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发明公开
一种高性能纳米层错氧化铝陶瓷材料及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119118636A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202311095340.2

申请日：2023-08-29

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 樊磊 , 宋冰怡 , 关莉 , 杨守磊 , 张梦雯 , 孙德建 , 郭晓琴 , 安立楠

IPC: C04B35/111 , C04B35/622 , C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种高性能纳米层错氧化铝陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料领域，本发明方法制备的纳米层错氧化铝陶瓷材料内部具有高密度的层错组织，位于晶界区域；晶界区域层错区厚度在5‑50nm之间；材料的晶粒粒径在0.1‑2μm之间；材料的晶体结构为α‑Al2O3。通过本发明方法合成得到的纳米层错氧化铝陶瓷材料具有较高的致密度、抗弯曲强度、高硬度和高断裂韧性的特性，具有广阔的应用前景。

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