-
公开(公告)号:CN1848245A
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200610072053.X
申请日:2006-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/455 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件,其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系:0<(nS1-1-nS2-1)-1·(μ0-μ)·(nμ)-1<0.2,其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度,并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。
-
公开(公告)号:CN1877277A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200610091569.9
申请日:2006-06-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01P15/0894 , G01Q20/04
Abstract: 微结构、悬臂、扫描探针显微镜以及用于测量微结构的形变量的方法。针对在其至少一部分处产生弹性形变的微结构,希望在希望的位置、以希望的形状和尺寸设置高效率并且高灵敏度的极小尺寸的多个传感器。此外,还要求便于对多个部件进行组装和调节,使检测电路小型化并简化,并测量微结构的细微部分的局部位移。所公开的微结构是悬臂(1),其梁部(14)产生弹性形变。该悬臂(1)设置有通过隧道效应检测梁部(14)的弹性形变的传感器(12)。
-
公开(公告)号:CN100385504C
公开(公告)日:2008-04-30
申请号:CN200610072053.X
申请日:2006-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/455 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件,其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系:0<(nS1-1-nS2-1)-1·(μ0-μ)·(nμ)-1<0.2,其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度,并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。
-
公开(公告)号:CN1841033A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610067044.1
申请日:2006-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01L1/005 , G01P15/0894 , G01P15/18 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件(1)具有:形成有穿隧势垒的绝缘层(11);形成于绝缘层(11)下面的具有导电性的下部电极(12);形成于绝缘层(11)上面的具有导电性的上部电极(13);形成于绝缘层(11)、下部电极(12)和上部电极(13)周围,把检测对象物的举动传递给绝缘层(11)的传递部件(5)。
-
公开(公告)号:CN100478666C
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200610091569.9
申请日:2006-06-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01P15/0894 , G01Q20/04
Abstract: 微结构、悬臂、扫描探针显微镜以及用于测量微结构的形变量的方法。针对在其至少一部分处产生弹性形变的微结构,希望在希望的位置、以希望的形状和尺寸设置高效率并且高灵敏度的极小尺寸的多个传感器。此外,还要求便于对多个部件进行组装和调节,使检测电路小型化并简化,并测量微结构的细微部分的局部位移。所公开的微结构是悬臂(1),其梁部(14)产生弹性形变。该悬臂(1)设置有通过隧道效应检测梁部(14)的弹性形变的传感器(12)。
-
公开(公告)号:CN100478665C
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200610067044.1
申请日:2006-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01L1/005 , G01P15/0894 , G01P15/18 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件(1)具有:形成有穿隧势垒的绝缘层(11);形成于绝缘层(11)下面的具有导电性的下部电极(12);形成于绝缘层(11)上面的具有导电性的上部电极(13);形成于绝缘层(11)、下部电极(12)和上部电极(13)周围,把检测对象物的举动传递给绝缘层(11)的传递部件(5)。
-
-
-
-
-