公开(公告)号：CN105988499A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510143903.X

申请日：2015-02-16

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香 ,  金杰

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明涉及一种电源侧电压调节器。该电压调节器，产生为低于电源电压的设计的电压电平的输出电压。参考电压发生器产生介于接地和电源电压之间的参考电压。分压器产生介于电源电压和输出电压之间的反馈电压。放大器基于参考电压和反馈电压之间的差值产生放大器输出电压。缓冲器缓冲放大器输出电压。通道晶体管在其控制节点接收缓冲电压以便拉低出现在输出节点的平均负载电流。电容连接在电源和输出电压之间以便提供峰值负载电流。负载电流检测晶体管在其控制节点接收缓冲电压以便感测负载电流。补偿晶体管用于补偿漏电流。内部负载将感测的负载电流转换为施加到补偿晶体管的电压控制信号。

公开(公告)号：CN104935303A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201410186057.5

申请日：2014-03-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香

IPC: H03K3/02

CPC classification number: H03K4/501 ,  H03K3/012 ,  H03K3/0231 ,  H03K3/0233

Abstract: 一种张驰振荡器在仅两个电流源之间共享充电电流和比较器偏置电流，从而放松了对总供电电流的需求。所带来的功耗的降低对振荡器的速度和精度没有负面影响。开关设置在两个电流源和两个充电电容器及其相关比较器之间引导充电和偏置电流。

公开(公告)号：CN103580655A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210257566.3

申请日：2012-07-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香

IPC: H03K3/023 ,  H03K5/22

CPC classification number: H03K3/02315 ,  H03K3/0231 ,  H03K3/3545 ,  H03K4/502 ,  H03K5/2472 ,  H03K5/2481 ,  H03K5/249

Abstract: 本发明提供比较器和采用比较器的张弛振荡器，比较器包括耦接到第一电源导轨的第一到第三偏置电流晶体管。第一和第二输入晶体管形成连接到第一偏置电流晶体管的一对并联耦接晶体管。第一电流镜控制晶体管将第一输入晶体管连接到第二电源导轨。第一电流镜输出晶体管耦接到第一电流镜控制晶体管并将第二偏置电流晶体管连接到第二电源导轨。第二电流镜控制晶体管将第二输入晶体管连接到第二电源导轨。第二电流镜输出晶体管耦接到第二电流镜控制晶体管，并将第三偏置电流晶体管连接到第二电源导轨。跨过第三偏置电流晶体管耦接的转变时间减小晶体管耦接到第二偏置电流晶体管并提供比较器输出。

公开(公告)号：CN106357236A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510506957.8

申请日：2015-07-14

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香 ,  梁超 ,  周建

IPC: H03K3/012

CPC classification number: H03K7/06 ,  H03K3/0231 ,  H03K3/08 ,  H03K4/502 ,  H03K5/24 ,  H03K19/21 ,  H03L7/087 ,  H03L7/18

Abstract: 本公开涉及变频张弛振荡器。公开了一种张弛振荡器系统，具有张弛振荡器和频率控制(FC)单元。振荡器包括第一和第二振荡器子电路及锁存器。第一和第二振荡器子电路从FC单元分别接收第一和第二控制信号，用于控制由第一和第二振荡器子电路提供给锁存器的相应输出。锁存器输出提供给FC单元的变频反馈信号。FC单元接收频率控制信号，用于控制振荡器输出信号的频率，并基于频率控制信号和反馈信号产生第一和第二控制输入，以便在每一个振荡器子电路处于空闲状态时由该振荡器子电路实现对振荡器频率的改变，以避免振荡器输出信号中的毛刺。

公开(公告)号：CN103580655B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210257566.3

申请日：2012-07-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香

IPC: H03K3/023 ,  H03K5/22

CPC classification number: H03K3/02315 ,  H03K3/0231 ,  H03K3/3545 ,  H03K4/502 ,  H03K5/2472 ,  H03K5/2481 ,  H03K5/249

Abstract: 本发明提供比较器和采用比较器的张弛振荡器，比较器包括耦接到第一电源导轨的第一到第三偏置电流晶体管。第一和第二输入晶体管形成连接到第一偏置电流晶体管的一对并联耦接晶体管。第一电流镜控制晶体管将第一输入晶体管连接到第二电源导轨。第一电流镜输出晶体管耦接到第一电流镜控制晶体管并将第二偏置电流晶体管连接到第二电源导轨。第二电流镜控制晶体管将第二输入晶体管连接到第二电源导轨。第二电流镜输出晶体管耦接到第二电流镜控制晶体管，并将第三偏置电流晶体管连接到第二电源导轨。跨过第三偏置电流晶体管耦接的转变时间减小晶体管耦接到第二偏置电流晶体管并提供比较器输出。

公开(公告)号：CN105892540A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410773188.3

申请日：2014-11-04

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香 ,  王洋

IPC: G05F1/56

CPC classification number: H02H9/046 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0266 ,  H02H9/041

Abstract: 本发明涉及电压钳位电路。一种用于向要防护免受过电应力(EOS)的电路元件提供钳位电压的电压源具有参考电压模块和电压钳位模块。该参考电压模块具有第一场效应晶体管(FET)，其源极和漏极串联连接在电源两端的可编程参考电流源和第一电阻器之间。该第一FET的棚极连接到它的漏极以提供由流进该第一电阻器的参考电流所限定的参考电压。电压钳位模块具有第二FET，其棚极接收该参考电压并且其源极连接成向被保护的电路元件提供其变化受该参考电压所限制的钳位电压。

公开(公告)号：CN105720961A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410408825.7

申请日：2014-06-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/161 ,  H03K17/165 ,  H03K17/168

Abstract: 本公开涉及低泄漏模拟开关。半导体隔离开关具有两个串联连接的主场效应晶体管(FET)，第一个主场效应晶体管被耦接在第一节点和中间节点之间，以及第二个主场效应晶体管被耦接在第二节点和中间节点之间。可控上拉场效应晶体管串联耦接到可控下拉场效应晶体管。可控上拉场效应晶体管被耦接在电源轨节点和公共节点之间，可控下拉场效应晶体管被耦接在接地轨节点和公共节点之间。泄漏控制晶体管被耦接在公共节点和中间节点之间。所有晶体管的栅极均与开关控制节点耦接。

公开(公告)号：CN104426523A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310377459.9

申请日：2013-08-27

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 王正香

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: H03K5/08 ,  H03F3/301 ,  H03F2200/18

Abstract: 本发明涉及具有减小的抖动的波形转换电路。一种用于波形转换电路的交流反向放大器包括第一导电类型的第一MOS晶体管，其栅极接收输入信号，漏极提供反向放大输出信号，源极耦合到第一电源电压。电流源提供第一偏置电流和与第一偏置电流成比例的第二偏置电流。第二偏置电流耦合到第一MOS晶体管的漏极以偏置第一MOS晶体管。第一偏置电流的大小由施加在第一MOS晶体管的栅极上的直流电压确定。