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    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件
    1.
    发明授权
    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件 有权

    公开(公告)号：CN108883991B

    公开(公告)日：2021-07-27

    申请号：CN201780019120.8

    申请日：2017-03-06

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 阿满三四郎 ,  秋场博树 ,  竹内启子

    IPC: C04B35/01 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种耐受电压高且可靠性良好的电介质组合物以及使用其的电子部件。该电介质组合物的特征在于，具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分，主成分以(Sr1.00‑s‑tBasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑aZra)x+2.00(Nb1.00‑bTab)8.00‑xO30.00表示，上述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素，s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00，0≤t≤0.30，0.70≤s+t≤1.00，0≤x≤0.50，0.10≤a≤1.00，0≤b≤1.00，相对于上述主成分100摩尔，作为副成分含有0.1摩尔以上且20.00摩尔以下的选自Mn、Mg、Co、V、W、Mo、Si、Li、B、Al的至少一种。

    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件
    2.
    发明公开
    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件 有权

    公开(公告)号：CN108883991A

    公开(公告)日：2018-11-23

    申请号：CN201780019120.8

    申请日：2017-03-06

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 阿满三四郎 ,  秋场博树 ,  竹内启子

    IPC: C04B35/01 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    CPC classification number: C04B35/01 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种耐受电压高且可靠性良好的电介质组合物以及使用其的电子部件。该电介质组合物的特征在于，具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分，主成分以(Sr1.00‑s‑tBasCat)6.00‑xRx(Ti1.00‑aZra)x+2.00(Nb1.00‑bTab)8.00‑xO30.00表示，上述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素，s、t、x、a、b满足0.70≤s≤1.00，0≤t≤0.30，0.70≤s+t≤1.00，0≤x≤0.50，0.10≤a≤1.00，0≤b≤1.00，相对于上述主成分100摩尔，作为副成分含有0.1摩尔以上且20.00摩尔以下的选自Mn、Mg、Co、V、W、Mo、Si、Li、B、Al的至少一种。

    电介质组合物及电子部件
    3.
    发明公开
    电介质组合物及电子部件 审中-实审

    公开(公告)号：CN117790182A

    公开(公告)日：2024-03-29

    申请号：CN202311201350.X

    申请日：2023-09-18

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 秋场博树 ,  高桥哲弘 ,  井口俊宏

    IPC: H01G4/12 ,  H01G4/33

    Abstract: 本发明涉及一种电介质组合物及电子部件。所述电介质组合物含有以原子比计由(Ba1‑xSrx)aRbZrcTadO30+0.5e表示的钨青铜型复合氧化物作为主成分。c＝(2a+3b‑10)‑e、d＝(20‑2a‑3b)+e。R为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及Sc中的至少一种元素。0.000≤x≤0.500、5.100≤a≤5.860、0.000≤b≤0.100、‑0.150≤e≤0.150。

    电介质组成物和电子部件
    4.
    发明公开
    电介质组成物和电子部件 审中-实审

    公开(公告)号：CN115910604A

    公开(公告)日：2023-04-04

    申请号：CN202211122354.4

    申请日：2022-09-15

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 高桥哲弘 ,  井口俊宏 ,  秋场博树 ,  野村凉太

    IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33

    Abstract: 本发明为一种电介质组成物，其包含由(BaxSr(1‑x))mTa4O12表示的主成分和第一副成分，m为1.95≤m≤2.40，第一副成分为硅和锰，将电介质组成物中的主成分的含量设为100摩尔份时，电介质组成物中的硅的含量按SiO2换算为5.0～20.0摩尔份，电介质组成物中的锰的含量按MnO换算为1.0～4.5摩尔份。

    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件
    7.
    发明公开
    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件 有权

    公开(公告)号：CN109071355A

    公开(公告)日：2018-12-21

    申请号：CN201780019130.1

    申请日：2017-03-06

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 阿满三四郎 ,  秋场博树 ,  竹内启子

    IPC: C04B35/01 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种耐受电压高且可靠性良好的电介质组合物以及使用其的电子部件。该电介质组合物的特征在于，具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分，主成分以化学式(Sr1.00-s-tBasCat)6.00-xRx(Ti1.00-aZra)x+2.00(Nb1.00-bTab)8.00-xO30.00表示，上述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素，s、t、x、a、b满足0.50≤s≤1.00，0≤t≤0.50，0.50≤s+t≤1.00，0.50＜x≤1.50，0.30≤a≤1.00，0≤b≤1.00，相对于上述主成分100摩尔，作为副成分含有0.10摩尔以上且20.00摩尔以下的选自Mn、Mg、Co、V、W、Mo、Si、Li、B、Al中的至少一种以上的元素。

    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件
    8.
    发明公开
    电介质组合物、电介质元件、电子部件及层叠电子部件 有权

    公开(公告)号：CN108779031A

    公开(公告)日：2018-11-09

    申请号：CN201780019128.4

    申请日：2017-03-06

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 秋场博树 ,  阿满三四郎 ,  竹内启子

    IPC: C04B35/01 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    CPC classification number: C04B35/01 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种耐电压高且可靠性良好的电介质组合物及使用了其的电子部件。所述电介质组合物其特征在于，具有作为钨青铜型复合氧化物的主成分，主成分以化学式(Sr1.00-(s+t)BasCat)6.00-xRx(Ti1.00-(a+d)ZraSid)x+2.00(Nb1.00-bTab)8.00-xO30.00表示，所述R为选自Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种元素，s、t、x、a、b、d满足0≤s≤1.00、0≤t≤1.00、0≤s+t≤1.00、0≤x≤3.00、0.01≤a≤0.98、0≤b≤1.00、0.02≤d≤0.15、0.03≤a+d≤1.00，相对于所述主成分100摩尔，作为副成分含有0.10摩尔以上20.00摩尔以下的选自Mn、Mg、Co、V、W、Mo、Li、B、Al中的至少一种以上的元素。

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