公开(公告)号：CN115840175A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211154919.7

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  高杉圭祐 ,  礒田刚大 ,  稻毛健治

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及一种传感器。磁传感器具备包含平坦部和突出部的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。突出部具有第一倾斜面和第二倾斜面。第一MR元件配置在第一倾斜面之上。第二MR元件配置在第二倾斜面之上。突出部沿着与基板的上表面平行的第一方向延伸，并且包含在突出部中的第一方向的端部分别向与基板的上表面平行的方向凹陷的多个凹部。

公开(公告)号：CN115840168A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211143001.2

申请日：2022-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐 ,  牧野健三 ,  平林启 ,  酒井正则

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器包含第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层、配置于第一绝缘层的与第二绝缘层相反的一侧的下部线圈要素、以及第二MR元件。第二MR元件包含磁化固定层及自由层。磁化固定层及自由层配置于第三绝缘层的与第二绝缘层相反的一侧。第一绝缘层及第三绝缘层各自包含第一绝缘材料。第二绝缘层包含第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN108461627B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201711159781.9

申请日：2017-11-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高杉圭祐

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种容易确保磁轭的高度并且容易引导磁场感测膜检测磁场的方向上的磁通的磁传感器。磁传感器包括：第一磁场检测元件(21)，具有检测第一方向(X)上的磁场的第一磁场感测膜(38)；和第一磁轭(23)，包括相对于第一方向(X)位于第一磁场感测膜(38)的一侧上的第一部分(23a)和在与第一方向(X)正交的方向(Z)上与第一部分(23a)接触的第二部分(23b)。第二部分(23b)在第一方向(X)上的平均尺寸大于第一部分(23a)在第一方向(X)上的平均尺寸。

公开(公告)号：CN108461627A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711159781.9

申请日：2017-11-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高杉圭祐

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/05 ,  H01R43/12

Abstract: 本发明提供一种容易确保磁轭的高度并且容易引导磁场感测膜检测磁场的方向上的磁通的磁传感器。磁传感器包括：第一磁场检测元件(21)，具有检测第一方向(X)上的磁场的第一磁场感测膜(38)；和第一磁轭(23)，包括相对于第一方向(X)位于第一磁场感测膜(38)的一侧上的第一部分(23a)和在与第一方向(X)正交的方向(Z)上与第一部分(23a)接触的第二部分(23b)。第二部分(23b)在第一方向(X)上的平均尺寸大于第一部分(23a)在第一方向(X)上的平均尺寸。

公开(公告)号：CN115902722A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211157092.5

申请日：2022-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线、第二布线和1个以上的图案。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上。第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜分别设置在第一斜面和第二斜面上。第一布线连接分别设置在第一凸部和第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接分别设置在第一凸部和第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。第一凸部与第二凸部以使第一凸部的第一斜面与第二凸部的第二斜面在第一方向上对向的方式，相邻配置在第一方向上。1个以上的图案设置在互相对向的第一凸部的第一斜面和第二凸部的第二斜面的至少一方上。

公开(公告)号：CN112710973A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011108663.7

申请日：2020-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐

IPC: G01R33/09 ,  G01N27/74 ,  G01N33/543

Abstract: 用于检测试样中的检测对象物质的磁传感器包括：具有第一面和与第一面相对的第二面的基板；设置在基板的第一面上且电阻值根据输入磁场而变化的磁阻效应元件；和覆盖在磁阻效应元件上的保护层。位于磁阻效应元件上的保护层的表面具有规定的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN112710973B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202011108663.7

申请日：2020-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐

IPC: G01R33/09 ,  G01N27/74 ,  G01N33/543

Abstract: 用于检测试样中的检测对象物质的磁传感器包括：具有第一面和与第一面相对的第二面的基板；设置在基板的第一面上且电阻值根据输入磁场而变化的磁阻效应元件；和覆盖在磁阻效应元件上的保护层。位于磁阻效应元件上的保护层的表面具有规定的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN115902723A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211157122.2

申请日：2022-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线和第二布线。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上，第一斜面对平坦面倾斜，第二斜面对平坦面和第一斜面的双方倾斜。第一磁阻效应膜设置在第一斜面上，第二磁阻效应膜设置在第二斜面上。第一布线连接设置在第一凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜与设置在第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接设置在第一凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜与设置在第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。第一布线与第二布线在第一斜面和第二斜面的至少一方上交叉。

公开(公告)号：CN111722165A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010079081.4

申请日：2020-02-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐

IPC: G01R33/12 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  G01N33/543

Abstract: 用于检测试样中的检测对象物质的磁传感器具备：基板，其具有第一面及与第一面相对的第二面；磁阻效应元件，其设置于基板的第一面上，并且根据输入磁场而电阻值变化；及保护层，其覆盖磁阻效应元件上，磁阻效应元件构成为沿基板的第一面上的第一方向延伸的线状，并且具有俯视时位于外周缘的第一区域和被第一区域包围的第二区域，磁阻效应元件的第一区域上的保护层的上表面的高度比磁阻效应元件的第二区域上的保护层的上表面的高度高。

公开(公告)号：CN113267620B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202110085420.4

申请日：2021-01-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐

IPC: G01N33/543

Abstract: 一种磁传感器，用于检测试样中的被检测物质，其具备：基板，其具有第一面及与第一面相对的第二面；检测部，其设置于基板的第一面上，检测部包括：磁阻效应元件，其设置于基板的第一面上，电阻值根据输入磁场变化；保护层，其至少覆盖磁阻效应元件，磁阻效应元件构成为沿基板的第一面上的第一方向延伸的线状，检测部具有第一宽度及大于第一宽度的第二宽度，所述第一宽度是在基板的第一面上与第一方向正交的第二方向上的长度，第一宽度是检测部在基板的第一面上的长度，第二宽度是检测部的上表面的长度。