公开(公告)号：CN115963697A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211243548.X

申请日：2022-10-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中西拓也 ,  浅冈高英 ,  蛸岛薫 ,  石川大佑

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种可形成显影密接性及硬化密接性优异的膜的感放射线性组合物、硬化膜及其制造方法、显示装置。一种感放射线性组合物，含有：(A‑1)聚合体，为选自由包含具有式(1)所表示的基或酸解离性基的结构单元的聚合体及硅氧烷聚合物所组成的群组中的至少一种；(B‑1)光酸产生剂；(C‑1)溶剂；以及(E)化合物，具有选自由烷氧基硅烷基、氧杂环丙基、氧杂环丁基、巯基、(甲基)丙烯酰基、乙烯基及氨基所组成的群组中的至少一种官能基(X)、与卡多结构。式(1)中，R1、R2及R3为氢原子、卤素原子、羟基、碳数1～6的烷氧基、碳数1～10的烷基或苯基。其中，R1、R2及R3中的至少一个为碳数1～6的烷氧基。

公开(公告)号：CN113552769A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110438836.X

申请日：2021-04-22

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中西拓也 ,  浅冈高英 ,  成子朗人

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明的课题在于提供一种可获得显影密接性优异的膜的感放射线性组合物、硬化膜及其制造方法、半导体元件、显示元件以及聚合物。一种感放射线性组合物，含有：包含具有式(1)所表示的基的结构单元(I)的聚合物、光酸产生剂、及原酸酯化合物。式(1)中，R1为氢原子、卤素原子、羟基或碳数1～6的烷氧基。R2及R3分别独立地为氢原子、卤素原子、羟基、碳数1～6的烷氧基、碳数1～10的烷基或苯基。“*”表示键结键。

公开(公告)号：CN113589647A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110477368.7

申请日：2021-04-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 本田晃久 ,  中西拓也 ,  仓田亮平 ,  吉田智香 ,  三村时生 ,  八代隆郎

IPC: G03F7/004 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明的课题在于提供一种保存稳定性优异且可形成耐化学品性优异的硬化膜的感放射线性组合物、硬化膜的制造方法、半导体元件及显示元件。一种感放射线性组合物，含有：包含具有氧杂环丙基的第一结构单元与具有羧基的第二结构单元的聚合物成分；感光剂；选自由胺系化合物、咪唑系化合物及异氰酸酯系化合物所组成的群组中的至少一种化合物；以及溶剂；并且相对于构成聚合物成分的全部结构单元，第一结构单元的含有比例为超过20质量％且65质量％以下，第二结构单元的含有比例为超过5质量％且25质量％以下，溶剂包含相对于感放射线性组合物中所含的溶剂的总量而为20质量％以上的汉森溶解度参数的氢键项dH为10.0以上的高dH溶媒。

公开(公告)号：CN115268214A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210464152.1

申请日：2022-04-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中西拓也 ,  蛸岛薫 ,  浅冈高英

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/008 ,  G03F7/012 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种可形成显影密接性优异的硬化膜的感放射线性组合物、硬化膜及其制法、半导体及显示元件。感放射线性组合物，含有：聚合物，为选自由包含具有式(1)所表示的基或酸解离性基的结构单元(I)的聚合物及硅氧烷聚合物所组成的群组中的至少一种；光酸产生剂；以及具有疏水性基与羟基键结于硅原子上而成的部分结构、且不具有烷氧基的硅醇化合物。式(1)中，R1、R2及R3分别独立地为氢原子、卤素原子、羟基、碳数1～6的烷氧基、碳数1～10的烷基或苯基。其中，R1、R2及R3中的一个以上为碳数1～6的烷氧基。“*”表示键结键。