热处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107818925A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201710606084.7

    申请日:2017-07-24

    Inventor: 伊藤祯朗

    Abstract: 一种热处理装置,即使在吸收红外光的处理气体的环境中,也能够准确地测量基板温度。在对半导体晶片进行热处理的室内形成氨气环境,该氨气吸收与辐射温度计(120)的测量波长区域重叠的波长区域的红外光。通过在辐射温度计(120)的光学透镜系统(21)和检测器(23)之间设置滤光片(22)来排除氨气吸收红外光带来的影响,该滤光片(22)有选择地使不与氨气吸收的波长区域重叠的波长的红外光透过。此外,从表示向辐射温度计(120)入射的红外光的能量和黑体的温度之间的相关关系的多个变换表(26)中,选择与设置的滤光片(22)对应的变换表(26)供辐射温度计(120)使用。由此,不管是否处于氨气环境,都能准确地测量半导体晶片(W)的温度。

    单相机双波段熔池比色测温方法及系统

    公开(公告)号:CN107167249A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710411791.0

    申请日:2017-06-05

    CPC classification number: G01J5/602 G01J2005/604

    Abstract: 本申请提供一种单相机双波段熔池比色测温方法及系统,该方法包括:光处理步骤、图像获取步骤和比色法温度计算步骤;利用分光镜将待测熔池一束辐射光分为波长和强度完全一致的第一光束和第二光束,通过滤波片组,获得第一过滤光束和第二过滤光束,并利用长工作距离显微镜头对第一过滤光束和所第二过滤光束进行等倍数放大,利用相机获得实时图像,实时图像包括灰度值不同但形状完全相同的第一熔池图像和第二熔池图像;再利用比色温度计算,得到待测熔池表面各点的实时温度;本发明只通过一个相机,能够在线、原位、快速精确的获得熔池表面温度分布信息,避免了比色测温技术中双相机时间不同步带来的误差,同时具有抗干扰能力强、成本低的优点。

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