公开(公告)号：CN101924111B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010238538.8

申请日：2007-03-30

Applicant: NLT技术株式会社

Inventor： 森茂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/02 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，半导体层形成在绝缘衬底上，并且在半导体层和绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，前端绝缘层能够防止绝缘衬底中包含的杂质对半导体层产生作用，并且能够提高半导体器件的可靠性。在TFT(薄膜晶体管)中，硼被包含在位于距绝缘衬底表面约100nm或者更近的区域中，使得硼的浓度从绝缘衬底表面朝向半导体层以每1nm约1/1000倍的平均速率降低。