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公开(公告)号：CN113793896A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110565671.2
申请日：2021-05-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切断面上，所述第一铁磁性层的所述第二方向的最短宽度比所述非磁性层的所述第二方向的宽度短。
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公开(公告)号：CN111613721A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010103970.X
申请日：2020-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
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公开(公告)号：CN119968099A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510128873.9
申请日：2021-05-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切断面上，所述第一铁磁性层的所述第二方向的最短宽度比所述非磁性层的所述第二方向的宽度短。
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公开(公告)号：CN112599660A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011039475.3
申请日：2020-09-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供能够使磁畴壁的动作稳定的磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：配线层，其包括铁磁性体；非磁性层，其位于所述配线层的第一面上；第一导电层，其连接于所述配线层的所述第一面，并且包括铁磁性体；及第二导电层，其与所述第一导电层分隔，并且连接于所述配线层，所述第一导电层的连接面的第一部分与所述配线层直接连接，所述连接面的除了所述第一部分之外的第二部分经由所述非磁性层连接于所述配线层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112599660B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011039475.3
申请日：2020-09-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供能够使磁畴壁的动作稳定的磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：配线层，其包括铁磁性体；非磁性层，其位于所述配线层的第一面上；第一导电层，其连接于所述配线层的所述第一面，并且包括铁磁性体；及第二导电层，其与所述第一导电层分隔，并且连接于所述配线层，所述第一导电层的连接面的第一部分与所述配线层直接连接，所述连接面的除了所述第一部分之外的第二部分经由所述非磁性层连接于所述配线层。
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公开(公告)号：CN111613721B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202010103970.X
申请日：2020-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
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公开(公告)号：CN113793896B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110565671.2
申请日：2021-05-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切断面上，所述第一铁磁性层的所述第二方向的最短宽度比所述非磁性层的所述第二方向的宽度短。
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公开(公告)号：CN116867350A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310857530.7
申请日：2020-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
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公开(公告)号：CN114051655A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080047617.2
申请日：2020-07-03
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本实施方式的磁元件(100)具备：配线层(10)，其沿第一方向(x)延伸，包含铁磁性体；以及非磁性层(20)，其相对于所述配线层沿第二方向(z)层叠，所述配线层在与所述第一方向正交的切割面上，具有相对于所述第二方向倾斜的侧面(11)，所述侧面具有一个以上的相对于所述第二方向的倾斜角不连续的弯曲点(B1)，隔着所述弯曲点中的、处于距所述非磁性层远的位置的第一弯曲点，距所述非磁性层远的第一倾斜面(11A)的所述倾斜角(θ1)比接近所述非磁性层的第二倾斜面(11B)的所述倾斜角(θ2)小。
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