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公开(公告)号：CN101114613A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710138616.5
申请日：2007-07-24
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了一种有源矩阵基板的制造方法，其中通过单掩模处理形成了多个接触孔，使得到达金属膜，该金属膜存在于绝缘层中的不同深度位置，并且通过采用含氟气体的干法蚀刻而不蒸发。所述方法包括：采用CHF3、CF4和O2的混合气体进行干法蚀刻以形成多个接触孔的步骤；对所述多个接触孔进行氧灰化的步骤；和在多个接触孔中形成透明导电膜的步骤。
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公开(公告)号：CN1716022A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510083614.1
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1333
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃－170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1％或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺陷。
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公开(公告)号：CN1273858C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200310116504.1
申请日：2003-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336 , H01L27/00 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 在半导体层以及由高融点金属膜和铝或铝合金构成的低阻金属膜的层叠金属膜上形成图形时，可在不增加工序的条件下改善铝或铝合金的耐腐蚀性。使铝(合金)与高融点金属的层叠膜图形(24、25)从蚀刻掩模的光致抗蚀剂(51)后缩，以该状态在铝(合金)膜的侧面形成保护膜(38)。这样一来，在蚀刻半导体层(23)以及沟道槽时，铝(合金)膜的侧面不易暴露在含氯气体、含氟气体的等离子之中，可抑制铝(合金)膜的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1501474A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116507.5
申请日：2003-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 土居悟史
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供了一种制造包含互连的半导体器件的方法。该方法包括：用金属膜叠层覆盖衬底(1)，所述金属膜叠层包含：在衬底(1)上的下层难熔金属膜(91)，放在下层难熔金属膜(91)的上表面上且由包含金属的第一化合物组成的下层保护层(93a)，位于下层保护层(93a)的上表面上且由所述金属组成的核心金属膜(92)，放在核心金属膜(92)的上表面上且由包含所述金属的第二化合物组成的上层保护层(93b)，以及放在上层保护层(93b)的上表面上的上层难熔金属膜(94)，对所述金属膜叠层进行构图，以及在被构图的核心金属膜(72、82)的侧面上形成由包含所述金属的第三化合物组成的侧面保护层(73c、83c)。
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公开(公告)号：CN101345246A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810136116.2
申请日：2008-07-09
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 土居悟史
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵驱动式LCD，其包括TFT基板，在该TFT基板上TFT被形成。TFT基板包括栅极层、栅极绝缘膜、形成图案的半导体层以及源极层和漏极层，该栅极层、栅极绝缘膜、形成图案的半导体层以及源极层和漏极层被连续地形成于TFT基板的绝缘基板上。栅极层的厚度小于栅极绝缘膜的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100437251C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510083614.1
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/133
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃-170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1%或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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公开(公告)号：CN1253936C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200310116507.5
申请日：2003-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 土居悟史
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供了一种制造包含互连的半导体器件的方法。该方法包括：用金属膜叠层覆盖衬底(1)，所述金属膜叠层包含：在衬底(1)上的下层难熔金属膜(91)，放在下层难熔金属膜(91)的上表面上且由包含金属的第一化合物组成的下层保护层(93a)，位于下层保护层(93a)的上表面上且由所述金属组成的核心金属膜(92)，放在核心金属膜(92)的上表面上且由包含所述金属的第二化合物组成的上层保护层(93b)，以及放在上层保护层(93b)的上表面上的上层难熔金属膜(94)，对所述金属膜叠层进行构图，以及在被构图的核心金属膜(72、82)的侧面上形成由包含所述金属的第三化合物组成的侧面保护层(73c、83c)。
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公开(公告)号：CN1226659C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02130565.X
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃-170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1%或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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公开(公告)号：CN1504818A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310116504.1
申请日：2003-11-14
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336 , H01L27/00 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 在半导体层以及由高融点金属膜和铝或铝合金构成的低阻金属膜的层叠金属膜上形成图形时，可在不增加工序的条件下改善铝或铝合金的耐腐蚀性。使铝(合金)与高融点金属的层叠膜图形24、25从蚀刻掩模的光致抗蚀剂51后缩，以该状态在铝(合金)膜的侧面形成保护膜38。这样一来，在蚀刻半导体层23以及沟道槽时，铝(合金)膜的侧面不易暴露在含氯气体、含氟气体的等离子之中，可抑制铝(合金)膜的腐蚀。
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公开(公告)号：CN1475852A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02130565.X
申请日：2002-08-16
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 制作一种液晶显示器，该液晶显示器具有以栅格形的方式设置的总线、与总线耦合的开关元件、在涂覆形成的夹层绝缘膜上设置的象素电极，象素电极与开关元件耦合。在制作液晶显示器中，当在涂覆形成的夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，基片温度控制为100℃－170℃。另一方面，当在非加热状态下在夹层绝缘膜上形成透明导电膜时，将氧流速比设置为1％或更低，在形成膜之后进行退火。从而，当在夹层绝缘膜上刻蚀ITO膜时，不产生腐蚀残渣。此外，能一致地减少在ITO膜和下层金属之间的接触电阻，并避免显示缺限。
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