421.7
申请日：2014-09-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于电子元器件混料自动检测分料气轨上的自动排料槽，包括进料通道、转向引导部和排料通道，三者依次连通构成一个整体，进料通道为上下延伸的矩形管，排料通道的前侧板由上向下逐渐朝排料通道的后侧板方向倾斜构成排料引导斜面，排料通道的左侧板由上向下逐渐朝远离进料通道的方向倾斜，且左侧板的上端与进料通道右侧板的上端相连，排料通道的下端封口，排料通道的后侧板底部开口构成排料口，转向引导部为连接在进料通道顶部与排料通道顶部之间的半圆形通道。结构简单、设计巧妙，能实现自动检测分料气轨上不良电子元器件的自动排料及分类回收，提高生产效率，相比人工分料精确度更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102527644B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110453129.4
申请日：2011-12-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: B07C5/08
Abstract: 本发明公开了一种轴向二极管分离装置，属于分离装置领域，包括基板，所述基板上设置有第一支撑座、限位固定座和两条平行的输送链条，所述第一支撑座上设有固定块，所述固定块与检测片连接，所述检测片通过拉簧与所述固定块连接，所述固定块上设置有位移检测器，所述位移检测器与所述气缸的电磁阀连接，所述气缸上设有两块平行的排料块，所述限位固定座的出料端设有凹槽，所述排料块伸入所述限位固定座的凹槽，本发明能够大大提高分离效率，由于不需要人工操作，节约了人力，由于采用位移检测器能够准确检测检测片是否发生位移，能够有效保证不良轴向二极管被分离出去。
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公开(公告)号：CN102034705B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010509031.1
申请日：2010-10-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 张力
IPC: H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种大电流二极管应力减小加工工艺，该工艺按如下步骤进行：引排，铜引线退火；焊料、芯片装填；焊接；成型；分段固化。通过在原工艺基础上增加铜引线退火以及将原固化方式改为分段固化，从而降低了产品的结构应力，从而克服了目前技术的缺陷，达到提升产品可靠性能的效果。
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公开(公告)号：CN102767764A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210266023.8
申请日：2012-07-30
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21W131/101 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种用于隧道照明的LED灯及其安装方法，该灯具包括灯架、内置电源、LED发光件和灯罩，内置电源和LED发光件安装在灯架内，灯罩罩在灯架上，其特征在于：所述LED发光件为一块安装有LED灯珠阵列的折形发光板。安装时利用膨胀螺栓将轨道横向固定在隧道两边的墙壁上，将LED灯的弹簧卡子卡接在轨道内，通过滑行弹簧卡子调节相邻两个LED灯的距离来改变隧道内部的照明强度。其显著效果是：结构简单，安装和维护方便，通过设计两个方向投射的灯光，解决了隧道内炫光问题，同时改变了灯具的安装高度，降低光照强度，节约能耗。
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公开(公告)号：CN102222615B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110189705.9
申请日：2011-07-07
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种肖特基芯片的生产工艺，包括以下步骤：提供一原始外延硅片；对原始外延硅片进行氧化，形成氧化层；一次光刻；P环扩散；二次光刻沟槽；一次腐蚀；三次光刻，去除沟间隔的氧化层；二次腐蚀；正面溅射金属Pt、Ni；蒸发正面接触金属Ti、Ni、Ag；光刻金属；背面减薄；蒸发背面接触金属Ti、Ni、Ag，得成品。本发明还公开了一种肖特基芯片的生产工艺所用的腐蚀液，其组份为：HF、HAC、H2O2、HNO3。采用本发明加工肖特基芯片，可实现深度为1.0微米、精度为±0.15微米的光滑沟槽，并使硅的表面积约扩大20%以上，所以同样的芯片面积，采用本发明工作效率提高接近20%，为肖特基芯片的批量生产打下了坚实基础。
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公开(公告)号：CN101972876B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010509038.3
申请日：2010-10-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 安国星
Abstract: 本发明公开了一种MBS桥式整流器件焊接工艺，该工艺包括如下步骤：a.芯片P面预焊：用焊锡量大小一致的焊片进行芯片P面预焊，而保证芯片的N面平整；b.锡膏沾笔沾锡膏：用锡膏沾笔沾定量的锡膏于料片上；c.预焊芯片定位：在b步骤后通过锡膏较大的粘度将芯片平整的N面定位在料片上；d.料片组合；e.进隧道炉焊接。本发明的有益效果是：用焊锡量大小一致的焊片进行芯片P面预焊，使芯片P面的焊锡量的多少得到充分保证；用粘度比较大的焊锡膏对芯片进行定位，从而改善了助焊剂粘度不够而致焊接偏位的不良；一则该方法投入成本极少，操作方便；二则大大减少了人工调整偏出芯片的时间，提高效率2.5倍以上；三则将原焊接偏位不良率15％降低到0％。
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